Name: IAUCN04S7L023HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7L023HATMA1TR-ND
Price: 2.352 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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IAUCN04S7L023HATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUCN04S7L023HATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUCN04S7L023HATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUCN04S7L023HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUCN04S7L023HATMA1
Description	MOSFET_(20V 40V)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 100 A (Tj) 75W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-56
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 7
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100 A (Tj)
Rds On (max.) à Id, Vgs	2.34mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1.8V @ 25µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	38nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2518pF @ 20V
Puissance - Max.	75W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-PowerVDFN
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8-56

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