Diodes SiC 650 V

La diode Schottky en carbure de silicium (SiC) 650 V et 10 A de Nexperia est qualifiée pour l'automobile (PSC1065H-Q) et disponible en boîtier DPAK (TO-252-2) à deux broches (R2P). Elle est annoncée comme la meilleure de sa catégorie en termes de vieillissement, ce qui en fait un choix adapté à diverses applications dans les véhicules électriques et autres automobiles. De plus, dans le cadre d'une extension supplémentaire de son portefeuille de diodes SiC, Nexperia propose des dispositifs de qualité industrielle avec des courants nominaux de 6 A, 16 A et 20 A en boîtiers TO-220-2, TO-247-2 et D²PAK-2 afin de faciliter une plus grande flexibilité de conception. Ces diodes répondent aux défis des applications exigeantes à haute tension et à courant élevé, notamment les alimentations à découpage, les convertisseurs CA/CC et CC/CC, les infrastructures de charge de batterie, les entraînements de moteurs, les alimentations sans interruption et les onduleurs photovoltaïques pour la production d'énergie durable.