Micro Commercial Components (MCC)

MOSFET à canal P 100 V avec faible valeur RDS(on)

Les MOSFET à canal P de MCC offrent des performances supérieures dans les boîtiers DFN5060 et DPAK

Image des MOSFET à canal P 100 V à faible RDS(on) de MCC MCC Semi ajoute quatre composants à sa gamme avancée de MOSFET à canal P. Prenant en charge les applications de 100 V, depuis la protection de la batterie aux variateurs de moteur et aux commutateurs haut potentiel, les MCAC085P10, MCAC055P10, MCU055P10 et MCU085P10 sont conçus pour être fiables en environnements difficiles.

Avec une résistance à l'état passant maximale de 55 mΩ ou 85 mΩ, ces MOSFET améliorent le rendement global du système tout en réduisant la dissipation de puissance. Tirant parti de la technologie des tranchées et des performances thermiques supérieures, ces solutions polyvalentes offrent aux ingénieurs une densité de puissance élevée dans un boîtier compact DFN5060 ou DPAK.

Ces MOSFET à canal P sont un choix évident pour des performances inégalées et une gestion efficace de l'alimentation.

Fonctionnalités et avantages
  • Technologie de MOSFET en tranchées : amélioration de la tenue en courant et réduction de la résistance à l'état passant
  • Faible résistance à l'état passant : résistance RDS(on) maximale de 55 mΩ ou 85 mΩ minimisant la consommation d'énergie et augmentant le rendement
  • Faibles pertes par conduction : réduction de la production de chaleur tout en améliorant le fonctionnement global du système
  • Excellentes performances thermiques : protection du dispositif contre la surchauffe lors d'une utilisation dans des scénarios à haute température
  • Densité de puissance élevée : disponibilité en options de boîtier compact DFN5060 et DPAK
  • Rendement amélioré : résistance à l'état passant de seulement 55 mΩ ou 85 mΩ, associée à de faibles pertes par conduction ; MOSFET améliorant considérablement le rendement global
  • Conception peu encombrante : options de boîtier DFN5060 et DPAK offrant toutes deux une densité de puissance élevée, faisant de ces composants un choix parfait pour économiser un espace de conception précieux sur les circuits imprimés
  • Gestion thermique supérieure : excellentes performances thermiques garantissant un fonctionnement fiable dans des situations de température élevée, réduisant ainsi le risque de surchauffe et de défaillance du système
  • Polyvalence des applications : gamme de MOSFET avancés offrant une flexibilité de conception et de fonctionnalité pour diverses applications industrielles et grand public, avec une tension de claquage drain-source de 100 V
Applications
  • Gestion de l'alimentation
    • Protection des batteries
    • Convertisseurs CC/CC
  • Solutions d'éclairage
    • Commandes d'éclairage
  • Automatisation industrielle
    • Entraînements de moteur
    • Commutateurs haut potentiel

100 V P-Channel MOSFETs with Low RDS(on)

ImageRéférence fabricantDescriptionCourant - Drain continu (Id) à 25°CRds On (max.) à Id, VgsQuantité disponiblePrixAfficher les détails
P-CHANNEL MOSFET,DFN5060MCAC085P10-TPP-CHANNEL MOSFET,DFN506018 A (Tc)85mohms à 10A, 10V5000 - Immédiatement$0.90Afficher les détails
P-CHANNEL MOSFET,DPAKMCU085P10-TPP-CHANNEL MOSFET,DPAK20 A (Tc)85mohms à 10A, 10V4865 - Immédiatement$1.24Afficher les détails
MOSFET P-CH 100 25A DFN5060MCAC055P10-TPMOSFET P-CH 100 25A DFN506025 A (Tc)55mohms à 20A, 10V9954 - Immédiatement$1.65Afficher les détails
P-CHANNEL MOSFET,DPAKMCU055P10-TPP-CHANNEL MOSFET,DPAK28 A (Tc)55mohms à 20A, 10V2355 - Immédiatement$1.46Afficher les détails
Date de publication : 2025-03-19