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FabricantConditionnementSérieStatut de la pièceConfigurationType de canalNombre de circuits d'attaqueType de grilleAlimentation en tensionTension logique - VIL, VIHCourant - Sortie de crête (source, réception)Type d’entréeCôté haut potentiel - max (amorce)Temps de montée / descente (typ.)Température d’utilisationType de montageBoîtierBoîtier fournisseur
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Conditionnement Série Statut de la pièce Configuration Type de canal Nombre de circuits d'attaque Type de grille Alimentation en tension Tension logique - VIL, VIH Courant - Sortie de crête (source, réception) Type d’entrée Côté haut potentiel - max (amorce) Temps de montée / descente (typ.) Température d’utilisation Type de montage Boîtier Boîtier fournisseur
   
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADITR-ND IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 3 000 - Immédiatement
0,16209 € 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 25 V (maxi)
-
10 A, 10 A Sans inversion
-
48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADICT-ND IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 4 584 - Immédiatement
0,47000 € 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 25 V (maxi)
-
10 A, 10 A Sans inversion
-
48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADIDKR-ND IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 4 584 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 25 V (maxi)
-
10 A, 10 A Sans inversion
-
48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 24 000 - Immédiatement
0,23444 € 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40 V (maxi)
-
8 A, 8 A Sans inversion
-
13,4 ns, 12,4 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 25 007 - Immédiatement
0,63000 € 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40 V (maxi)
-
8 A, 8 A Sans inversion
-
13,4 ns, 12,4 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 25 007 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40 V (maxi)
-
8 A, 8 A Sans inversion
-
13,4 ns, 12,4 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151TR-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 12 000 - Immédiatement
0,32659 € 2 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 30 V 0,8V, 2,4V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151CT-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 14 051 - Immédiatement
0,84000 € 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 30 V 0,8V, 2,4V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151DKR-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 14 051 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 30 V 0,8V, 2,4V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
ZXGD3103N8TC Datasheet ZXGD3103N8TC - Diodes Incorporated ZXGD3103N8TCTR-ND IC SYNCH MOSFET CNTRLR 4A 8SO 12 500 - Immédiatement
0,33785 € 2 500 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
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Actif Haut potentiel ou bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 5 V ~ 15 V
-
2,5 A, 6 A Sans inversion
-
450 ns, 21 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SO
ZXGD3103N8TC Datasheet ZXGD3103N8TC - Diodes Incorporated ZXGD3103N8TCCT-ND IC SYNCH MOSFET CNTRLR 4A 8SO 12 558 - Immédiatement
0,82000 € 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Haut potentiel ou bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 5 V ~ 15 V
-
2,5 A, 6 A Sans inversion
-
450 ns, 21 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SO
ZXGD3103N8TC Datasheet ZXGD3103N8TC - Diodes Incorporated ZXGD3103N8TCDKR-ND IC SYNCH MOSFET CNTRLR 4A 8SO 12 558 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Haut potentiel ou bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 5 V ~ 15 V
-
2,5 A, 6 A Sans inversion
-
450 ns, 21 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SO
IX4427NTR Datasheet IX4427NTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4146TR-ND IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC 10 000 - Immédiatement
0,34292 € 2 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 30 V 0,8V, 2,4V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
IX4427NTR Datasheet IX4427NTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4146CT-ND IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC 10 287 - Immédiatement
0,88000 € 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 30 V 0,8V, 2,4V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
IX4427NTR Datasheet IX4427NTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4146DKR-ND IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC 10 287 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 30 V 0,8V, 2,4V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
LM5112SD/NOPB Datasheet LM5112SD/NOPB - Texas Instruments LM5112SD/NOPBTR-ND IC MOSFET GATE DVR TINY 7A 6WSON 21 000 - Immédiatement
0,39818 € 1 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
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Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 3,5 V ~ 14 V 0,8V, 2,3V 3 A, 7 A Avec inversion, Sans inversion
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14 ns, 12 ns -40 °C ~ 125 °C (TJ) Montage en surface 6-WDFN plot exposé 6-WSON (3x3)
LM5112SD/NOPB Datasheet LM5112SD/NOPB - Texas Instruments LM5112SD/NOPBCT-ND IC MOSFET GATE DVR TINY 7A 6WSON 21 980 - Immédiatement
1,09000 € 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 3,5 V ~ 14 V 0,8V, 2,3V 3 A, 7 A Avec inversion, Sans inversion
-
14 ns, 12 ns -40 °C ~ 125 °C (TJ) Montage en surface 6-WDFN plot exposé 6-WSON (3x3)
LM5112SD/NOPB Datasheet LM5112SD/NOPB - Texas Instruments LM5112SD/NOPBDKR-ND IC MOSFET GATE DVR TINY 7A 6WSON 21 980 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 3,5 V ~ 14 V 0,8V, 2,3V 3 A, 7 A Avec inversion, Sans inversion
-
14 ns, 12 ns -40 °C ~ 125 °C (TJ) Montage en surface 6-WDFN plot exposé 6-WSON (3x3)
MCP1402T-E/OT Datasheet MCP1402T-E/OT - Microchip Technology MCP1402T-E/OTTR-ND IC MOSFET DRIVER 500MA SOT23-5 15 000 - Immédiatement
0,40075 € 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 18 V 0,8V, 2,4V 500 mA, 500 mA Sans inversion
-
19 ns, 15 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
MCP1402T-E/OT Datasheet MCP1402T-E/OT - Microchip Technology MCP1402T-E/OTCT-ND IC MOSFET DRIVER 500MA SOT23-5 15 430 - Immédiatement
0,53000 € 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 18 V 0,8V, 2,4V 500 mA, 500 mA Sans inversion
-
19 ns, 15 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
MCP1402T-E/OT Datasheet MCP1402T-E/OT - Microchip Technology MCP1402T-E/OTDKR-ND IC MOSFET DRIVER 500MA SOT23-5 15 430 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 18 V 0,8V, 2,4V 500 mA, 500 mA Sans inversion
-
19 ns, 15 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
MCP1401T-E/OT Datasheet MCP1401T-E/OT - Microchip Technology MCP1401T-E/OTTR-ND IC MOSFET DRVR INV 500MA SOT23-5 9 000 - Immédiatement
0,40075 € 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
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Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 18 V 0,8V, 2,4V 500 mA, 500 mA Avec inversion
-
19 ns, 15 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
MCP1401T-E/OT Datasheet MCP1401T-E/OT - Microchip Technology MCP1401T-E/OTCT-ND IC MOSFET DRVR INV 500MA SOT23-5 10 032 - Immédiatement
0,53000 € 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 18 V 0,8V, 2,4V 500 mA, 500 mA Avec inversion
-
19 ns, 15 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
MCP1401T-E/OT Datasheet MCP1401T-E/OT - Microchip Technology MCP1401T-E/OTDKR-ND IC MOSFET DRVR INV 500MA SOT23-5 10 032 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 18 V 0,8V, 2,4V 500 mA, 500 mA Avec inversion
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19 ns, 15 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
MCP1416T-E/OT Datasheet MCP1416T-E/OT - Microchip Technology MCP1416T-E/OTTR-ND IC MOSFET DVR 1.5A HS SOT23-5 42 000 - Immédiatement
0,41781 € 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 18 V 0,8V, 2,4V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
20 ns, 20 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
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05:46:13 2/20/2018