Matrices de FET, MOSFET

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Technologies	Configuration	Fonction FET	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Puissance - Max.	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur
2N7002BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	42 832 En stock	1 : 0,25000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04830 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	300mA (Ta)	1,6ohms à 500mA, 10V	2,1V à 250µA	0,6nC à 4,5V	50pF à 10V	295mW	150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NTJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	197 543 En stock	1 : 0,25000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04916 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	295mA	1,6ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,9nC à 4,5V	26pF à 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	58 392 En stock	1 : 0,28000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05804 € Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	300mA	3ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,6nC à 10V	20pF à 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
BSS84AKS,115 MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	26 750 En stock	1 : 0,28000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05897 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	50V	160mA	7,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0,35nC à 5V	36pF à 25V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
2N7002HSX MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	15 524 En stock	1 : 0,28000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05762 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	-	2 canaux N (double)	-	60V	320mA (Ta)	1,6ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,5nC à 4,5V	34pF à 10V	420mW	-55°C ~ 150°C (TA)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
BSS138PS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	2 547 En stock	1 : 0,28000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05455 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	320mA	1,6ohms à 300mA, 10V	1,5V à 250µA	0,8nC à 4,5V	50pF à 10V	420mW	150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	49 075 En stock	1 : 0,30000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,05913 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique, attaque 1,5V	20V	800mA (Ta)	235mohms à 800mA, 4,5V, 390mohms à 800mA, 4,5V	1V à 1mA	1nC à 10V	55pF à 10V, 100pF à 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	ES6
NX3008NBKS,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	524 428 En stock	1 : 0,31000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06698 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	30V	350mA	1,4ohms à 350m A, 4,5V	1,1V à 250µA	0,68nC à 4,5V	50pF à 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NX3008CBKS,115 MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	75 777 En stock	1 : 0,32000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06766 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	30V	350mA, 200mA	1,4ohms à 350m A, 4,5V	1,1V à 250µA	0,68nC à 4,5V	50pF à 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NTZD3152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 onsemi	5 964 En stock	1 : 0,32000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,06185 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	-	20V	430mA	900mohms à 430mA, 4,5V	1V à 250µA	2,5nC à 4,5V	175pF à 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	0 En stock 681 338 Marketplace Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 0,33000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,06393 € Bande et bobine 3 566 : 0,06799 € En vrac	-	Bande et bobine Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® En vrac	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	20V	540mA	550mohms à 540mA, 4,5V	1V à 250µA	2,5nC à 4,5V	150pF à 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563
BSD223PH6327XTSA1 MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Infineon Technologies	92 487 En stock	1 : 0,33000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07127 € Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	20V	390mA	1,2ohms à 390mA, 4,5V	1,2V à 1,5µA	0,62nC à 4,5V	56pF à 15V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-6-1
SSM6L36FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	1 295 En stock	1 : 0,34000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,06895 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	20V	500mA, 330mA	630mohms à 200mA, 5V	1V à 1mA	1,23nC à 4V	46pF à 10V	150mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	ES6
BSS84AKV,115 MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666 Nexperia USA Inc.	23 500 En stock	1 : 0,35000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,07088 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	50V	170mA	7,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0,35nC à 5V	36pF à 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-666
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	563 850 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07907 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 1,2V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	1V à 1mA	-	25pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMC2700UDM-7 MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26 Diodes Incorporated	917 194 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07508 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	20V	1,34 A, 1,14 A	400mohms à 600mA, 4,5V	1V à 250µA	0,74nC à 4,5V	60,67pF à 16V	1,12W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6	SOT-26
NX3020NAKV,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 Nexperia USA Inc.	233 618 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,07823 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	30V	200mA	4,5ohms à 100mA, 10V	1,5V à 250µA	0,44nC à 4,5V	13pF à 10V	375mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-666
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	155 282 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08047 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 0,9V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	26pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	86 913 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 8 000 : 0,07004 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 0,9V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	26pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	EMT6
NTJD1155LT1G MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88 onsemi	86 343 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07626 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	-	8V	1,3A	175mohms à 1,2A, 4,5V	1V à 250µA	-	-	400mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NTJD4152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88 onsemi	28 786 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07469 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	20V	880mA	260mohms à 880mA, 4,5V	1,2V à 250µA	2,2nC à 4,5V	155pF à 20V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NVJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	15 094 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07521 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	60V	295mA	1,6ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,9nC à 4,5V	26pF à 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
BSD235NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 Infineon Technologies	5 735 En stock	1 : 0,38000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08229 € Bande et bobine	OptiMOS™ 2	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	950mA	350mohms à 950mA, 4,5V	1,2V à 1,6µA	0,32nC à 4,5V	63pF à 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	53 084 En stock	1 : 0,39000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07885 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	30V	250mA	1,5ohms à 10mA, 4V	1,5V à 100µA	1,3nC à 5V	33pF à 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NX3008CBKV,115 MOSFET N/P-CH 30V 0.4A SOT666 Nexperia USA Inc.	2 418 En stock	1 : 0,39000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,08078 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	30V	400mA, 220mA	1,4ohms à 350m A, 4,5V	1,1V à 250µA	0,68nC à 4,5V	50pF à 15V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-666

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Les transistors à effet de champ (FET) sont des dispositifs électroniques utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant. L'application d'une tension à la borne de grille modifie la conductivité entre les bornes de drain et de source. Les FET sont également appelés transistors unipolaires puisque leur fonctionnement inclut un seul type de porteur. Autrement dit, les FET utilisent des électrons ou des trous comme porteurs de charge dans leur fonctionnement, mais pas les deux. Les transistors à effet de champ affichent généralement une très haute impédance d'entrée à basses fréquences.

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