Name: GE10MPS06E-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-GE10MPS06E-TR-ND
Price: 3.516 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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GE10MPS06E-TR
Numéro de produit DigiKey	1242-GE10MPS06E-TR-ND - Bande et bobine 1242-GE10MPS06E-TRCT-ND - Bande coupée (CT) 1242-GE10MPS06E-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	GE10MPS06E-TR
Description	DIODE SIL CARB 650V 26A TO2522
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 650 V 26A Montage en surface TO-252-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Série	MPS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	650 V
Courant - Moyen redressé (Io)	26A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	1.35 V @ 10 A
Vitesse	Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr	5 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F	466pF à 1V, 1MHz
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Boîtier fournisseur	TO-252-2
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C

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