IGBT GenX3SC™ 600 V

L'émergence récente et la commercialisation de la technologie au carbure de silicium (SiC) dans l'industrie des semi-conducteurs de puissance ont mis en lumière les avancées de performances considérables en matière de développement de composants de puissance discrets haute température à faible perte. IXYS/Littelfuse a combiné la dernière technologie de diode au carbure de silicium avec sa plateforme IGBT GenX3™ avancée, permettant à des applications critiques telles que les alimentations à découpage, les commandes moteur, les circuits de correction du facteur de puissance et les onduleurs solaires et pour éoliennes, d'atteindre des niveaux inégalés en termes de performances et de rendement énergétique. Cette intégration permet d'obtenir une réduction significative des pertes dynamiques à la fois dans le transistor IGBT et dans la diode, donnant lieu à des améliorations de performances importantes au niveau système.