FET GaN 50 V et 8,5 mΩ EPC2057

Le transistor d'EPC a une résistance à l'état passant ultrafaible de 8,5 mΩ qui réduit considérablement les pertes de puissance et améliore le rendement global

Image du FET GaN de 50 V et 8,5 mΩ EPC2057 d'EPCLe transistor à effet de champ (FET) GaN à courant pulsé de 50 V et 66 A EPC2057 d'EPC est spécialement conçu pour répondre aux besoins changeants des dispositifs USB-C® haute puissance, y compris ceux utilisés dans l'électronique grand public, la recharge automobile et l'eMobilité. Le transistor présente une résistance à l'état passant ultrafaible de 8,5 mΩ, réduisant considérablement les pertes de puissance et améliorant le rendement global. Son empreinte réduite en fait un choix parfait pour les applications limitées en espace, et permet d'utiliser des adaptateurs secteur et des chargeurs plus petits et plus efficaces.

Fonctionnalités
  • Haut rendement
    • Résistance à l'état passant ultrafaible de 8,5 mΩ réduisant considérablement les pertes de puissance et améliorant le rendement global
  • Conception compacte
    • Empreinte minuscule en faisant un choix parfait pour les applications limitées en espace, permettant des adaptateurs secteur et des chargeurs plus petits et plus efficaces
  • Commutation rapide
    • Technologie GaN permettant des vitesses de commutation plus rapides, améliorant la densité de puissance et réduisant la taille des composants passifs, conduisant à des conceptions plus compactes et plus légères
  • ID : 9,6 A
  • VDS : 50 V
  • RDS(ON) : 8,5 mΩ max.
Applications
  • Convertisseurs CC/CC
  • Data centers
  • Serveurs IA
  • Chargeurs de batterie USB-C
  • Éclairage LED
  • Entraînements moteurs d'entrée 12 V à 24 V

EPC2057 50 V, 8.5 mΩ GaN FET

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TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGAEPC2057TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA0 - Immédiatement$1.95Afficher les détails

Demo Board

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BD EVAL HALF-BRIDGE 40V EPC2057EPC90155BD EVAL HALF-BRIDGE 40V EPC205735 - Immédiatement$170.11Afficher les détails
Date de publication : 2024-07-01