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PMIC - Circuits d'attaque de grille

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ZXGD3009E6TA Datasheet ZXGD3009E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3009E6TADITR-ND ZXGD3009E6TA Diodes Incorporated IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 3 000 - Immédiatement Disponible: 3 000 0,12069 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
Automotive, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
2A, 2A Sans inversion
-
210ns, 240ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3009E6TA Datasheet ZXGD3009E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3009E6TADICT-ND ZXGD3009E6TA Diodes Incorporated IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 4 157 - Immédiatement Disponible: 4 157 0,34000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
Automotive, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
2A, 2A Sans inversion
-
210ns, 240ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3009E6TA Datasheet ZXGD3009E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3009E6TADIDKR-ND ZXGD3009E6TA Diodes Incorporated IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 4 157 - Immédiatement Disponible: 4 157 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
Automotive, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
2A, 2A Sans inversion
-
210ns, 240ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
SLG55021-200010V Datasheet SLG55021-200010V - Dialog Semiconductor GmbH 1827-1047-2-ND SLG55021-200010V Dialog Semiconductor GmbH IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8TDFN 6 000 - Immédiatement Disponible: 6 000 0,13663 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Haut potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 4,75V ~ 5,25V 0,4V, 5,5V 32µA, 400µA CMOS
-
-
-55°C ~ 125°C Montage en surface 8-WFDFN plot exposé 8-TDFN (2x2)
SLG55021-200010V Datasheet SLG55021-200010V - Dialog Semiconductor GmbH 1827-1047-1-ND SLG55021-200010V Dialog Semiconductor GmbH IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8TDFN 9 817 - Immédiatement Disponible: 9 817 0,38000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif Haut potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 4,75V ~ 5,25V 0,4V, 5,5V 32µA, 400µA CMOS
-
-
-55°C ~ 125°C Montage en surface 8-WFDFN plot exposé 8-TDFN (2x2)
SLG55021-200010V Datasheet SLG55021-200010V - Dialog Semiconductor GmbH 1827-1047-6-ND SLG55021-200010V Dialog Semiconductor GmbH IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8TDFN 9 817 - Immédiatement Disponible: 9 817 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif Haut potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 4,75V ~ 5,25V 0,4V, 5,5V 32µA, 400µA CMOS
-
-
-55°C ~ 125°C Montage en surface 8-WFDFN plot exposé 8-TDFN (2x2)
DGD0506AM10-13 Datasheet DGD0506AM10-13 - Diodes Incorporated DGD0506AM10-13DITR-ND DGD0506AM10-13 Diodes Incorporated IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP 17 500 - Immédiatement Disponible: 17 500 0,15422 € 2 500 Minimum : 2 500 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 8V ~ 14V 0,8V, 2,4V 1,5A, 2A Sans inversion 50V 17ns, 12ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 10-TFSOP, 10-MSOP (0,118po, 3,00mm de largeur) 10-MSOP
DGD0506AM10-13 Datasheet DGD0506AM10-13 - Diodes Incorporated DGD0506AM10-13DICT-ND DGD0506AM10-13 Diodes Incorporated IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP 20 346 - Immédiatement Disponible: 20 346 0,43000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 8V ~ 14V 0,8V, 2,4V 1,5A, 2A Sans inversion 50V 17ns, 12ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 10-TFSOP, 10-MSOP (0,118po, 3,00mm de largeur) 10-MSOP
DGD0506AM10-13 Datasheet DGD0506AM10-13 - Diodes Incorporated DGD0506AM10-13DIDKR-ND DGD0506AM10-13 Diodes Incorporated IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP 20 346 - Immédiatement Disponible: 20 346 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 8V ~ 14V 0,8V, 2,4V 1,5A, 2A Sans inversion 50V 17ns, 12ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 10-TFSOP, 10-MSOP (0,118po, 3,00mm de largeur) 10-MSOP
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADITR-ND ZXGD3005E6TA Diodes Incorporated IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 36 000 - Immédiatement Disponible: 36 000 0,17433 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
Automotive, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 25V (maxi)
-
10A, 10A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADICT-ND ZXGD3005E6TA Diodes Incorporated IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 38 234 - Immédiatement Disponible: 38 234 0,49000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
Automotive, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 25V (maxi)
-
10A, 10A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3005E6TA Datasheet ZXGD3005E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3005E6TADIDKR-ND ZXGD3005E6TA Diodes Incorporated IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26 38 234 - Immédiatement Disponible: 38 234 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
Automotive, AEC-Q101 Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 25V (maxi)
-
10A, 10A Sans inversion
-
48ns, 35ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6TR-ND ZXGD3003E6TA Diodes Incorporated IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 3 000 - Immédiatement Disponible: 3 000 0,19570 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
5A, 5A Sans inversion
-
8,9ns, 8,9ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6CT-ND ZXGD3003E6TA Diodes Incorporated IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 3 042 - Immédiatement Disponible: 3 042 0,51000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
5A, 5A Sans inversion
-
8,9ns, 8,9ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6DKR-ND ZXGD3003E6TA Diodes Incorporated IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 3 042 - Immédiatement Disponible: 3 042 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
5A, 5A Sans inversion
-
8,9ns, 8,9ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ADP3120AJCPZ-RL Datasheet ADP3120AJCPZ-RL - ON Semiconductor ADP3120AJCPZ-RLTR-ND ADP3120AJCPZ-RL ON Semiconductor IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN 12 000 - Immédiatement Disponible: 12 000 0,24282 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 4,6V ~ 13,2V 0,8V, 2V
-
Avec inversion, Sans inversion 35V 20ns, 11ns -20°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 8-VFDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
ADP3120AJCPZ-RL Datasheet ADP3120AJCPZ-RL - ON Semiconductor ADP3120AJCPZ-RLCT-ND ADP3120AJCPZ-RL ON Semiconductor IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN 13 762 - Immédiatement Disponible: 13 762 0,56000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 4,6V ~ 13,2V 0,8V, 2V
-
Avec inversion, Sans inversion 35V 20ns, 11ns -20°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 8-VFDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
ADP3120AJCPZ-RL Datasheet ADP3120AJCPZ-RL - ON Semiconductor ADP3120AJCPZ-RLDKR-ND ADP3120AJCPZ-RL ON Semiconductor IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN 13 762 - Immédiatement Disponible: 13 762 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 4,6V ~ 13,2V 0,8V, 2V
-
Avec inversion, Sans inversion 35V 20ns, 11ns -20°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 8-VFDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6TR-ND ZXGD3004E6TA Diodes Incorporated IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 42 000 - Immédiatement Disponible: 42 000 0,25215 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
8A, 8A Sans inversion
-
13,4ns, 12,4ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6CT-ND ZXGD3004E6TA Diodes Incorporated IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 42 327 - Immédiatement Disponible: 42 327 0,65000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
8A, 8A Sans inversion
-
13,4ns, 12,4ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3004E6TA Datasheet ZXGD3004E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3004E6DKR-ND ZXGD3004E6TA Diodes Incorporated IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 42 327 - Immédiatement Disponible: 42 327 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40V (maxi)
-
8A, 8A Sans inversion
-
13,4ns, 12,4ns -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
IRS2005STRPBF Datasheet IRS2005STRPBF - Infineon Technologies IRS2005STRPBFTR-ND IRS2005STRPBF Infineon Technologies IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 7 500 - Immédiatement Disponible: 7 500 0,27924 € 2 500 Minimum : 2 500 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Indépendant 2 IGBT, MOSFET à canal N 10V ~ 20V 0,8V, 2,5V 290 mA, 600 mA Sans inversion 200V 70ns, 30ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) 8-SOIC
IRS2005STRPBF Datasheet IRS2005STRPBF - Infineon Technologies IRS2005STRPBFCT-ND IRS2005STRPBF Infineon Technologies IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 7 514 - Immédiatement Disponible: 7 514 0,69000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Indépendant 2 IGBT, MOSFET à canal N 10V ~ 20V 0,8V, 2,5V 290 mA, 600 mA Sans inversion 200V 70ns, 30ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) 8-SOIC
IRS2005STRPBF Datasheet IRS2005STRPBF - Infineon Technologies IRS2005STRPBFDKR-ND IRS2005STRPBF Infineon Technologies IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 7 514 - Immédiatement Disponible: 7 514 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Indépendant 2 IGBT, MOSFET à canal N 10V ~ 20V 0,8V, 2,5V 290 mA, 600 mA Sans inversion 200V 70ns, 30ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) 8-SOIC
FAN3111CSX Datasheet FAN3111CSX - ON Semiconductor FAN3111CSXTR-ND FAN3111CSX ON Semiconductor IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 15 000 - Immédiatement Disponible: 15 000 0,34623 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
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Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 4,5V ~ 18V
-
1,4A, 1,4A Avec inversion, Sans inversion
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9ns, 8ns -40°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
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11:05:31 6/16/2021