Circuit d'attaque de grille simple à isolation galvanique STGAP2SiCS pour MOSFET en SiC

Le STGAP2SiCS de STMicroelectronics est un circuit d'attaque de grille haute tension (jusqu'à 1200 V) fabriqué avec la technologie BCD6s. Il comprend une isolation galvanique de 6 kV entre le canal d'attaque de grille et les circuits d'interface et de commande basse tension. Il est inclus dans la gamme à isolation galvanique de 6 kV en boîtier compact. La sortie du dispositif peut recevoir et délivrer jusqu'à 4 A. La prévention de la conduction croisée est assurée par une fonction de verrouillage. Le dispositif est doté de broches d'entrée dédiées pour chaque sortie. Les entrées logiques sont compatibles CMOS/TTL jusqu'à seulement 3,3 V pour faciliter l'interfaçage avec des dispositifs de contrôle. L'adaptation des temps entre les sections haut potentiel et bas potentiel garantit l'absence de distorsion de cycle et permet un fonctionnement haute fréquence. Le dispositif STGAP2SiCS est disponible en deux configurations différentes. La configuration avec broche de sortie séparée permet aux utilisateurs d'optimiser la mise sous tension et hors tension indépendamment, en utilisant une résistance de grille dédiée. La configuration présentant une seule broche de sortie et une fonction de fixation de Miller permet d'éviter les pointes de grille durant la commutation rapide dans les topologies en demi-pont.