Paramètres
Livraison rapide
Livraison gratuite
Incoterms
Types de paiement
Produit marketplace
MOSFET de puissance à canal N RBA300N10EANS-3UA02/RBA300N10EHPF-5UA02
Les MOSFET à canal N de Renesas permettent une réduction de la résistance à l'état passant, des caractéristiques Qg, de Qgd et du volume
Les MOSFET à canal N RBA300N10EANS-3UA02 et RBA300N10EHPF-5UA02 de Renesas sont conçus pour les applications de commutation à fort courant. Ce produit adopte le tout dernier procédé de fabrication de plaquettes appelé ANM3. Par rapport à l'ANM2 conventionnel, l'ANM3 permet une réduction de 30 % de la résistance à l'état passant, une réduction de 10 % des caractéristiques Qg et une réduction de 40 % de Qgd. Le boîtier permet de réduire le volume de 50 % par rapport au TO-263 traditionnel, ce qui contribue à une miniaturisation des produits utilisés par les clients.
Applications
- Commande de moteurs
- Systèmes de gestion de batteries (BMS)
- Gestion de l'alimentation
- Applications de charge
Fonctionnalités
- Faible perte de puissance grâce à une faible résistance à l'état passant
- Utilisation du même boîtier que les concurrents
- Faible surtension et performances thermiques équivalentes à celles des concurrents
RBA300N10EANS-3UA02/RBA300N10EHPF-5UA02 N-Channel Power MOSFETs
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | RBA300N10EANS-3UA02#GB0 | 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H | 2455 - Immédiatement | $4.50 | Afficher les détails |
|  | RBA300N10EHPF-5UA02#GB0 | 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H | 915 - Immédiatement | $4.43 | Afficher les détails |
Date de publication : 2024-12-19
France