Panasonic

Transistors de puissance MOSFET CSP

Technologie silicium avancée à cellules à tranchées de 110 nm de Panasonic

Image des MOSFET de puissance CSP de PanasonicPanasonic, un leader mondial en matière de produits à semi-conducteurs, présente les transistors de puissance MOSFET CSP séries FJ3P02100L et FK3P02110L. Les transistors de puissance MOSFET CSP sont fournis en boîtier PMCP présentant une conception pastille unique et une technologie de section de drain. Cela permet une amélioration de 5 % de la dissipation thermique, ainsi qu'une réduction du format de 80 % par rapport aux solutions conventionnelles. Les avancées en termes de technologies cellulaires et d'amincissement des plaquettes de Panasonic ont permis des puces avec des cellules à tranchées de 110 nm offrant une résistance à l'état passant 47 % inférieure par rapport à une puce traditionnelle de même taille. Grâce à cette technologie, cette série de MOSFET atteint un rendement haute puissance avec une consommation d'énergie réduite.

Fonctionnalités
  • Le boîtier PMCP permet une dissipation thermique améliorée de 5 % avec un format réduit de 80 % par rapport aux solutions conventionnelles
  • Qualification AEC-Q101
  • La technologie silicium à tranchées offre une résistance RDS(on) inférieure de 47 % par rapport à une puce conventionnelle de même format, permettant un rendement plus élevé tout en réduisant la consommation énergétique du système
  • Format : FJ3P02100L : 2,0 x 2,0 x 0,33 mm, FK3P02110L : 1,8 x 1,6 x 0,33 mm
  • RDS(on) : FJ3P02100L : 9,5 mΩ à VGS=4,5 V (typ.), FK3P02110L : 12,5 mΩ à VGS=2,5 V (typ.)
  • Sans halogène et conforme à RoHS, avec perles de soudure sans plomb


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Date de publication : 2013-07-02