Famille SPA® deMatrices de diodes TVSProtection hautes performances contre les décharges électrostatiques et les surtensions dues à la foudre pour interfaces E/S |
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Gamme SPA® de matrices de diodes TVS de Littelfuse®Les dispositifs de la gamme SPA de matrices de diodes TVS de Littelfuse sont conçus pour protéger les composants électroniques contre les tensions transitoires très rapides et souvent néfastes, comme la foudre et les décharges électrostatiques (DES). Ils offrent une solution de protection idéale pour les interfaces E/S analogiques et numériques pour les marchés grand public, industriels, médicaux, informatiques, des télécommunications, etc. Une décharge électrostatique (DES) est un transitoire électrique qui représente un risque sérieux pour les circuits électroniques. Les DES sont causées le plus souvent par une friction entre deux matériaux dissemblables qui entraîne une accumulation de charges électriques à leur surface. Généralement, une de ces surfaces est le corps humain, et il n'est pas rare que la charge statique atteigne un potentiel de 15 000 volts. À 6000 volts, une décharge électrostatique est douloureuse pour une personne. Les décharges présentant des tensions plus basses peuvent passer inaperçues, mais peuvent néanmoins causer des dommages catastrophiques aux composants électroniques et aux circuits. Ces diodes robustes peuvent absorber des décharges électrostatiques répétitives au niveau maximal (niveau 4) spécifié dans la norme internationale CEI 61000-4-2 sans dégradation des performances.
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| Tension | Courant | Temps de montée | Durée | |
|---|---|---|---|---|
| Foudre | 25 kV | 20 kA | 10 μs | 1 ms |
| Commutation | 600 V | 500 A | 50 μs | 500 ms |
| EMP | 1 kV | 10 A | 20 ns | 1 ms |
| DES | 15 kV | 30 A | <1 ns | 100 ns |
Pourquoi les tensions transitoires sont-elles de plus en plus préoccupantes ?
La miniaturisation des composants a augmenté leur sensibilité aux contraintes électriques. Par exemple, les microprocesseurs ont des structures et des chemins conducteurs incapables de supporter les courants élevés des transitoires DES. Comme ces composants fonctionnent à des tensions très basses, les perturbations de tension doivent être contrôlées pour prévenir l'arrêt du dispositif et les défaillances latentes ou catastrophiques.
| Type de dispositif | Vulnérabilité (volts) |
|---|---|
| VMOS | 38-1800 |
| MOSFET | 100-200 |
| GaAsFET | 100-300 |
| EPROM | 100 |
| JFET | 140-7000 |
| CMOS | 250-3000 |
| Diodes Schottky | 300-2500 |
| Transistors bipolaires | 380-7000 |
| SCR | 680-1000 |
Les microprocesseurs sensibles prévalent aujourd'hui dans de nombreux dispositifs. Tous les dispositifs, des appareils ménagers, comme les lave-vaisselle, aux commandes industrielles en passant par les jouets, utilisent des microprocesseurs pour améliorer les fonctionnalités et le rendement.
La plupart des véhicules incluent maintenant plusieurs systèmes électroniques pour contrôler le moteur, la température, les freins et, dans certains cas, la direction, la traction et les systèmes de sécurité.
De nombreux sous-composants et composants de support (comme les moteurs ou accessoires électriques) dans les appareils et les voitures représentent des menaces transitoires pour l'ensemble du système.
Une conception soigneuse du circuit doit prendre en compte non seulement les scénarios environnementaux, mais également les effets potentiels des composants associés. Le tableau 2 ci-dessous présente la vulnérabilité des différentes technologies de composants.
| Nom de la série | Schéma (exemple) | Niveau DES (contact) | Capacité E/S | vRWM | Foudre (tP=8/20 µs) | Nombre de canaux | Options de boîtier |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Protection DES à usage général Protections pour interfaces humaines (claviers, boutons, commutateurs, ports audio, etc.) |
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| Nouveau SP1043 |
![]() |
±12 kV | 8 pF | 6 V | 1 A | 1 | 01005 Flipchip |
| Nouveau SP3145 |
±20 kV | 0,35 pF | 3,3 V | 1 A | 1 | 01005 Flipchip |
|
| SP1003 | ±25 kV | 30 pF (17 pF à 2,5 V) | 5 V | 7 A | 1 | SOD882 | |
| SOD723 | |||||||
| Nouveau SP1044 |
±30 kV | 30 pF | 6 V | 3 A | 1 | 01005 Flipchip |
|
| SP1006 | ±30 kV | 25 pF (15 pF à 2,5 V) | 6 V | 5 A | 1 | μDFN-2 | |
| Série SPHV* | ±30 kV | 25-60 pF | 12-36 V | 8 A | 1 | SOD882 | |
| Série SD | ±30 kV | 50-350 pF | 5-36 V | 30 A | 1 | SOD323 | |
| SP1007 | ![]() |
±8 kV | 5 pF (3,5 pF à 5 V) | 6 V | 2 A | 1 |
0201 |
| Flipchip | |||||||
| SP1002 | ±8 kV | 6 pF (5 pF à 2,5 V) | 6 V | 2 A | 1 | SC70-3 | |
| 2 | SC70-5 | ||||||
| Nouveau SP24-01WTG-C-HV |
±10 kV | 10 pF | 36 V | 1,5 A | 1 | Flipchip | |
| SP1014 | ±12 kV | 6 pF | 5 V | 2 A | 1 | Flipchip | |
|
SP1021 |
±12 kV | 6 pF | 6 V | 2 A | 1 | 01005 Flipchip | |
| SP1008 | ±15 kV | 9 pF (6 pF à 5 V) | 6 V | 2,5 A | 1 | 0201 | |
| Flipchip | |||||||
| Nouveau SP24-01WTG-C-HV |
±18 kV | 13 pF | 24 V | 3 A | 1 | Flipchip | |
| SM24CANA* | ±24 kV | 11 pF | 24 V | 3 A | 2 | SOT23-3 | |
| Nouveau SP1026 |
±30 kV | 15 pF | 6 V | 5 A | 1 | μDFN-2 (0201) | |
| SP1020 | ±30 kV | 20 pF | 6 V | 5 A | 1 | 01005 Flipchip | |
| Nouveau SP15-01WTG-C-HV |
±30 kV | 21 pF | 15 V | 5 A | 1 | Flipchip | |
| Nouveau SP12-01WTG-C-HV |
±30 kV | 26 pF | 12 V | 8 A | 1 | Flipchip | |
| SP1013 | ±30 kV | 30 pF | 5 V | 8 A | 1 | Flipchip | |
| SP1005 | ±30 kV | 30 pF (23 pF à 2,5 V) | 6 V | 10 A | 1 | 0201 | |
| SM24CANB* | ±30 kV | 30 pF | 24 V | 10 A | 2 | SOT23-3 | |
| SM712* | ±30 kV | 75 pF | -7 V à +12 V | 19 A | 2 | SOT23-3 | |
| Série SM* | ±30 kV | 400 pF | 5 à 36 V | 24 A | 2 | SOT23-3 | |
| Série SD-C | ±30 kV | 200 pF | 5-36 V | 30 A | 1 | SOD323 | |
| SP1004 |
(4 canaux affichés) |
±8 kV | 6 pF (5 pF à 1,5 V) | 6 V | 2 A | 4 | SOT953 |
| SP1012 | ±15 kV | 6,5 pF | 5 V | 3 A | 5 | Flipchip | |
| SP1001 | ±15 kV | 12 pF (8 pF à 2,5 V) | 5,5 V | 2 A | 2 | SC70-3 | |
| SOT553 | |||||||
| 4 | SC70-5 | ||||||
| SOT553 | |||||||
| 5 | SC70-6 | ||||||
| SOT563 | |||||||
| SOT963 | |||||||
| SP1011 | ±15 kV | 12 pF (7 pF à 2,5 V) | 6 V | 2 A | 4 | μDFN-6 1,25 x 1,0 mm |
|
| SP050xBA | ±30 kV | 50 pF (30 pF à 2,5 V) | 5,5 V | N/A | 2 | SOT23-3 | |
| SC70-3 | |||||||
| 3 | SOT143 | ||||||
| 4 | SOT23-5 | ||||||
| SC70-5 | |||||||
| 5 | SOT23-6 | ||||||
| SC70-6 | |||||||
| 6 | MSOP-8 | ||||||
| SP1015 |
|
±20 kV | 5 pF | 5 V | 2 A | 4 | 0,95 X 0,55 MM Flipchip |
| Nom de la série | Schéma (exemple) | Niveau DES (contact) | Capacité E/S | vRWM | Foudre (tP=8/20 µs) | Nombre de canaux | Options de boîtier |
| Protection DES à usage général (matrices de diodes SCR) | |||||||
| SP721 | ![]() |
±4 kV | 3 pF | 30 V ou (±15 V) | 3 A | 6 | SOIC-8 |
| PDIP-8 | |||||||
| SP720 | ±4 kV | 3 pF | 30 V ou (±15 V) | 3 A | 14 | SOIC-16 | |
| PDIP-16 | |||||||
| SP724 | ±8 kV | 3 pF | 20 V ou (±10 V) | 3 A | 4 | SOT23-6 | |
| SP723 | ±8 kV | 5 pF | 30 V ou (±15 V) | 7 A | 6 | SOIC-8 | |
| PDIP-8 | |||||||
| SP725 | ±8 kV | 5 pF | 30 V ou (±15 V) | 14 A | 4 | SOIC-8 | |
| Nom de la série | Schéma (exemple) | Niveau DES (contact) | Capacité E/S | vRWM | Foudre (tP=8/20 µs) | Nombre de canaux | Options de boîtier |
| Protection DES basse capacité Protection pour les lignes de données (USB, HDMI, eSata, etc.) |
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| SESD |
|
±20 kV | 0,25 pF | 7 V | 2 A | 1 | 0201 DFN* |
| 0402 DFN* | |||||||
| ±22 kV | 0,30 pF | 7 V | 2,5 A | 1 | 0402 DFN | ||
| SP3021 | ![]() |
±8 kV | 0,50 pF | 5 V | 2 A | 1 | SOD882 |
| Nouveau SP3118 |
±10 kV | 0,30 pF | 18 V | 2 A | 1 | 0201 Flipchip | |
| SOD882 | |||||||
| Nouveau SP3130 |
±10 kV | 0,30 pF | 28 V | 2 A | 1 | 0201 Flipchip | |
| SOD882 | |||||||
| SP3031 | ±10 kV | 0,80 pF | 5 V | 2 A | 1 | SOD882 | |
| SP3022 | ±20 kV | 0,35 pF | 5,3 V | 3 A | 1 | 0201 Flipchip | |
| SOD882* | |||||||
| SESD | ±20 kV | 0,13 pF | ±7 V | 2 A | 1 | 0201 DFN* | |
| 0402 DFN* | |||||||
| ±22 kV | 0,15 pF | 7 V | 2,5 A | 1 | 0402 DFN | ||
| SP0502B* |
(4 canaux affichés) |
±15 kV | 1 pF | 5 V | 2 A | 2 | SOT523 |
| SESD | ±20 kV | 0,20 pF | 7 V | 2 A | 2 | 0402 DFN | |
| 4 | 0802 DFN | ||||||
| 4 | 1004 DFN* | ||||||
| 6 | 1103 DFN | ||||||
| ±22 kV | 0,30 pF | 7 V | 2,2 A | 2 | 0402 DFN | ||
| 4 | 1004 DFn | ||||||
| SP1255* |
|
±12 kV | 0,50 pF (1300 pF broche 1) |
4 V (12 V broche 1) |
4 A (100 A broche 1) |
3 | μDFN-6 |
| SP3001 | ![]() |
±8 kV | 0,65 pF | 6 V | 2,5 A | 4 | SC70-6 |
| SP3003 | ±8 kV | 0,65 pF | 6 V | 2,5 A | 2 | SC70-5 | |
| SOT553 | |||||||
| μDFN-61,6 x 1,0 mm | |||||||
| 4 | SC70-6 | ||||||
| SOT563 | |||||||
| 8 | MSOP-10 | ||||||
| SP3004 | ±12 kV | 0,85 pF | 6 V | 4 A | 4 | SOT563 | |
| SP0504SHTG | ±12 kV | 0,85 pF | 6 V | 4,5 A | 4 | SOT23-6 | |
| SP3002 | ±12 kV | 0,85 pF | 6 V | 4,5 A | 4 | SC70-6 | |
| SOT23-6 | |||||||
| μDFN-61,6 x 1,6 mm | |||||||
| SP3014 | ±15 kV | 1,0 pF | 5 V | 8 A | 2 | μDFN-6L 1,65 x 1,05 mm | |
| Nouveau SP8142-04UTG |
±22 kV | 1,0 pF | 5 V | 2,5 A | 4 | μDFN-10 2,5 x 1,35 mm | |
| SP0524PTUG | ![]() |
±12 kV | 0,50 pF | 5 V | 4 A | 4 | μDFN-10 2,5 x 1,0 mm |
| Nouveau SP0544TUTG | |||||||
| SP3012-4 | |||||||
| Nouveau SP8143-06UTG |
±22 kV | 1,0 pF | 5 V | 2,5 A | 6 | μDFN-16 | |
| SP3010 | ![]() |
±8 kV | 0,45 pF | 6 V | 3 A | 4 | μDFN-10 2,5 x 1,0 mm |
| SP3011 | ![]() |
±8 kV | 0,40 pF | 6 V | 3 A | 6 | μDFN-14 3,5 x 1,35 mm |
| SP3012-6 | ![]() |
±12 kV | 0,50 pF | 5 V | 4 A | 6 | μDFN-14 3,5 x 1,35 mm |
| Nouveau SP7538PUTG |
![]() |
±12 kV | 0,50 pF | 5 V | 4 A | 8 | μDFN-9 |
| Nom de la série | Schéma (exemple) | Niveau DES (contact) | Capacité E/S | vRWM | Foudre (tP=8/20 µs) | Nombre de canaux | Options de boîtier |
| Protection contre la foudre Protection pour les données large bande et les lignes de communication (Ethernet, xDSL, etc.) |
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| Nouveau SP1555 |
![]() |
±30 kV | 800 pF | 15 V | 120 A | 1 | μDFN-6 1,8 x 2,0 mm |
| Nouveau SP1255-01UTG* |
±30 kV | 1300 - 2500 pF | 13,5 V | 160 A | 1 | μDFN-6 1,8 x 2,0 mm | |
| SP3312* | ![]() |
±30 kV | 1,3 pF | 3,3 V | 15 A | 4 | μDFN-8 |
| SP4022* |
Unidirectionnel |
±30 kV | 1,3 pF | 12 V | 15 A | 1 | SOD323 |
| SP4023* | ±30 kV | 1,3 pF | 15 V | 12 A | 1 | SOD323 | |
| SP4024* | ±30 kV | 1,3 pF | 24 V | 7 A | 1 | SOD323 | |
| SP4022-C* |
Bidirectionnel |
±30 kV | 1,3 pF | 12 V | 15 A | 1 | SOD323 |
| SP4023-C* | ±30 kV | 1,3 pF | 15 V | 12 A | 1 | SOD323 | |
| SP4024-C* | ±30 kV | 1,3 pF | 24 V | 7 A | 1 | SOD323 | |
| SLVU2.8 | ![]() |
±30 kV | 2 pF | 2,8 V | 40 A | 1 | SOT23-3 |
| SLVU2.8 | |||||||
| SLVU2.8-8 | ![]() |
±30 kV | 2,6 pF | 2,8 V | 30 A | 8 | SOIC-8 |
| SP2502LBTG | ![]() |
±30 kV | 5 pF | 2,5 V | 75 A | 2 | SOIC-8 |
| SP4040 | |||||||
| SR05 | ±30 kV | 8 pF | 5 V | 25 A | 2 | SOT-143 | |
| LC03-3.3 | ±30 kV | 9 pF | 3,3 V | 150 A | 2 | SOIC-8 | |
| Nouveau SP4042 |
±30 kV | 11 pF | 3,3 V | 95 A | 2 | μDFN-10 (2,6x2,6 mm) | |
| SP03-3.3 | ±30 kV | 16 pF | 3,3 V | 150 A | 2 | SOIC-8 | |
| SP03-6 | ±30 kV | 16 pF | 6 V | 150 A | 2 | SOIC-8 | |
| SP4044* |
|
±30 kV | 1,5 pF | 2,8 V | 24 A | 4 | MSOP-10 |
| SP4045* | 3,3 V | ||||||
| SLVU2.8-4 | ![]() |
±30 kV | 2 pF | 2,8 V | 40 A | 4 | SOIC-8 |
| SRV05-4 | ![]() |
±20 kV | 2,4 pF | 6 V | 10 A | 4 | SOT23-6 |
| SP3050 | |||||||
| SP2504NUTG | ![]() |
±30 kV | 3,5 pF | 2,5 V | 20 A | 4 | μDFN-10 (2,6 x 2,6) |
| SP4061 | |||||||
| SP3304NUTG | ±30 kV | 3,5 pF | 3,3 V | 20 A | 4 | μDFN-10 (2,6 x 2,6) | |
| SP4062 | |||||||
| SP2574NUTG | ![]() |
±30 kV | 5,0 pF | 2,5 V | 40 A | 4 | μDFN-10 (3,0 x 2,0 mm) |
| SRDA05 | ![]() |
±30 kV | 8 pF | 5 V | 30 A | 4 | SOIC-8 |
| SP4060 | ![]() |
±30 kV | 4,4 pF | 2,5 V | 20 A | 8 | MSOP10 |
| SP4065 | 3,3 V | ||||||
| Nom de la série | Schéma (exemple) | Niveau DES (contact) | Capacité E/S | vRWM | Atténuation de filtre EMI | Nombre de canaux | Options de boîtier |
| Dispositifs de filtre DES et EMI - Protection pour les interfaces d'affichage de dispositifs mobiles (téléphones portables, appareils de navigation, etc.) |
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| SP5001 |
(4 canaux affichés) |
±15 kV | 1,3 pF | 5 V | 30 dB à 800 MHz | 4 | TDFN-10 2,5 X 2,0 mm |
| SP5002 | ±15 kV | 1,3 pF | 5 V | 30 dB à 800 MHz | 6 | TDFN-16 4,0 X 2,0 mm | |
| SP5003 | ±15 kV | 1,3 pF | 5 V | 16 dB à 900 MHz | 4 | TDFN-10 2,5 X 2,0 mm | |
| SP6001 |
(4 canaux affichés) |
±30 kV | 24 pF (CDIODE=12 pF) | 6 V | ≥ -30 dB à 1 GHz | 4 |
μDFN-8 1,7 x 1,35 mm |
| 6 |
μDFN-12 2,5 x 1,35 mm |
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| 8 |
μDFN-16 3,3 x 1,35 mm |
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| SP6002 | ±30 kV | 30 pF (CDIODE=15 pF) | 6 V | ≥ -30 dB à 1 GHz | 4 |
μDFN-8 1,7 x 1,35 mm |
|
| 6 |
μDFN-12 2,5 x 1,35 mm |
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Remarque : * composant qualifié automobile AEC-Q
Pour consulter une fiche technique, cliquez ici pour accéder à la recherche de pièce et choisir la série appropriée.
Catalogue de matrices de diodes TVS (gamme SPA®)
Les dispositifs SPA de Littelfuse sont conçus pour protéger les composants électroniques contre les surtensions transitoires rapides et néfastes comme la foudre et les décharges électrostatiques (DES). Ils fournissent une solution de protection idéale pour les interfaces E/S et les lignes de signaux analogiques et numériques, dans les marchés informatiques et électroniques portables grand public.
Les dispositifs SPA de Littelfuse sont disponibles dans une gamme de configurations de boîtier, notamment DIP, SOIC, MSOP, SOT23, SOT143, SC70, SOT5x3, SOT953, μDFN, SOD723 et flipchip. Afficher le catalogue.
Guide de sélection des matrices de diodes TVS AEC-Q101
Ce guide de sélection cible les applications automobiles et les produits répondant aux qualifications pour les catégories de produit des matrices de diodes TVS et des diodes TVS.
Les matrices de diodes TVS (suppression de tension transitoire) séries SP4044 et SP4045 de Littelfuse offrent aux concepteurs de circuits des solutions contre les surtensions pour les interfaces 10GbE ou 1GbE dans des boîtiers CMS (conception à montage en surface) compacts MSOP-10. Ces composants associent les avantages d'une faible charge de capacité à l'état bloqué et d'une faible résistance dynamique avec des caractéristiques de surtension robustes.
Les concepteurs de dispositifs électroniques modernes exigent plus de fonctionnalités avec une plus grande flexibilité et des niveaux supérieurs d'interaction utilisateur. Ces circonstances ont contribué au développement de jeux de puces nanométriques et de nombreux ports et interfaces utilisateurs. La conjonction de ces deux facteurs a rendu les dispositifs électroniques plus sensibles aux décharges électrostatiques et a nécessité une solution plus robuste. Afficher le guide.
Note d'application : sélectionner un dispositif DES approprié
Les concepteurs de carte modernes font face à de nombreux choix pour la protection DES. Le concepteur est souvent contraint par certaines limites, comme la capacité parasite que son application peut supporter ou le niveau DES que la carte doit supporter sans défaillance. Le plus souvent, les contraintes ne limitent pas le nombre de dispositifs DES disponibles à une liste qu'il est possible de gérer. Ce livre blanc donne des conseils aux concepteurs pour les aider à choisir un dispositif DES affichant les meilleures chances de réussite. Afficher la note d'application.
Note d'application : conseils pour améliorer la protection DES
Ce livre blanc étudie plusieurs techniques qu'un concepteur de carte peut utiliser pour atteindre le niveau DES requis pour une conception si les dispositifs de protection DES échouent aux tests DES en système. Afficher la note d'application.
Note d'application : protection de circuit DES de port USB 3.0
Cet article explique les problèmes en détail et présente un diagramme des résultats des tests USB 3.0 afin de démontrer pourquoi un ensemble de protection de puces correct constitue la meilleure technologie pour protéger les applications USB 3.0 contre les décharges électrostatiques. Afficher la note d'application.
Note d'application : protection du port Ethernet contre la foudre, les DES et les EFT
Comprendre la nature et la « directionnalité » des événements cités ci-dessus guidera le concepteur vers la meilleure protection pour un port Ethernet et, plus important, lui indiquera comment les connexions de broches du dispositif ont un impact sur les performances du système. Afficher la note d'application.


Protection hautes performances contre la tension transitoire avec des dispositifs qui respectent les dernières exigences de bande passante élevée




























