Name: ZXMN10B08E6TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN10B08E6TR-ND
Price: 1.116 EUR
Availability: InStock

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ZXMN10B08E6TA
Numéro de produit DigiKey	ZXMN10B08E6TR-ND - Bande et bobine ZXMN10B08E6CT-ND - Bande coupée (CT) ZXMN10B08E6DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	ZXMN10B08E6TA
Description	MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 1,6 A (Ta) 1,1W (Ta) Montage en surface SOT-26
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,3V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	230mohms à 1,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	9.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	497 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-26
Boîtier	SOT-23-6
Numéro de produit de base	ZXMN10