MOSFET à canal P

Les MOSFET TrenchFET® GEN III et IV à canal P de Vishay Siliconix présentent la plus faible résistance à l'état passant par surface pour des MOSFET à canal P ; elle équivaut à la moitié seulement de ce qui se faisait de mieux dans l'industrie précédemment.

• La plus faible résistance à l'état passant par surface permet des cartes à circuit imprimé plus petites
• Des chutes de tension plus faibles augmentent le rendement et le temps de fonctionnement de la batterie
• Deux dispositifs offrent la possibilité de réduire le nombre de composants dans des conceptions de chargeur de batteries standard

Avec une grande variété de formats de boîtier et de caractéristiques de résistance à l'état passant, les MOSFET TrenchFET GEN III et IV à canal P de Vishay conviennent à un large éventail d'applications. En outre, la faible résistance à l'état passant permet de faibles pertes de conduction afin d'économiser de l'énergie et de prolonger l'utilisation de la batterie par charge.

Ressources : MOSFET à canal P en bref