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uP1966E : circuit d'attaque de grille en demi-pont de 80 V pour FET GaN
EPC et uPI Semiconductor s'associent pour proposer des solutions GaN avec uP1966 pour une mise sur le marché rentable et rapide des conceptions à base de GaN
Le dispositif uP1966E, commercialisé par EPC, est conçu pour piloter les FET GaN haut potentiel et bas potentiel dans des topologies en demi-pont, fonctionnant à plusieurs MHz sur les deux canaux. Ces performances à haute vitesse garantissent un fonctionnement efficace et fiable, ce qui le rend idéal pour les applications nécessitant une commutation rapide.
Fonctionnalités
- Résistance d'excursion basse / d'excursion haute de 0,4 Ω/0,7 Ω
- Temps de propagation rapides (20 ns standard)
- Temps de montée et de descente rapides (8 ns/4 ns, typ.)
- Sortie réglable pour la capacité de mise en marche et d'arrêt
- Logique d'entrée compatible CMOS (indépendante de la tension d'alimentation)
- Verrouillage en cas de sous-tension pour l'entrée d'alimentation
Applications
- Convertisseurs CC/CC
- Data centers
- Serveurs IA
- Redressement synchrone pour applications CC/CC et CA/CC
- Convertisseurs de point de charge
- Audio classe D
- Éclairage LED
uP1966E 80 V Half Bridge Gate Driver for GaN FETs
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | UP1966E | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP | 220530 - Immédiatement | $1.97 | Afficher les détails |
Date de publication : 2024-10-08
France