Index des produits > Circuits intégrés (CI) > Durée de conservation

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Conditionnement Série Statut de la pièce Configuration Type de canal Nombre de circuits d'attaque Type de grille Alimentation en tension Tension logique - VIL, VIH Courant - Sortie de crête (source, réception) Type d’entrée Côté haut potentiel - max (amorce) Temps de montée / descente (typ.) Température d’utilisation Type de montage Boîtier Boîtier fournisseur
   
LMG1205YFXR Datasheet LMG1205YFXR - Texas Instruments 296-48589-2-ND IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA 3 000 - Immédiatement
9 000 - Stock usine ?
Disponible: 3 000
1,52568 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V
-
1,2 A, 5 A TTL 100V 7ns, 3,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 12-WFBGA, DSBGA 12-DSBGA
LMG1205YFXR Datasheet LMG1205YFXR - Texas Instruments 296-48589-1-ND IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA 4 118 - Immédiatement
10 001 - Stock usine ?
Disponible: 4 118
3,13000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V 1,76V, 1,89V 1,2 A, 5 A TTL 100V 7ns, 3,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 12-WFBGA, DSBGA 12-DSBGA (1,88x1,73)
LMG1205YFXR Datasheet LMG1205YFXR - Texas Instruments 296-48589-6-ND IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA 4 118 - Immédiatement
10 001 - Stock usine ?
Disponible: 4 118
Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V 1,76V, 1,89V 1,2 A, 5 A TTL 100V 7ns, 3,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 12-WFBGA, DSBGA 12-DSBGA (1,88x1,73)
LM5113SD/NOPB Datasheet LM5113SD/NOPB - Texas Instruments LM5113SD/NOPBTR-ND IC GATE DVR HALF BRIDGE 4A 10SON 3 000 - Immédiatement
10 000 - Stock usine ?
Disponible: 3 000
1,84730 €
-
Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Pas pour les nouvelles conceptions Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V 1,76V, 1,89V 1,2 A, 5 A Sans inversion 107V 7ns, 1,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 10-WDFN plot exposé 10-WSON (4x4)
LM5113SD/NOPB Datasheet LM5113SD/NOPB - Texas Instruments LM5113SD/NOPBCT-ND IC GATE DVR HALF BRIDGE 4A 10SON 3 189 - Immédiatement
10 001 - Stock usine ?
Disponible: 3 189
3,61000 €
-
Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Pas pour les nouvelles conceptions Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V 1,76V, 1,89V 1,2 A, 5 A Sans inversion 107V 7ns, 1,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 10-WDFN plot exposé 10-WSON (4x4)
LM5113SD/NOPB Datasheet LM5113SD/NOPB - Texas Instruments LM5113SD/NOPBDKR-ND IC GATE DVR HALF BRIDGE 4A 10SON 3 189 - Immédiatement
10 001 - Stock usine ?
Disponible: 3 189
Digi-Reel®
-
Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Pas pour les nouvelles conceptions Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V 1,76V, 1,89V 1,2 A, 5 A Sans inversion 107V 7ns, 1,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 10-WDFN plot exposé 10-WSON (4x4)
LMG1205YFXT Datasheet LMG1205YFXT - Texas Instruments 296-49744-2-ND LMG1205YFXT 500 - Immédiatement
10 000 - Stock usine ?
Disponible: 500
2,44108 € 250 Minimum : 250 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V 1,76V, 1,89V 1,2 A, 5 A TTL 100V 7ns, 3,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 12-WFBGA, DSBGA 12-DSBGA (1,88x1,73)
LMG1205YFXT Datasheet LMG1205YFXT - Texas Instruments 296-49744-1-ND LMG1205YFXT 821 - Immédiatement
10 001 - Stock usine ?
Disponible: 821
3,61000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V
-
1,2 A, 5 A TTL 100V 7ns, 3,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 12-WFBGA, DSBGA 12-DSBGA
LMG1205YFXT Datasheet LMG1205YFXT - Texas Instruments 296-49744-6-ND LMG1205YFXT 821 - Immédiatement
10 001 - Stock usine ?
Disponible: 821
Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V
-
1,2 A, 5 A TTL 100V 7ns, 3,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 12-WFBGA, DSBGA 12-DSBGA
LM5113TME/NOPB Datasheet LM5113TME/NOPB - Texas Instruments 296-36000-2-ND IC GATE DRVR HALF BRDG 5A 12SMD 40 500 - Immédiatement
10 000 - Stock usine ?
Disponible: 40 500
2,75996 €
-
Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Pas pour les nouvelles conceptions Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V 1,76V, 1,89V 1,2 A, 5 A Sans inversion 107V 7ns, 1,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 12-WFBGA, DSBGA 12-DSBGA
LM5113TME/NOPB Datasheet LM5113TME/NOPB - Texas Instruments 296-36000-1-ND IC GATE DRVR HALF BRDG 5A 12SMD 40 717 - Immédiatement
10 001 - Stock usine ?
Disponible: 40 717
4,07000 €
-
Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Pas pour les nouvelles conceptions Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V 1,76V, 1,89V 1,2 A, 5 A Sans inversion 107V 7ns, 1,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 12-WFBGA, DSBGA 12-DSBGA
LM5113TME/NOPB Datasheet LM5113TME/NOPB - Texas Instruments 296-36000-6-ND IC GATE DRVR HALF BRDG 5A 12SMD 40 717 - Immédiatement
10 001 - Stock usine ?
Disponible: 40 717
Digi-Reel®
-
Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Pas pour les nouvelles conceptions Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V 1,76V, 1,89V 1,2 A, 5 A Sans inversion 107V 7ns, 1,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 12-WFBGA, DSBGA 12-DSBGA
LM5113SDE/NOPB Datasheet LM5113SDE/NOPB - Texas Instruments LM5113SDE/NOPBTR-ND IC GATE DRIVER HALF BRIDGE 10SON 1 000 - Immédiatement
5 750 - Stock usine ?
Disponible: 1 000
2,75996 €
-
Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Pas pour les nouvelles conceptions Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V 1,76V, 1,89V 1,2 A, 5 A Sans inversion 107V 7ns, 1,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 10-WDFN plot exposé 10-WSON (4x4)
LM5113SDE/NOPB Datasheet LM5113SDE/NOPB - Texas Instruments LM5113SDE/NOPBCT-ND IC GATE DRIVER HALF BRIDGE 10SON 1 173 - Immédiatement
5 886 - Stock usine ?
Disponible: 1 173
4,07000 €
-
Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Pas pour les nouvelles conceptions Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V 1,76V, 1,89V 1,2 A, 5 A Sans inversion 107V 7ns, 1,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 10-WDFN plot exposé 10-WSON (4x4)
LM5113SDE/NOPB Datasheet LM5113SDE/NOPB - Texas Instruments LM5113SDE/NOPBDKR-ND IC GATE DRIVER HALF BRIDGE 10SON 1 173 - Immédiatement
5 886 - Stock usine ?
Disponible: 1 173
Digi-Reel®
-
Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Pas pour les nouvelles conceptions Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V 1,76V, 1,89V 1,2 A, 5 A Sans inversion 107V 7ns, 1,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 10-WDFN plot exposé 10-WSON (4x4)
LM5113SDX/NOPB Datasheet LM5113SDX/NOPB - Texas Instruments 296-45546-2-ND IC GATE DVR HALF BRIDGE 5A 10SON 9 000 - Stock usine ? 1,75494 €
-
Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Pas pour les nouvelles conceptions Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V 1,76V, 1,89V 1,2 A, 5 A Sans inversion 107V 7ns, 1,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 10-WDFN plot exposé 10-WSON (4x4)
LM5113SDX/NOPB Datasheet LM5113SDX/NOPB - Texas Instruments 296-45546-1-ND IC GATE DVR HALF BRIDGE 5A 10SON 4 270 - Immédiatement
10 001 - Stock usine ?
Disponible: 4 270
3,61000 €
-
Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Pas pour les nouvelles conceptions Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V 1,76V, 1,89V 1,2 A, 5 A Sans inversion 107V 7ns, 1,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 10-WDFN plot exposé 10-WSON (4x4)
LM5113SDX/NOPB Datasheet LM5113SDX/NOPB - Texas Instruments 296-45546-6-ND IC GATE DVR HALF BRIDGE 5A 10SON 4 270 - Immédiatement
10 001 - Stock usine ?
Disponible: 4 270
Digi-Reel®
-
Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Pas pour les nouvelles conceptions Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V 1,76V, 1,89V 1,2 A, 5 A Sans inversion 107V 7ns, 1,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 10-WDFN plot exposé 10-WSON (4x4)
LM5113QDPRRQ1 Datasheet LM5113QDPRRQ1 - Texas Instruments 296-51311-2-ND IC HALF-BRIDGE GATE DRVR 10WSON 9 000 - Stock usine ? 1,80032 € 4 500 Minimum : 4 500 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q100 Actif Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V
-
1,2 A, 5 A Sans inversion 100V 7ns, 3,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 10-WDFN plot exposé 10-WSON (4x4)
LM5113QDPRRQ1 Datasheet LM5113QDPRRQ1 - Texas Instruments 296-51311-1-ND IC HALF-BRIDGE GATE DRVR 10WSON 3 419 - Immédiatement
9 000 - Stock usine ?
Disponible: 3 419
3,69000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q100 Actif Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V
-
1,2 A, 5 A Sans inversion 100V 7ns, 3,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 10-WDFN plot exposé 10-WSON (4x4)
LM5113QDPRRQ1 Datasheet LM5113QDPRRQ1 - Texas Instruments 296-51311-6-ND IC HALF-BRIDGE GATE DRVR 10WSON 3 419 - Immédiatement
10 001 - Stock usine ?
Disponible: 3 419
Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q100 Actif Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V
-
1,2 A, 5 A Sans inversion 100V 7ns, 3,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 10-WDFN plot exposé 10-WSON (4x4)
LM5113TMX/NOPB Datasheet LM5113TMX/NOPB - Texas Instruments LM5113TMX/NOPB-ND IC GATE DRVR HALF BRDG 5A 12SMD 9 000 - Stock usine ? 1,75494 €
-
Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Pas pour les nouvelles conceptions Demi-pont Indépendant 2 MOSFET à canal N 4,5V ~ 5,5V 1,76V, 1,89V 1,2 A, 5 A Sans inversion 107V 7ns, 1,5ns -40°C ~ 125°C (TJ) Montage en surface 12-WFBGA 12-µSMD (1,74x1,87)
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