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Index des produits > Circuits intégrés (CI) > Durée de conservation

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Conditionnement Série Statut de la pièce Configuration Type de canal Nombre de circuits d'attaque Type de grille Alimentation en tension Tension logique - VIL, VIH Courant - Sortie de crête (source, réception) Type d’entrée Côté haut potentiel - max (amorce) Temps de montée / descente (typ.) Température d’utilisation Type de montage Boîtier Boîtier fournisseur
   
ZXGD3009E6TA Datasheet ZXGD3009E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3009E6TADITR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 33 000 - Immédiatement
75 000 - Stock usine ?
Disponible: 33 000
0,12512 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
2A, 2A Sans inversion
-
210ns, 240ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3009E6TA Datasheet ZXGD3009E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3009E6TADICT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 33 608 - Immédiatement
75 000 - Stock usine ?
Disponible: 33 608
0,37000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
2A, 2A Sans inversion
-
210ns, 240ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3009E6TA Datasheet ZXGD3009E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3009E6TADIDKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 33 608 - Immédiatement
75 000 - Stock usine ?
Disponible: 33 608
Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
2A, 2A Sans inversion
-
210ns, 240ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADITR-ND IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 12 000 - Immédiatement Disponible: 12 000 0,18073 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 25V (maxi)
-
10A, 10A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADICT-ND IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 12 938 - Immédiatement Disponible: 12 938 0,53000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 25V (maxi)
-
10A, 10A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADIDKR-ND IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 12 938 - Immédiatement Disponible: 12 938 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 25V (maxi)
-
10A, 10A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADITR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 33 000 - Immédiatement Disponible: 33 000 0,19508 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40V (maxi)
-
10A, 10A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADICT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 33 622 - Immédiatement Disponible: 33 622 0,52000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40V (maxi)
-
10A, 10A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADIDKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 33 622 - Immédiatement Disponible: 33 622 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40V (maxi)
-
10A, 10A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 18 000 - Immédiatement Disponible: 18 000 0,20288 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
5A, 5A Sans inversion
-
8,9ns, 8,9ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 19 390 - Immédiatement Disponible: 19 390 0,54000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
5A, 5A Sans inversion
-
8,9ns, 8,9ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 19 390 - Immédiatement Disponible: 19 390 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
5A, 5A Sans inversion
-
8,9ns, 8,9ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADITR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 24 000 - Immédiatement Disponible: 24 000 0,23409 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40V (maxi)
-
10A, 10A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADICT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 26 716 - Immédiatement Disponible: 26 716 0,63000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40V (maxi)
-
10A, 10A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADIDKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 26 716 - Immédiatement Disponible: 26 716 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40V (maxi)
-
10A, 10A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 36 000 - Immédiatement Disponible: 36 000 0,26140 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
8A, 8A Sans inversion
-
13,4ns, 12,4ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 38 448 - Immédiatement Disponible: 38 448 0,70000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
8A, 8A Sans inversion
-
13,4ns, 12,4ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 38 448 - Immédiatement Disponible: 38 448 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
8A, 8A Sans inversion
-
13,4ns, 12,4ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 9 000 - Immédiatement Disponible: 9 000 0,26140 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 20V (maxi)
-
9A, 9A Sans inversion
-
8,3ns, 10,8ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 10 678 - Immédiatement Disponible: 10 678 0,70000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 20V (maxi)
-
9A, 9A Sans inversion
-
8,3ns, 10,8ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 10 678 - Immédiatement Disponible: 10 678 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 20V (maxi)
-
9A, 9A Sans inversion
-
8,3ns, 10,8ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-2-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 10 000 - Immédiatement
10 000 - Stock usine ?
Disponible: 10 000
0,26921 € 2 500 Minimum : 2 500 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,75V ~ 5,25V 0,8V, 2V 500mA, 500mA Inverseur
-
5ns, 7ns 0°C ~ 70°C (TA) Montage en surface 8-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-1-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 11 008 - Immédiatement
10 001 - Stock usine ?
Disponible: 11 008
0,72000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,75V ~ 5,25V 0,8V, 2V 500mA, 500mA Inverseur
-
5ns, 7ns 0°C ~ 70°C (TA) Montage en surface 8-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-6-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 11 008 - Immédiatement
10 001 - Stock usine ?
Disponible: 11 008
Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,75V ~ 5,25V 0,8V, 2V 500mA, 500mA Inverseur
-
5ns, 7ns 0°C ~ 70°C (TA) Montage en surface 8-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
SN75453BDR Datasheet SN75453BDR - Texas Instruments 296-9913-2-ND IC PERIPH DRVR DUAL HS 8-SOIC 2 500 - Immédiatement
10 000 - Stock usine ?
Disponible: 2 500
0,26921 € 2 500 Minimum : 2 500 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,75V ~ 5,25V 0,8V, 2V 500mA, 500mA Inverseur
-
5ns, 7ns 0°C ~ 70°C (TA) Montage en surface 8-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
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09:03:28 9/15/2019