Name: DMN62D2UW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN62D2UW-13TR-ND
Price: 0.04655 EUR
Availability: OutOfStock

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DMN62D2UW-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMN62D2UW-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN62D2UW-13
Description	MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	28 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 391mA (Ta) 400mW (Ta) Montage en surface SOT-323
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	391mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2ohms à 50mA, 5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	41 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	400mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-323
Boîtier	SC-70, SOT-323
Numéro de produit de base	DMN62

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