Solutions EliteSiC d'onsemi

Développement d'une chaîne d'approvisionnement interne pour assurer l'approvisionnement des clients en dispositifs SiC afin de soutenir la croissance rapide de l'écosystème durable.

Les solutions EliteSiC d'onsemi répondent aux besoins d'applications exigeantes telles que les onduleurs solaires, les chargeurs de véhicules électriques et les alimentations secourues. Ces dispositifs constituent une gamme complète de diodes, de MOSFET, de modules et de circuits d'attaque de grille en carbure de silicium (SiC) à haut rendement énergétique.

Fonctionnalités

  • Qualité éprouvée/conception planaire robuste
    • Contrôle en cours de fabrication et tests de vieillissement
    • Recherche de défauts au cours de la fabrication
    • Tests d'avalanche à 100 % pour toutes les matrices
    • Aucune dérive des seuils ou des paramètres
    • Oxyde de grille à haute fiabilité
    • Qualification automobile AEC-Q100
  • Outils de conception de pointe
    • Modèles de simulation précis, physiques et évolutifs
    • Notes d'application et guides de conception
  • Fabrication entièrement intégrée
    • De la poudre aux produits
  • Qualité automobile ou industrielle pour toutes les valeurs et tous les boîtiers
  • Offre de dispositifs SiC de 3e génération
    • Optimisation pour un fonctionnement à hautes températures
      • Diodes, faible dépendance à la température de la résistance série
      • MOSFET, recouvrement inverse stable en fonction de la température
    • Capacités parasites améliorées pour les applications à haute fréquence et à haut rendement
    • Matrice de grande taille avec une faible résistance à l'état passant RDS(on) disponible
  • Large offre de modules intégrés de puissance (PIM) standard et personnalisés
  • Large portefeuille de tensions et de résistances RDS(on) disponible en boîtiers de 3 et 4 sorties

Ressources supplémentaires

Webinaire sur les dispositifs SiC avec Hunter Freberg

Diodes

Ces produits utilisent une toute nouvelle technologie qui offre des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité à la puce.

MOSFET

Ces produits sont conçus pour être rapides et robustes, et offrent des avantages allant d'un rendement élevé à une réduction de la taille et du coût du système.

IGBT

Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) qui offrent une fiabilité maximale dans les applications de conversion de puissance à hautes performances.

Diodes

Ces produits utilisent une toute nouvelle technologie qui offre des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité à la puce.

D1

Fonctionnalités :

  • Tensions de 650 V, 1200 V et 1700 V
  • Boîtiers D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, TO-247-3
  • Matrice de grande taille avec une faible résistance thermique (Rth)
  • Optimisation pour un courant de pointe direct non répétitif élevé (IFSM)
  • Applications d'étages d'entrée de redresseur de Vienne

D2

Fonctionnalités :

  • Tensions de 650 V
  • Boîtiers DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, TO-247-3
  • Faible charge capacitive (QC)
  • Optimisation pour une commutation à haute vitesse avec une faible tension directe
  • Applications de correction du facteur de puissance (PFC) et de redressement de sortie

D3

Fonctionnalités :

  • Tensions de 1200 V
  • Boîtiers TO-247-2LD, TO-247-3LD
  • Faible charge capacitive (QC) et tension directe (VF)
  • Optimisation pour un fonctionnement à haute température avec une faible dépendance à la température de la résistance série
  • Applications de correction du facteur de puissance (PFC) et de redressement de sortie à puissance plus élevée

MOSFET

Ces produits sont conçus pour être rapides et robustes, et offrent des avantages allant d'un rendement élevé à une réduction de la taille et du coût du système.

M1

Fonctionnalités :

  • Tensions de 1200 V et 1700 V
  • D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, boîtiers à matrices nues
  • Tension grille-source maximale +22 V/-10 V
  • Faible résistance RDS(on) et temps de tenue aux courts-circuits élevé (SCWT)
  • Équilibre entre les pertes de commutation et les pertes par conduction
  • Possibilité d'utilisation pour remplacer les IGBT de 1200 V

M2

Fonctionnalités :

  • Tensions de 650 V, 750 V et 1200 V
  • Boîtiers D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, TO-247-4LD
  • Tension grille-source maximale de +22 V/-8 V
  • Faible résistance RDS(on) et temps de tenue aux courts-circuits élevé (SCWT)
  • Optimisation pour une résistance RDS(on) la plus basse pour les applications à faible vitesse de commutation
  • Possibilité d'utilisation pour remplacer les SuperFET™

M3S

Fonctionnalités :

  • Optimisation pour les applications à haute fréquence de commutation avec des topologies à commutation dure
  • Environ 40 % de pertes totales de commutation (Etot) en moins par rapport à une solution M1 comparable de 1200 V, 20 mΩ
  • Applications solaires, chargeurs embarqués et bornes de recharge pour véhicules électriques
  • Pas de possibilité de court-circuit

M3P

Fonctionnalités :

  • Tensions de 1200 V
  • Boîtiers D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD
  • Tension grille-source maximale +22 V/-10 V
  • Capacités parasites améliorées (Coss, Ciss, Crss)
  • Optimisation pour un fonctionnement à haute température avec un recouvrement inverse stable en fonction de la température (M3S 1200 V 22 mΩ, charge de recouvrement inverse Qrr environ 46 % inférieure par rapport à 1200 V 20 mΩ)
  • Possibilité d'utilisation pour remplacer les IGBT de 1200 V

IGBT

Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) qui offrent une fiabilité maximale dans les applications de conversion de puissance hautes performances.

FS4

Fonctionnalités :

  • Température de jonction maximale TJ = 175°C
  • Coefficient de température positif pour un fonctionnement en parallèle aisé
  • Haute tenue en courant
  • VCE(Sat) = 1,6 V (typ.) à IC = jusqu'à 75 A de tension de saturation basse
  • Tests ILM effectués sur 100 % des pièces
  • Commutation rapide
  • Distribution stricte des paramètres
  • Aucun recouvrement inverse, aucun recouvrement direct
  • Qualification AEC−Q101 et compatibilité PPAP