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Conditionnement Série Statut de la pièce Configuration Type de canal Nombre de circuits d'attaque Type de grille Alimentation en tension Tension logique - VIL, VIH Courant - Sortie de crête (source, réception) Type d’entrée Côté haut potentiel - max (amorce) Temps de montée / descente (typ.) Température d’utilisation Type de montage Boîtier Boîtier fournisseur
   
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSTR-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 27 500 - Immédiatement
430 000 - Stock usine ?
Disponible: 27 500
0,18974 € 2 500 Minimum : 2 500 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 4,6 V ~ 13,2 V 0,8 V, 2 V
-
Sans inversion 35V 16 ns, 11 ns 0 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSCT-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 29 767 - Immédiatement
430 000 - Stock usine ?
Disponible: 29 767
0,55000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 4,6 V ~ 13,2 V 0,8 V, 2 V
-
Sans inversion 35V 16 ns, 11 ns 0 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSDKR-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 29 767 - Immédiatement
430 000 - Stock usine ?
Disponible: 29 767
Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 4,6 V ~ 13,2 V 0,8 V, 2 V
-
Sans inversion 35V 16 ns, 11 ns 0 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADITR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 33 000 - Immédiatement Disponible: 33 000 0,19018 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (maxi)
-
10 A, 10 A Sans inversion
-
48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADICT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 36 886 - Immédiatement Disponible: 36 886 0,51000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (maxi)
-
10 A, 10 A Sans inversion
-
48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6TA Datasheet ZXGD3006E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6TADIDKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 36 886 - Immédiatement Disponible: 36 886 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (maxi)
-
10 A, 10 A Sans inversion
-
48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ADP3120AJCPZ-RL Datasheet ADP3120AJCPZ-RL - ON Semiconductor ADP3120AJCPZ-RLTR-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-DFN 9 000 - Immédiatement Disponible: 9 000 0,21554 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 4,6 V ~ 13,2 V 0,8 V, 2 V
-
Avec inversion, Sans inversion 35V 20 ns, 11 ns -20 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VFDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
ADP3120AJCPZ-RL Datasheet ADP3120AJCPZ-RL - ON Semiconductor ADP3120AJCPZ-RLCT-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-DFN 11 512 - Immédiatement Disponible: 11 512 0,58000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 4,6 V ~ 13,2 V 0,8 V, 2 V
-
Avec inversion, Sans inversion 35V 20 ns, 11 ns -20 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VFDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
ADP3120AJCPZ-RL Datasheet ADP3120AJCPZ-RL - ON Semiconductor ADP3120AJCPZ-RLDKR-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-DFN 11 512 - Immédiatement Disponible: 11 512 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 4,6 V ~ 13,2 V 0,8 V, 2 V
-
Avec inversion, Sans inversion 35V 20 ns, 11 ns -20 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VFDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 12 000 - Immédiatement Disponible: 12 000 0,19779 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40 V (maxi)
-
5 A, 5 A Sans inversion
-
8,9 ns, 8,9 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 15 116 - Immédiatement Disponible: 15 116 0,52000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40 V (maxi)
-
5 A, 5 A Sans inversion
-
8,9 ns, 8,9 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 15 116 - Immédiatement Disponible: 15 116 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40 V (maxi)
-
5 A, 5 A Sans inversion
-
8,9 ns, 8,9 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADITR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 12 000 - Immédiatement Disponible: 12 000 0,22822 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (maxi)
-
10 A, 10 A Sans inversion
-
48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADICT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 14 677 - Immédiatement Disponible: 14 677 0,61000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (maxi)
-
10 A, 10 A Sans inversion
-
48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADIDKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 14 677 - Immédiatement Disponible: 14 677 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (maxi)
-
10 A, 10 A Sans inversion
-
48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-2-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 30 000 - Immédiatement Disponible: 30 000 0,26245 € 2 500 Minimum : 2 500 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,75 V ~ 5,25 V 0,8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Avec inversion
-
5 ns, 7 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-1-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 37 069 - Immédiatement Disponible: 37 069 0,70000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,75 V ~ 5,25 V 0,8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Avec inversion
-
5 ns, 7 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
SN75451BDR Datasheet SN75451BDR - Texas Instruments 296-14960-6-ND IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC 37 069 - Immédiatement Disponible: 37 069 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,75 V ~ 5,25 V 0,8 V, 2 V 500 mA, 500 mA Avec inversion
-
5 ns, 7 ns 0 °C ~ 70 °C (TA) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 42 000 - Immédiatement Disponible: 42 000 0,25484 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40 V (maxi)
-
8 A, 8 A Sans inversion
-
13,4 ns, 12,4 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 43 797 - Immédiatement Disponible: 43 797 0,68000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40 V (maxi)
-
8 A, 8 A Sans inversion
-
13,4 ns, 12,4 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 43 797 - Immédiatement Disponible: 43 797 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40 V (maxi)
-
8 A, 8 A Sans inversion
-
13,4 ns, 12,4 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
IRS44273LTRPBF Datasheet IRS44273LTRPBF - Infineon Technologies IRS44273LTRPBFTR-ND IC DRIVER LOW SIDE 1.5A SOT23-5 15 000 - Immédiatement Disponible: 15 000 0,32520 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
µHVIC™ Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 10,2 V ~ 20 V 0,8 V, 2,5 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
25 ns, 25 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IRS44273LTRPBF Datasheet IRS44273LTRPBF - Infineon Technologies IRS44273LTRPBFCT-ND IC DRIVER LOW SIDE 1.5A SOT23-5 15 522 - Immédiatement Disponible: 15 522 0,79000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
µHVIC™ Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 10,2 V ~ 20 V 0,8 V, 2,5 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
25 ns, 25 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IRS44273LTRPBF Datasheet IRS44273LTRPBF - Infineon Technologies IRS44273LTRPBFDKR-ND IC DRIVER LOW SIDE 1.5A SOT23-5 15 522 - Immédiatement Disponible: 15 522 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
µHVIC™ Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 10,2 V ~ 20 V 0,8 V, 2,5 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
25 ns, 25 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151TR-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 62 000 - Immédiatement Disponible: 62 000 0,35501 € 2 000 Minimum : 2 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
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Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 30 V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
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