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Transistors - FET, MOSFET - Simples

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Comparer les pièces Datasheets Image Référence Digi-Key Référence fabricant Fabricant Description Quantité disponible
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La quantité minimum à commander est de Conditionnement Série Statut de la pièce Type de FET Technologies Tension drain-source (Vdss) Courant - Drain continu (Id) à 25°C Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) Rds On (max.) à Id, Vgs Vgs(th) (max.) à Id Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs Vgs (max.) Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds Fonction FET Dissipation de puissance (max.) Température de fonctionnement Type de montage Boîtier fournisseur Boîtier
   
SCT2080KEC Datasheet SCT2080KEC - Rohm Semiconductor SCT2080KEC-ND SCT2080KEC Rohm Semiconductor SICFET N-CH 1200V 40A TO247 2 102 - Immédiatement Disponible: 2 102 €21,51000
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Tube
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Pas pour les nouvelles conceptions Canal N SiCFET (carbure de silicium) 1200V 40 A (Tc) 18V 117mOhms à 10A, 18V 4V à 4,4mA 106nC @ 18V +22V, -6V 2080pF @ 800V
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262W (Tc) 175°C (TJ) Trou traversant TO-247 TO-247-3
SCT3030ALGC11 Datasheet SCT3030ALGC11 - Rohm Semiconductor SCT3030ALGC11-ND SCT3030ALGC11 Rohm Semiconductor SICFET N-CH 650V 70A TO247N 441 - Immédiatement Disponible: 441 €23,55000 1 Minimum : 1 Tube
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Actif Canal N SiCFET (carbure de silicium) 650V 70 A (Tc) 18V 39mOhms à 27A, 18V 5,6V à 13,3mA 104nC @ 18V +22V, -4V 1526pF @ 500V
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262W (Tc) 175°C (TJ) Trou traversant TO-247N TO-247-3
SCT3030ARC14 Datasheet SCT3030ARC14 - Rohm Semiconductor 846-SCT3030ARC14-ND SCT3030ARC14 Rohm Semiconductor SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L 180 - Immédiatement Disponible: 180 €38,69000 1 Minimum : 1 Tube
-
Actif Canal N SiCFET (carbure de silicium) 650V 70 A (Tc) 18V 39mOhms à 27A, 18V 5,6V à 13,3mA 104nC @ 18V +22V, -4V 1526pF @ 500V
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262W 175°C (TJ) Trou traversant TO-247-4L TO-247-4
SCT3040KRC14 Datasheet SCT3040KRC14 - Rohm Semiconductor 846-SCT3040KRC14-ND SCT3040KRC14 Rohm Semiconductor SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L 361 - Immédiatement Disponible: 361 €40,87000 1 Minimum : 1 Tube
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Actif Canal N SiCFET (carbure de silicium) 1200V 55 A (Tc) 18V 52mOhms à 20A, 18V 5,6V à 10mA 107nC @ 18V +22V, -4V 1337pF @ 800V
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262W 175°C (TJ) Trou traversant TO-247-4L TO-247-4
SCT3030KLGC11 Datasheet SCT3030KLGC11 - Rohm Semiconductor SCT3030KLGC11-ND SCT3030KLGC11 Rohm Semiconductor SICFET N-CH 1200V 72A TO247N 321 - Immédiatement Disponible: 321 €61,36000 1 Minimum : 1 Tube
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Actif Canal N SiCFET (carbure de silicium) 1200V 72 A (Tc) 18V 39mOhms à 27A, 18V 5,6V à 13,3mA 131nC @ 18V +22V, -4V 2222pF @ 800V
-
339W (Tc) 175°C (TJ) Trou traversant TO-247N TO-247-3
SCT3022KLHRC11 Datasheet SCT3022KLHRC11 - Rohm Semiconductor SCT3022KLHRC11-ND SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor SICFET N-CH 1200V 95A TO247N 649 - Immédiatement Disponible: 649 €105,10000 1 Minimum : 1 Tube Automotive, AEC-Q101 Actif Canal N SiCFET (carbure de silicium) 1200V 95 A (Tc) 18V 28,6mOhms à 36A, 18V 5,6V à 18,2mA 178nC @ 18V +22V, -4V 2879pF @ 800V
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427W 175°C (TJ) Trou traversant TO-247N TO-247-3
RV1C002UNT2CL Datasheet RV1C002UNT2CL - Rohm Semiconductor RV1C002UNT2CLTR-ND RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806 120 000 - Immédiatement Disponible: 120 000 €0,04596 8 000 Minimum : 8 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N MOSFET (oxyde métallique) 20V 150mA (Ta) 1,2V, 4,5V 2Ohms à 150mA, 4,5V 1V à 100µA
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±8V 12pF @ 10V
-
100mW (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface VML0806 3-SMD, sans plomb
RV1C002UNT2CL Datasheet RV1C002UNT2CL - Rohm Semiconductor RV1C002UNT2CLCT-ND RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806 126 742 - Immédiatement Disponible: 126 742 €0,30000 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N MOSFET (oxyde métallique) 20V 150mA (Ta) 1,2V, 4,5V 2Ohms à 150mA, 4,5V 1V à 100µA
-
±8V 12pF @ 10V
-
100mW (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface VML0806 3-SMD, sans plomb
RV1C002UNT2CL Datasheet RV1C002UNT2CL - Rohm Semiconductor RV1C002UNT2CLDKR-ND RV1C002UNT2CL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806 126 742 - Immédiatement Disponible: 126 742 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N MOSFET (oxyde métallique) 20V 150mA (Ta) 1,2V, 4,5V 2Ohms à 150mA, 4,5V 1V à 100µA
-
±8V 12pF @ 10V
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100mW (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface VML0806 3-SMD, sans plomb
RUM001L02T2CL Datasheet RUM001L02T2CL - Rohm Semiconductor RUM001L02T2CLTR-ND RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 224 000 - Immédiatement Disponible: 224 000 €0,04767 8 000 Minimum : 8 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N MOSFET (oxyde métallique) 20V 100mA (Ta) 1,2V, 4,5V 3,5Ohms à 100mA, 4,5V 1V à 100µA
-
±8V 7,1pF @ 10V
-
150mW (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface VMT3 SOT-723
RUM001L02T2CL Datasheet RUM001L02T2CL - Rohm Semiconductor RUM001L02T2CLCT-ND RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 224 462 - Immédiatement Disponible: 224 462 €0,31000 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N MOSFET (oxyde métallique) 20V 100mA (Ta) 1,2V, 4,5V 3,5Ohms à 100mA, 4,5V 1V à 100µA
-
±8V 7,1pF @ 10V
-
150mW (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface VMT3 SOT-723
RUM001L02T2CL Datasheet RUM001L02T2CL - Rohm Semiconductor RUM001L02T2CLDKR-ND RUM001L02T2CL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 224 462 - Immédiatement Disponible: 224 462 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N MOSFET (oxyde métallique) 20V 100mA (Ta) 1,2V, 4,5V 3,5Ohms à 100mA, 4,5V 1V à 100µA
-
±8V 7,1pF @ 10V
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150mW (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface VMT3 SOT-723
2SK3019TL Datasheet 2SK3019TL - Rohm Semiconductor 2SK3019TLTR-ND 2SK3019TL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3 315 000 - Immédiatement Disponible: 315 000 €0,06140
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Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Pas pour les nouvelles conceptions Canal N MOSFET (oxyde métallique) 30V 100mA (Ta) 2,5V, 4V 8Ohms à 10mA, 4V 1,5V à 100µA
-
±20V 13pF @ 5V
-
150mW (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface EMT3 SC-75, SOT-416
2SK3019TL Datasheet 2SK3019TL - Rohm Semiconductor 2SK3019TLCT-ND 2SK3019TL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3 318 634 - Immédiatement Disponible: 318 634 €0,35000
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Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Pas pour les nouvelles conceptions Canal N MOSFET (oxyde métallique) 30V 100mA (Ta) 2,5V, 4V 8Ohms à 10mA, 4V 1,5V à 100µA
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±20V 13pF @ 5V
-
150mW (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface EMT3 SC-75, SOT-416
2SK3019TL Datasheet 2SK3019TL - Rohm Semiconductor 2SK3019TLDKR-ND 2SK3019TL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3 318 634 - Immédiatement Disponible: 318 634 Digi-Reel®
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Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Pas pour les nouvelles conceptions Canal N MOSFET (oxyde métallique) 30V 100mA (Ta) 2,5V, 4V 8Ohms à 10mA, 4V 1,5V à 100µA
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±20V 13pF @ 5V
-
150mW (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface EMT3 SC-75, SOT-416
2SK3541T2L Datasheet 2SK3541T2L - Rohm Semiconductor 2SK3541T2LTR-ND 2SK3541T2L Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3 184 000 - Immédiatement Disponible: 184 000 €0,06179
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Bande et bobine
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions Canal N MOSFET (oxyde métallique) 30V 100mA (Ta) 2,5V, 4V 8Ohms à 10mA, 4V 1,5V à 100µA
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±20V 13pF @ 5V
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150mW (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface VMT3 SOT-723
2SK3541T2L Datasheet 2SK3541T2L - Rohm Semiconductor 2SK3541T2LCT-ND 2SK3541T2L Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3 189 509 - Immédiatement Disponible: 189 509 €0,37000
-
Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Pas pour les nouvelles conceptions Canal N MOSFET (oxyde métallique) 30V 100mA (Ta) 2,5V, 4V 8Ohms à 10mA, 4V 1,5V à 100µA
-
±20V 13pF @ 5V
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150mW (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface VMT3 SOT-723
2SK3541T2L Datasheet 2SK3541T2L - Rohm Semiconductor 2SK3541T2LDKR-ND 2SK3541T2L Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3 189 509 - Immédiatement Disponible: 189 509 Digi-Reel®
-
Digi-Reel®
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions Canal N MOSFET (oxyde métallique) 30V 100mA (Ta) 2,5V, 4V 8Ohms à 10mA, 4V 1,5V à 100µA
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±20V 13pF @ 5V
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150mW (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface VMT3 SOT-723
RQ3E100BNTB Datasheet RQ3E100BNTB - Rohm Semiconductor RQ3E100BNTBTR-ND RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT 45 000 - Immédiatement Disponible: 45 000 €0,10226 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N MOSFET (oxyde métallique) 30V 10 A (Ta) 4,5V, 10V 10,4mOhms à 10A, 10V 2,5V à 1mA 22nC @ 10V ±20V 1100pF @ 15V
-
2W (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3) 8-PowerVDFN
RQ3E100BNTB Datasheet RQ3E100BNTB - Rohm Semiconductor RQ3E100BNTBCT-ND RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT 25 - Immédiatement Disponible: 25 €0,36000 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
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Actif Canal N MOSFET (oxyde métallique) 30V 10 A (Ta) 4,5V, 10V 10,4mOhms à 10A, 10V 2,5V à 1mA 22nC @ 10V ±20V 1100pF @ 15V
-
2W (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3) 8-PowerVDFN
RQ3E100BNTB Datasheet RQ3E100BNTB - Rohm Semiconductor RQ3E100BNTBDKR-ND RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT 25 - Immédiatement Disponible: 25 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N MOSFET (oxyde métallique) 30V 10 A (Ta) 4,5V, 10V 10,4mOhms à 10A, 10V 2,5V à 1mA 22nC @ 10V ±20V 1100pF @ 15V
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2W (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3) 8-PowerVDFN
RV3C002UNT2CL Datasheet RV3C002UNT2CL - Rohm Semiconductor RV3C002UNT2CLTR-ND RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604 56 000 - Immédiatement Disponible: 56 000 €0,10493 8 000 Minimum : 8 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N MOSFET (oxyde métallique) 20V 150mA (Ta) 1,5V, 4,5V 2Ohms à 150mA, 4,5V 1V à 100µA
-
±10V 12pF @ 10V
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100mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface VML0604 3-XFDFN
RV3C002UNT2CL Datasheet RV3C002UNT2CL - Rohm Semiconductor RV3C002UNT2CLCT-ND RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604 25 - Immédiatement Disponible: 25 €0,39000 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N MOSFET (oxyde métallique) 20V 150mA (Ta) 1,5V, 4,5V 2Ohms à 150mA, 4,5V 1V à 100µA
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±10V 12pF @ 10V
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100mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface VML0604 3-XFDFN
RV3C002UNT2CL Datasheet RV3C002UNT2CL - Rohm Semiconductor RV3C002UNT2CLDKR-ND RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604 25 - Immédiatement Disponible: 25 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N MOSFET (oxyde métallique) 20V 150mA (Ta) 1,5V, 4,5V 2Ohms à 150mA, 4,5V 1V à 100µA
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±10V 12pF @ 10V
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100mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface VML0604 3-XFDFN
RTR025N03TL Datasheet RTR025N03TL - Rohm Semiconductor RTR025N03TLTR-ND RTR025N03TL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 15 000 - Immédiatement Disponible: 15 000 €0,15666
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Bande et bobine
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions Canal N MOSFET (oxyde métallique) 30V 2,5 A (Ta) 2,5V, 4,5V 92mOhms à 2,5A, 4,5V 1,5V à 1mA 4,6nC @ 4,5V 12V 220pF @ 10V
-
1W (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface TSMT3 SC-96
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00:00:36 10/19/2021