Name: DMN2992UFO-7R
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2992UFO-7RTR-ND
Price: 0.02843 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN2992UFO-7R
Numéro de produit DigiKey	31-DMN2992UFO-7RTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN2992UFO-7R
Description	MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 530mA (Ta) 420mW (Ta) Montage en surface X2-DFN0604-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	530mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	990mohms à 100mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	410 pC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	15.6 pF @ 16 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	420mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	X2-DFN0604-3
Boîtier	3-XFDFN

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Bande et bobine