IGBT 650 V série M

Les nouveaux IGBT 650 V série M de STMicroelectronics permettent aux concepteurs d'augmenter de manière rapide et économique le rendement des commandes moteur CVC, des alimentations secourues, des convertisseurs de puissance solaires et de toutes les applications de conversion de puissance fonctionnant jusqu'à 20 kHz dans des topologies de circuit de commutation dure.

Les IGBT série M sont construits selon la technologie de grille en tranchée à champ limité à faibles pertes troisième génération de ST, et ils présentent une nouvelle grille en tranchée et une structure verticale P-N-P spécialement conçue offrant le meilleur compromis entre pertes de commutation et pertes de conduction et améliorant considérablement les performances globales de ces dispositifs. Un délai de résistance aux courts-circuits de 6 µs minimum à une température de jonction de démarrage de 150°C, une température de jonction de fonctionnement maximale étendue de 175°C et une grande aire de sécurité permettent de prolonger la durée de service et de dynamiser la fiabilité dans les applications dans lesquelles une dissipation de puissance élevée est requise.

De plus, les dispositifs sont disponibles dans des boîtiers incluant une nouvelle génération de diodes de roue libre optimisées pour une récupération rapide, tout en maintenant une faible chute directe et un haut niveau de récupération progressive. Cela permet d'obtenir une excellente protection contre les interférences électromagnétiques tout en réduisant les pertes de commutation. Le coefficient de température V_CE(sat) positif et une distribution stricte des paramètres permettent la mise en parallèle en toute sécurité des dispositifs pour des exigences de puissance encore plus élevées.

Fonctionnalités :