Index des produits > Produits à semiconducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules

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Série Statut de la pièce Type IGBT Configuration Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) Courant - Collecteur (Ic) (max.) Puissance max. Vce(on) (max) à Vge, Ic Courant - Résiduel collecteur-base (max.) Capacité d'entrée (Cies) à Vce Entrée Thermistance NTC Température d’utilisation Type de montage Boîtier Boîtier fournisseur
   
IXXN110N65C4H1 Datasheet IXXN110N65C4H1 - IXYS IXXN110N65C4H1-ND IGBT 650V 210A 750W SOT227B 483 - Immédiatement Disponible: 483 21,30000 € 1 Minimum : 1 GenX4™, XPT™ Actif PT Simple 650V 210A 750W 2,35V à 15V, 110A 50µA 3,69nF @ 25V Standard Non -55°C ~ 175°C (TJ) Montage sur châssis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
IXXN110N65B4H1 Datasheet IXXN110N65B4H1 - IXYS IXXN110N65B4H1-ND IGBT 650V 215A 750W SOT227B 219 - Immédiatement Disponible: 219 21,30000 € 1 Minimum : 1 GenX4™, XPT™ Actif PT Simple 650V 215A 750W 2,1V à 15V, 110A 50µA 3,65nF @ 25V Standard Non -55°C ~ 175°C (TJ) Montage sur châssis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
IXYN100N120C3H1 Datasheet IXYN100N120C3H1 - IXYS IXYN100N120C3H1-ND IGBT XPT 1200V 134A SOT-227B 147 - Immédiatement Disponible: 147 36,24000 € 1 Minimum : 1 XPT™, GenX3™ Actif
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Simple 1200V 134A 690W 3,5V à 15V, 100A 50µA 6nF @ 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
VS-CPV364M4FPBF Datasheet VS-CPV364M4FPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-CPV364M4FPBF-ND MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP 213 - Immédiatement Disponible: 213 38,22000 € 1 Minimum : 1
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Actif
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600V 27A 63W 1,5V à 15V, 15A 250µA 2,2nF @ 30V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Trou traversant 19-SIP (13 sorties), IMS-2 IMS-2
APT75GP120JDQ3 Datasheet APT75GP120JDQ3 - Microsemi Corporation APT75GP120JDQ3-ND IGBT 1200V 128A 543W SOT227 439 - Immédiatement Disponible: 439 39,77000 € 1 Minimum : 1 POWER MOS 7® Actif PT Simple 1200V 128A 543W 3,9V à 15V, 75A 1,25mA 7,04nF @ 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP ISOTOP®
VS-GT180DA120U Datasheet VS-GT180DA120U - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT180DA120U-ND IGBT 1200V SOT-227 114 - Immédiatement Disponible: 114 40,01000 € 1 Minimum : 1 HEXFRED® Actif À tranchées à champ limité Simple 1200V 281A 1087W 2,05V à 15V, 100A 100µA 9350pF @ 25V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227
VS-CPV364M4KPBF Datasheet VS-CPV364M4KPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division CPV364M4KPBF-ND IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2 160 - Immédiatement Disponible: 160 40,24000 € 1 Minimum : 1
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Actif
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Inverseur triphasé 600V 24A 63W 1,8V à 15V, 24A 250µA 1,6nF @ 30V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Trou traversant 19-SIP (13 sorties), IMS-2 IMS-2
APT150GN120JDQ4 Datasheet APT150GN120JDQ4 - Microsemi Corporation APT150GN120JDQ4-ND IGBT 1200V 215A 625W SOT227 168 - Immédiatement Disponible: 168 49,78000 € 1 Minimum : 1
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Actif À tranchées à champ limité Simple 1200V 215A 625W 2,1V à 15V, 150A 300µA 9,5nF @ 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis SOT-227-4, miniBLOC ISOTOP®
FZ400R12KE4HOSA1 Datasheet FZ400R12KE4HOSA1 - Infineon Technologies FZ400R12KE4HOSA1-ND IGBT MODULE 1200V 400A 32 - Immédiatement Disponible: 32 89,84000 € 1 Minimum : 1
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Actif À tranchées à champ limité Simple 1200V 400A 2400W 2,1V à 15V, 400A 5mA 28nF @ 25V Standard Oui -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis Module Module
FF300R12KT4HOSA1 Datasheet FF300R12KT4HOSA1 - Infineon Technologies FF300R12KT4HOSA1-ND IGBT MODULE 1200V 300A 66 - Immédiatement Disponible: 66 109,12000 € 1 Minimum : 1 C Actif À tranchées à champ limité Demi-pont 1200V 450A 1600W 2,15V à 15V, 300A 5mA 19nF @ 25V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis Module Module
FF200R17KE3HOSA1 Datasheet FF200R17KE3HOSA1 - Infineon Technologies FF200R17KE3HOSA1-ND IGBT MODULE 1700V 200A 124 - Immédiatement Disponible: 124 118,57000 € 1 Minimum : 1 C Actif À tranchées à champ limité Demi-pont 1700V 310A 1250W 2,45V à 15V, 200A 3mA 18nF @ 25V Standard Non -40°C ~ 125°C (TJ) Montage sur châssis Module Module
FF450R12KT4HOSA1 Datasheet FF450R12KT4HOSA1 - Infineon Technologies FF450R12KT4HOSA1-ND IGBT MODULE 1200V 450A 89 - Immédiatement Disponible: 89 138,29000 € 1 Minimum : 1 C Actif À tranchées à champ limité Demi-pont 1200V 580A 2400W 2,15V à 15V, 450A 5mA 28nF @ 25V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis Module Module
FS200R12KT4RBOSA1 Datasheet FS200R12KT4RBOSA1 - Infineon Technologies FS200R12KT4RBOSA1-ND IGBT MODULE 1200V 200A 32 - Immédiatement Disponible: 32 186,35000 € 1 Minimum : 1
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Actif NPT Inverseur triphasé 1200V 280A 1000W 2,15V à 15V, 200A 1mA 14nF @ 25V Standard Oui -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis Module Module
FF600R12ME4BOSA1 Datasheet Photo Not Available FF600R12ME4BOSA1-ND
IGBT MODULE VCES 600V 600A 72 - Immédiatement Disponible: 72 202,23000 € 1 Minimum : 1
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Actif À tranchées à champ limité 2 indépendantes 1200V
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4050W 2,1V à 15V, 600A 3mA 37nF @ 25V Standard Oui -40°C ~ 150°C Montage sur châssis Module Module
IXYN100N65C3H1 Datasheet IXYN100N65C3H1 - IXYS IXYN100N65C3H1-ND IGBT XPT 650V 166A SOT-227B 1 780 - Immédiatement Disponible: 1 780 22,46000 € 1 Minimum : 1 GenX3™, XPT™ Actif PT Simple 650V 166A 600W 2,3V à 15V, 70A 50µA 4,98nF @ 25V Standard Non -55°C ~ 175°C (TJ) Châssis, montage sur goujon SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
IXGN120N60A3D1 Datasheet IXGN120N60A3D1 - IXYS IXGN120N60A3D1-ND IGBT 200A 600V SOT-227B 113 - Immédiatement Disponible: 113 26,25000 € 1 Minimum : 1 GenX3™ Actif PT Simple 600V 200A 595W 1,35V à 15V, 100A 650µA 14,8nF @ 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
APT100GT120JU2 Datasheet APT100GT120JU2 - Microsemi Corporation APT100GT120JU2-ND IGBT 1200V 140A 480W SOT227 204 - Immédiatement Disponible: 204 31,51000 € 1 Minimum : 1
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Actif À tranchées à champ limité Simple 1200V 140A 480W 2,1V à 15V, 100A 5mA 7,2nF @ 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP SOT-227
IXYN82N120C3H1 Datasheet IXYN82N120C3H1 - IXYS IXYN82N120C3H1-ND IGBT MODULE 1200V 105A SOT227B 120 - Immédiatement Disponible: 120 33,87000 € 1 Minimum : 1 XPT™, GenX3™ Actif
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Simple 1200V 105A 500W 3,2V à 15V, 82A 50µA 4060pF @ 25V Standard Non -55°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis SOT-227-4, miniBLOC SOT-227B
VS-50MT060WHTAPBF Datasheet VS-50MT060WHTAPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-50MT060WHTAPBF-ND IGBT 600V 114A 658W MTP 190 - Immédiatement Disponible: 190 51,47000 € 1 Minimum : 1
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Actif
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Demi-pont 600V 114A 658W 3,2V à 15V, 100A 400µA 7,1nF @ 30V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis Module 12-MTP MTP
VS-GA250SA60S Datasheet VS-GA250SA60S - Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GA250SA60SGI-ND IGBT 600V 400A SOT227 206 - Immédiatement Disponible: 206 70,18000 € 1 Minimum : 1
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Actif
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Simple 600V 400A 961W 1,66V à 15V, 200A 1mA 16,25nF @ 30V Standard Non -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis SOT-227-4 SOT-227
FZ600R12KE3HOSA1 Datasheet FZ600R12KE3HOSA1 - Infineon Technologies FZ600R12KE3HOSA1-ND IGBT MODULE 1200V 600A 56 - Immédiatement Disponible: 56 118,57000 € 1 Minimum : 1
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Actif À tranchées à champ limité Simple 1200V 900A 2800W 2,15V à 15V, 600A 5mA 42nF @ 25V Standard Oui -40°C ~ 125°C (TJ) Montage sur châssis Module Module
FP75R12KT4B11BOSA1 Datasheet FP75R12KT4B11BOSA1 - Infineon Technologies FP75R12KT4B11BOSA1-ND IGBT MODULE 1200V 75A 85 - Immédiatement Disponible: 85 128,01000 € 1 Minimum : 1
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Actif À tranchées à champ limité Inverseur triphasé 1200V 75A 385W 2,15V à 15V, 75A 1mA 4,3nF @ 25V Standard Oui -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis Module Module
FF450R12ME4BOSA1 Datasheet FF450R12ME4BOSA1 - Infineon Technologies FF450R12ME4BOSA1-ND IGBT MODULE 1200V 450A 26 - Immédiatement Disponible: 26 150,76000 € 1 Minimum : 1
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Actif À tranchées à champ limité Demi-pont 1200V 675A 2250W 2,1V à 15V, 450A 3mA 28nF @ 25V Standard Oui -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis Module Module
FS150R12KT4BOSA1 Datasheet FS150R12KT4BOSA1 - Infineon Technologies FS150R12KT4BOSA1-ND IGBT MODULE 1200V 150A 36 - Immédiatement Disponible: 36 159,88000 € 1 Minimum : 1
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Actif À tranchées à champ limité Inverseur triphasé 1200V 150A 750W 2,1V à 15V, 150A 1mA
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Standard Oui -40°C ~ 150°C (TJ) Montage sur châssis Module Module
APT200GN60J Datasheet APT200GN60J - Microsemi Corporation APT200GN60J-ND IGBT 600V 283A 682W SOT227 141 - Immédiatement Disponible: 141 30,45000 € 1 Minimum : 1
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Actif À tranchées à champ limité Simple 600V 283A 682W 1,85V à 15V, 200A 25µA 14,1nF @ 25V Standard Non -55°C ~ 175°C (TJ) Montage sur châssis ISOTOP ISOTOP®
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