Name: DMTH6016LSDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6016LSDQ-13DITR-ND
Price: 1.464 EUR
Availability: InStock

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DMTH6016LSDQ-13
Numéro de produit DigiKey	DMTH6016LSDQ-13DITR-ND - Bande et bobine DMTH6016LSDQ-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMTH6016LSDQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH6016LSDQ-13
Description	MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 7,6 A (Ta) 1,4W, 1,9W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7,6 A (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	19,5mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	17nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	864pF à 30V
Puissance - Max.	1,4W, 1,9W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SO
Numéro de produit de base	DMTH6016