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PMIC - Circuits d'attaque de grille

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Comparer les pièces Datasheets Image Référence Digi-Key Référence fabricant Fabricant Description Quantité disponible
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SLG55021-200010VTR Datasheet SLG55021-200010VTR - Dialog Semiconductor GmbH 1827-1047-2-ND SLG55021-200010VTR IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8TDFN 24 000 - Immédiatement Disponible: 24 000 0,12896 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Haut potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 4,75V ~ 5,25V 0,4V, 5,5V 32µA, 400µA CMOS
-
-
-55°C ~ 125°C Montage en surface 8-WFDFN plot exposé 8-TDFN (2x2)
SLG55021-200010VTR Datasheet SLG55021-200010VTR - Dialog Semiconductor GmbH 1827-1047-1-ND SLG55021-200010VTR IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8TDFN 28 208 - Immédiatement Disponible: 28 208 0,39000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif Haut potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 4,75V ~ 5,25V 0,4V, 5,5V 32µA, 400µA CMOS
-
-
-55°C ~ 125°C Montage en surface 8-WFDFN plot exposé 8-TDFN (2x2)
SLG55021-200010VTR Datasheet SLG55021-200010VTR - Dialog Semiconductor GmbH 1827-1047-6-ND SLG55021-200010VTR IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8TDFN 28 208 - Immédiatement Disponible: 28 208 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif Haut potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 4,75V ~ 5,25V 0,4V, 5,5V 32µA, 400µA CMOS
-
-
-55°C ~ 125°C Montage en surface 8-WFDFN plot exposé 8-TDFN (2x2)
DGD0506AM10-13 Datasheet DGD0506AM10-13 - Diodes Incorporated DGD0506AM10-13DITR-ND DGD0506AM10-13 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP 10 000 - Immédiatement Disponible: 10 000 0,14556 € 2 500 Minimum : 2 500 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 8V ~ 14V 0,8V, 2,4V 1,5A, 2A Sans inversion 50V 17ns, 12ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 10-TFSOP, 10-MSOP (0,118po, 3,00mm de largeur) 10-MSOP
DGD0506AM10-13 Datasheet DGD0506AM10-13 - Diodes Incorporated DGD0506AM10-13DICT-ND DGD0506AM10-13 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP 14 947 - Immédiatement Disponible: 14 947 0,44000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 8V ~ 14V 0,8V, 2,4V 1,5A, 2A Sans inversion 50V 17ns, 12ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 10-TFSOP, 10-MSOP (0,118po, 3,00mm de largeur) 10-MSOP
DGD0506AM10-13 Datasheet DGD0506AM10-13 - Diodes Incorporated DGD0506AM10-13DIDKR-ND DGD0506AM10-13 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP 14 947 - Immédiatement Disponible: 14 947 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 8V ~ 14V 0,8V, 2,4V 1,5A, 2A Sans inversion 50V 17ns, 12ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 10-TFSOP, 10-MSOP (0,118po, 3,00mm de largeur) 10-MSOP
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADITR-ND ZXGD3005E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 75 000 - Immédiatement Disponible: 75 000 0,16454 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
Automotive, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 25V (maxi)
-
10A, 10A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADICT-ND ZXGD3005E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 76 064 - Immédiatement Disponible: 76 064 0,49000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
Automotive, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 25V (maxi)
-
10A, 10A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADIDKR-ND ZXGD3005E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 76 064 - Immédiatement Disponible: 76 064 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
Automotive, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 25V (maxi)
-
10A, 10A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6TR-ND ZXGD3003E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 12 000 - Immédiatement Disponible: 12 000 0,18384 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
5A, 5A Sans inversion
-
8,9ns, 8,9ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6CT-ND ZXGD3003E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 13 552 - Immédiatement Disponible: 13 552 0,51000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
5A, 5A Sans inversion
-
8,9ns, 8,9ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6DKR-ND ZXGD3003E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 13 552 - Immédiatement Disponible: 13 552 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
5A, 5A Sans inversion
-
8,9ns, 8,9ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADITR-ND ZXGD3006E6QTA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 18 000 - Immédiatement Disponible: 18 000 0,21212 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40V (maxi)
-
10A, 10A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADICT-ND ZXGD3006E6QTA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 22 262 - Immédiatement Disponible: 22 262 0,59000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40V (maxi)
-
10A, 10A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADIDKR-ND ZXGD3006E6QTA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 22 262 - Immédiatement Disponible: 22 262 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40V (maxi)
-
10A, 10A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6TR-ND ZXGD3004E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 51 000 - Immédiatement Disponible: 51 000 0,23686 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
8A, 8A Sans inversion
-
13,4ns, 12,4ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6CT-ND ZXGD3004E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 52 510 - Immédiatement Disponible: 52 510 0,66000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
8A, 8A Sans inversion
-
13,4ns, 12,4ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6DKR-ND ZXGD3004E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 52 510 - Immédiatement Disponible: 52 510 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
8A, 8A Sans inversion
-
13,4ns, 12,4ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6TR-ND ZXGD3002E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 6 000 - Immédiatement Disponible: 6 000 0,23686 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 20V (maxi)
-
9A, 9A Sans inversion
-
8,3ns, 10,8ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6CT-ND ZXGD3002E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 8 347 - Immédiatement Disponible: 8 347 0,66000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 20V (maxi)
-
9A, 9A Sans inversion
-
8,3ns, 10,8ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3002E6TA Datasheet ZXGD3002E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3002E6DKR-ND ZXGD3002E6TA IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 8 347 - Immédiatement Disponible: 8 347 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 20V (maxi)
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9A, 9A Sans inversion
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8,3ns, 10,8ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
IRS2005STRPBF Datasheet IRS2005STRPBF - Infineon Technologies IRS2005STRPBFTR-ND IRS2005STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 12 500 - Immédiatement Disponible: 12 500 0,21517 € 2 500 Minimum : 2 500 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Indépendant 2 IGBT, MOSFET à canal N 10V ~ 20V 0,8V, 2,5V 290 mA, 600 mA Sans inversion 200V 70ns, 30ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) 8-SOIC
IRS2005STRPBF Datasheet IRS2005STRPBF - Infineon Technologies IRS2005STRPBFCT-ND IRS2005STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 12 667 - Immédiatement Disponible: 12 667 0,60000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Indépendant 2 IGBT, MOSFET à canal N 10V ~ 20V 0,8V, 2,5V 290 mA, 600 mA Sans inversion 200V 70ns, 30ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) 8-SOIC
IRS2005STRPBF Datasheet IRS2005STRPBF - Infineon Technologies IRS2005STRPBFDKR-ND IRS2005STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 12 667 - Immédiatement Disponible: 12 667 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Indépendant 2 IGBT, MOSFET à canal N 10V ~ 20V 0,8V, 2,5V 290 mA, 600 mA Sans inversion 200V 70ns, 30ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) 8-SOIC
FAN3111ESX Datasheet FAN3111ESX - ON Semiconductor FAN3111ESXTR-ND FAN3111ESX IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 48 000 - Immédiatement Disponible: 48 000 0,26515 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 4,5V ~ 18V
-
1,4A, 1,4A Sans inversion
-
9ns, 8ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
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22:16:49 2/24/2021