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FabricantConditionnementSérieStatut de la pièceConfigurationType de canalNombre de circuits d'attaqueType de grilleAlimentation en tensionTension logique - VIL, VIHCourant - Sortie de crête (source, réception)Type d’entréeCôté haut potentiel - max (amorce)Temps de montée / descente (typ.)Température d’utilisationType de montageBoîtierBoîtier fournisseur
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Conditionnement Série Statut de la pièce Configuration Type de canal Nombre de circuits d'attaque Type de grille Alimentation en tension Tension logique - VIL, VIH Courant - Sortie de crête (source, réception) Type d’entrée Côté haut potentiel - max (amorce) Temps de montée / descente (typ.) Température d’utilisation Type de montage Boîtier Boîtier fournisseur
   
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSTR-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 27 500 - Immédiatement
0,18528 € 2 500 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 4,6 V ~ 13,2 V 0,8 V, 2 V
-
Sans inversion 35V 16 ns, 11 ns 0 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSCT-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 29 114 - Immédiatement
0,54000 € 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 4,6 V ~ 13,2 V 0,8 V, 2 V
-
Sans inversion 35V 16 ns, 11 ns 0 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
NCP3420DR2G Datasheet NCP3420DR2G - ON Semiconductor NCP3420DR2GOSDKR-ND IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC 29 114 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 MOSFET à canal N 4,6 V ~ 13,2 V 0,8 V, 2 V
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Sans inversion 35V 16 ns, 11 ns 0 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6TR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 12 000 - Immédiatement
0,19313 € 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40 V (maxi)
-
5 A, 5 A Sans inversion
-
8,9 ns, 8,9 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6CT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 17 580 - Immédiatement
0,51000 € 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40 V (maxi)
-
5 A, 5 A Sans inversion
-
8,9 ns, 8,9 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3003E6TA Datasheet ZXGD3003E6TA - Diodes Incorporated ZXGD3003E6DKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 17 580 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 40 V (maxi)
-
5 A, 5 A Sans inversion
-
8,9 ns, 8,9 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-23-6
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADITR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 9 000 - Immédiatement
0,22284 € 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (maxi)
-
10 A, 10 A Sans inversion
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48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADICT-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 12 037 - Immédiatement
0,60000 € 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (maxi)
-
10 A, 10 A Sans inversion
-
48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
ZXGD3006E6QTA Datasheet ZXGD3006E6QTA - Diodes Incorporated ZXGD3006E6QTADIDKR-ND IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 12 037 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET SiC 40 V (maxi)
-
10 A, 10 A Sans inversion
-
48 ns, 35 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 SOT-26
FAN3100CSX Datasheet FAN3100CSX - ON Semiconductor FAN3100CSXTR-ND IC GATE DRVR SGL CMOS 2A SOT23-5 6 000 - Immédiatement
0,29883 € 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 4,5 V ~ 18 V
-
3 A, 3 A Avec inversion, Sans inversion
-
13 ns, 9 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3100CSX Datasheet FAN3100CSX - ON Semiconductor FAN3100CSXCT-ND IC GATE DRVR SGL CMOS 2A SOT23-5 6 124 - Immédiatement
0,73000 € 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 4,5 V ~ 18 V
-
3 A, 3 A Avec inversion, Sans inversion
-
13 ns, 9 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
FAN3100CSX Datasheet FAN3100CSX - ON Semiconductor FAN3100CSXDKR-ND IC GATE DRVR SGL CMOS 2A SOT23-5 6 124 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Simple 1 MOSFET à canal N 4,5 V ~ 18 V
-
3 A, 3 A Avec inversion, Sans inversion
-
13 ns, 9 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151TR-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 76 000 - Immédiatement
0,34665 € 2 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 30 V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151CT-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 77 910 - Immédiatement
0,90000 € 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 30 V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
IX4427MTR Datasheet IX4427MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4151DKR-ND IC MOSFET DVR NONINV 1.5A 8-DFN 77 910 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 30 V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
IX4427NTR Datasheet IX4427NTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4146TR-ND IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC 10 000 - Immédiatement
0,34665 € 2 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
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Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 30 V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
IX4427NTR Datasheet IX4427NTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4146CT-ND IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC 11 499 - Immédiatement
0,90000 € 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
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Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 30 V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
IX4427NTR Datasheet IX4427NTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4146DKR-ND IC MOSFET DRIVER 1.5A 8SOIC 11 499 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 30 V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
IX4428MTR Datasheet IX4428MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4152TR-ND IC MOSFET DVR INV/NON 1.5A 8-DFN 6 000 - Immédiatement
0,34665 € 2 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
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Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 30 V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Avec inversion, Sans inversion
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
IX4428MTR Datasheet IX4428MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4152CT-ND IC MOSFET DVR INV/NON 1.5A 8-DFN 7 421 - Immédiatement
0,90000 € 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
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Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 30 V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Avec inversion, Sans inversion
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10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
IX4428MTR Datasheet IX4428MTR - IXYS Integrated Circuits Division CLA4152DKR-ND IC MOSFET DVR INV/NON 1.5A 8-DFN 7 421 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Bas potentiel Indépendant 2 MOSFET à canal P, canal N 4,5 V ~ 30 V 0,8 V, 2,4 V 1,5 A, 1,5 A Avec inversion, Sans inversion
-
10 ns, 8 ns -55 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-VDFN plot exposé 8-DFN (3x3)
IRS2004STRPBF Datasheet IRS2004STRPBF - Infineon Technologies IRS2004STRPBFTR-ND IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC 5 000 - Immédiatement
0,37615 € 2 500 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
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Actif Demi-pont Synchrone 2 IGBT, MOSFET à canal N 10 V ~ 20 V 0,8 V, 2,5 V 290 mA, 600 mA Sans inversion 200V 70 ns, 35 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
IRS2004STRPBF Datasheet IRS2004STRPBF - Infineon Technologies IRS2004STRPBFCT-ND IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC 8 014 - Immédiatement
0,91000 € 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
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Actif Demi-pont Synchrone 2 IGBT, MOSFET à canal N 10 V ~ 20 V 0,8 V, 2,5 V 290 mA, 600 mA Sans inversion 200V 70 ns, 35 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
IRS2004STRPBF Datasheet IRS2004STRPBF - Infineon Technologies IRS2004STRPBFDKR-ND IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC 8 014 - Immédiatement
Digi-Reel® 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Demi-pont Synchrone 2 IGBT, MOSFET à canal N 10 V ~ 20 V 0,8 V, 2,5 V 290 mA, 600 mA Sans inversion 200V 70 ns, 35 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
IRS2127STRPBF Datasheet IRS2127STRPBF - Infineon Technologies IRS2127STRPBFTR-ND IC DVR CURRENT SENSE 1CH 8-SOIC 7 500 - Immédiatement
0,38381 € 2 500 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
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Actif Haut potentiel Simple 1 IGBT, MOSFET à canal N 12 V ~ 20 V 0,8 V, 2,5 V 290 mA, 600 mA Sans inversion 600V 80 ns, 40 ns -40 °C ~ 150 °C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) 8-SOIC
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10:05:58 7/21/2018