Dispositifs de mémoire PERSYST xSPI MRAM série SC

Les dispositifs de mémoire PERSYST xSPI MRAM série SC d'Everspin Technologies offrent une alternative moderne et hautement fiable aux technologies de mémoire héritées telles que FRAM, SRAM et nvSRAM. Construits sur la technologie exclusive STT-MRAM (Everspin Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory), ces dispositifs offrent une véritable non-volatilité instantanée, des temps d'accès rapides et une endurance de lecture et d'écriture essentiellement illimitée, le tout sans avoir besoin de piles, de nivellement d'usure, ni de cycles de rafraîchissement.

La série SC comprend les pièces EM004LXQBDH10ISCR, EM004LXQBB310ISCR, EM008LXQBDH10ISCR, EM008LXQBB310ISCR, EM016LXQBDH10ISCR et EM016LXQBB310ISCR couvrant des densités de 4 Mb, 8 Mb et 16 Mb. La gamme SC plus large comprend également des options de 32 Mo, 64 Mo et 128 Mo, offrant ainsi une capacité évolutive pour les applications plus gourmandes en données. Ces dispositifs sont conçus comme des remplacements directs pour les mémoires sur support héritées, permettant des mises à niveau transparentes tout en améliorant les performances et la fiabilité du système.

Contrairement aux technologies de mémoire traditionnelles, la MRAM associe la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité du Flash, offrant une endurance d'écriture pratiquement illimitée et une conservation instantanée des données. Cela fait de la série SC un choix parfait pour les applications où l'intégrité des données, le fonctionnement basse consommation et la fiabilité à long terme sont essentiels.

Outre ses avantages matériels, la série SC simplifie également l'intégration logicielle. L'endurance inhérente de la MRAM signifie qu'il n'est pas nécessaire de surveiller le niveau d'usure, et que les dispositifs ne nécessitent pas d'états d'attente d'écriture ; cela rationalise le développement des pilotes et réduit la complexité du système.