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En stock: 8 097
Prix unitaire : 1,26000 €
Fiche technique
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Canal N 30 V 7,5 A (Ta) 900mW (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8
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DMN3024SFG-13

Numéro de produit DigiKey
DMN3024SFG-13DI-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMN3024SFG-13
Description
MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
40 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 7,5 A (Ta) 900mW (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
7,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
23mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
479 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
900mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
POWERDI3333-8
Boîtier
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMN3024
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,17261 €517,83 €
6 0000,15861 €951,66 €
9 0000,15147 €1 363,23 €
15 0000,14346 €2 151,90 €
21 0000,14054 €2 951,34 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,17261 €
Prix unitaire avec TVA:0,20713 €