SDRAM DDR2 industrielle et de test étendu

Le NDB16P est une mémoire DRAM synchrone DDR2 CMOS haute vitesse, contrôlée avec le flux de test étendu propriétaire d'Insignis pour atténuer les défaillances précoces, garantissant une qualité supérieure et une fiabilité à long terme pour une utilisation industrielle. Ces dispositifs sont conçus pour être conformes aux fonctionnalités DDR2 DRAM clés notamment : CAS# affiché avec latence additive, latence d'écriture = latence de lecture -1, et terminaison sur puce (ODT).

Toutes les entrées d'adresse et de contrôle sont synchronisées avec une paire d'horloges fournies en externe. Les entrées sont verrouillées au point de croisement des horloges différentielles (CK montant et CK# descendant). Toutes les E/S sont synchronisées avec une paire de signaux stroboscopiques bidirectionnels (DQS et DQS#) d'une manière synchrone source.

L'exploitation des banques de mémoire entrelacées permet d'effectuer des opérations d'accès aléatoire à un taux plus élevé que celui qui est possible avec les DRAM standard. Une fonction de préchargement automatique peut être activée pour lancer un préchargement de rangées autocadencé à la fin d’une séquence de rafales. Un débit de données séquentiel et sans discontinuité est possible en fonction de la longueur de la rafale, de la latence CAS et du grade de vitesse du dispositif.