Transistors RF série MRFX

La série MRFX de transistors RF de NXP est répertoriée à 1800 W (onde entretenue). Basés sur la technologie LDMOS 65 V développée dans le laboratoire interne de NXP, ces produits sont conçus pour des performances élevées et une grande simplicité d'utilisation. Le passage à une tension de drain de 65 V augmente l'impédance de sortie et garantit une tension de claquage plus élevée. La compatibilité immédiate des transistors 1250 W, 1500 W et 1800 W de NXP permet aux clients de créer des plateformes évolutives uniques pour plusieurs produits finaux. La technologie RF devenant de plus en plus omniprésente dans de nombreuses applications industrielles, NXP fournit aux ingénieurs de puissance RF les moyens de réduire la durée des cycles de conception.

NXP offre également le MRFX1K80N en boîtier plastique 1800 W. Ce boîtier permet une puissance de sortie RF supérieure et une résistance thermique 30 % inférieure. Il offre un brochage compatible avec le MRFX1K80H en céramique.

Disponibilité et support de développement

Le transistor MRFX1K80H en boîtier céramique à cavité d'air est actuellement en échantillonnage, avec une production attendue en août 2017. Les circuits de référence pour les applications de 27 MHz et 87,5 MHz à 108 MHz sont actuellement disponibles. Après la sortie du MRFX1K80H, NXP offrira une version en plastique surmoulée, le MRFX1K80N, permettant de réduire la résistance thermique de 30 % pour une fiabilité et une simplicité d'utilisation étendues.

Fonctionnalités

• Puissance supérieure - Une tension plus élevée permet une puissance de sortie supérieure, ce qui contribue à réduire le nombre de transistors à combiner, simplifiant la complexité des amplificateurs de puissance et réduisant leur taille.
• Délais de développement plus rapides - Avec une tension plus élevée, la puissance de sortie peut être augmentée tout en conservant une impédance de sortie raisonnable. Cela permet de simplifier l'adaptation à 50 Ω, en particulier dans les applications à large bande. L'adaptation plus rapide permet de considérablement accélérer les délais de développement.
• Réutilisation de conception - Cet avantage d'impédance garantit également une compatibilité broche-à-broche avec les transistors LDMOS 50 V actuels, ce qui permet aux concepteurs RF de réutiliser des conceptions de circuits imprimés existantes pour des délais de commercialisation encore plus rapides.
• Niveau de courant gérable - Une tension plus élevée permet de réduire le courant dans le système, limitant les contraintes sur les alimentations CC et réduisant le rayonnement magnétique.
• Vaste marge de sécurité - La technologie LDMOS 65 V de NXP présente une tension de claquage de 182 V, ce qui améliore la fiabilité et permet des architectures à plus haut rendement.