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Transistors - FET, MOSFET - RF

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BLP8G27-10Z Datasheet BLP8G27-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12816-2-ND BLP8G27-10Z RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 1 500 - Immédiatement Disponible: 1 500 9,69568 € 500 Minimum : 500 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS (double), Source commune 2,14GHz 17dB 28V
-
-
110mA 2W 65V 16-VDFN plot exposé 16-HVSON (6x4)
BLP8G27-10Z Datasheet BLP8G27-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12816-1-ND BLP8G27-10Z RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 1 627 - Immédiatement Disponible: 1 627 14,05000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS (double), Source commune 2,14GHz 17dB 28V
-
-
110mA 2W 65V 16-VDFN plot exposé 16-HVSON (6x4)
BLP8G27-10Z Datasheet BLP8G27-10Z - Ampleon USA Inc. 568-12816-6-ND BLP8G27-10Z RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 1 627 - Immédiatement Disponible: 1 627 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS (double), Source commune 2,14GHz 17dB 28V
-
-
110mA 2W 65V 16-VDFN plot exposé 16-HVSON (6x4)
CGHV60040D-GP4 Datasheet CGHV60040D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGHV60040D-GP4-ND CGHV60040D-GP4 RF MOSFET HEMT 50V DIE 180 - Immédiatement Disponible: 180 32,18200 € 10 Minimum : 10 Plateau GaN Actif HEMT 6GHz 17dB 50V
-
-
65mA 40W 150V MATRICE MATRICE
BLM7G1822S-80PBGY Datasheet BLM7G1822S-80PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12804-2-ND BLM7G1822S-80PBGY RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 300 - Immédiatement Disponible: 300 39,28780 € 100 Minimum : 100 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS (double) 2,17GHz 28dB 28V
-
-
240mA 8W 65V SOT-1212-2 16-HSOP
BLM7G1822S-80PBGY Datasheet BLM7G1822S-80PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12804-1-ND BLM7G1822S-80PBGY RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 314 - Immédiatement Disponible: 314 48,50000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS (double) 2,17GHz 28dB 28V
-
-
240mA 8W 65V SOT-1212-2 16-HSOP
BLM7G1822S-80PBGY Datasheet BLM7G1822S-80PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12804-6-ND BLM7G1822S-80PBGY RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 314 - Immédiatement Disponible: 314 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS (double) 2,17GHz 28dB 28V
-
-
240mA 8W 65V SOT-1212-2 16-HSOP
MRF6V2150NBR1 Datasheet MRF6V2150NBR1 - NXP USA Inc. MRF6V2150NBR1TR-ND MRF6V2150NBR1 FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 500 - Immédiatement Disponible: 500 43,22282 €
-
Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Date de dernière disponibilité LDMOS 220MHz 25dB 50V
-
-
450mA 150W 110V TO-272BB TO-272 WB-4
MRF6V2150NBR1 Datasheet MRF6V2150NBR1 - NXP USA Inc. MRF6V2150NBR1CT-ND MRF6V2150NBR1 FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 955 - Immédiatement Disponible: 955 53,61000 €
-
Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Date de dernière disponibilité LDMOS 220MHz 25dB 50V
-
-
450mA 150W 110V TO-272BB TO-272 WB-4
MRF6V2150NBR1 Datasheet MRF6V2150NBR1 - NXP USA Inc. MRF6V2150NBR1DKR-ND MRF6V2150NBR1 FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 955 - Immédiatement Disponible: 955 Digi-Reel®
-
Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Date de dernière disponibilité LDMOS 220MHz 25dB 50V
-
-
450mA 150W 110V TO-272BB TO-272 WB-4
BLF871,112 Datasheet BLF871,112 - Ampleon USA Inc. 568-4737-ND
BLF871,112 RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467C 202 - Immédiatement Disponible: 202 121,26000 €
-
Plateau
-
Obsolète LDMOS 860MHz 19dB 40V
-
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500mA 100W 89V SOT467C SOT467C
BLF888B,112 Datasheet BLF888B,112 - Ampleon USA Inc. 568-12830-ND BLF888B,112 RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A 154 - Immédiatement Disponible: 154 208,85000 €
-
Plateau
-
Pas pour les nouvelles conceptions LDMOS (double), Source commune 860MHz 21dB 50V
-
-
1,3A 250W 104V SOT539A SOT539A
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSTR-ND MMBFJ310LT1G RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 3 000 - Immédiatement Disponible: 3 000 0,11861 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N JFET
-
12dB 10V 60mA
-
10mA
-
25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSCT-ND MMBFJ310LT1G RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 3 379 - Immédiatement Disponible: 3 379 0,41000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N JFET
-
12dB 10V 60mA
-
10mA
-
25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSDKR-ND MMBFJ310LT1G RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 3 379 - Immédiatement Disponible: 3 379 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N JFET
-
12dB 10V 60mA
-
10mA
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25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-2-ND PD85004 FET RF 40V 870MHZ 12 500 - Immédiatement Disponible: 12 500 1,49539 € 2 500 Minimum : 2 500 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 870MHz 17dB 13,6V 2A
-
50mA 4W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-1-ND PD85004 FET RF 40V 870MHZ 12 716 - Immédiatement Disponible: 12 716 2,98000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 870MHz 17dB 13,6V 2A
-
50mA 4W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-6-ND PD85004 FET RF 40V 870MHZ 12 716 - Immédiatement Disponible: 12 716 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 870MHz 17dB 13,6V 2A
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50mA 4W 40V TO-243AA SOT-89
NPTB00004A Datasheet NPTB00004A - M/A-Com Technology Solutions 1465-1410-ND NPTB00004A HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC 248 - Immédiatement Disponible: 248 13,23000 € 1 Minimum : 1 Tube
-
Actif HEMT 0Hz ~ 6GHz 14,8dB 28V 1,4A
-
50mA 4W 100V 8-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-2-ND BLP10H610AZ RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 600 - Immédiatement Disponible: 600 19,74067 € 60 Minimum : 60 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS (double), Source commune 860MHz 22dB 50V
-
-
60mA 10W 104V 12-VDFN plot exposé 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-1-ND BLP10H610AZ RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 734 - Immédiatement Disponible: 734 22,41000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS (double), Source commune 860MHz 22dB 50V
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60mA 10W 104V 12-VDFN plot exposé 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-6-ND BLP10H610AZ RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 734 - Immédiatement Disponible: 734 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
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Actif LDMOS (double), Source commune 860MHz 22dB 50V
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60mA 10W 104V 12-VDFN plot exposé 12-HVSON (6x5)
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BLM9D2327-26BZ - Ampleon USA Inc. 1603-1196-2-ND BLM9D2327-26BZ BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP 1 000 - Immédiatement Disponible: 1 000 23,78346 € 500 Minimum : 500 Bande et bobine
Emballage Alternatif
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Actif LDMOS 2,3GHz ~ 2,7GHz 27dB 28V 1,4µA
-
76mA 44,9dBm 28V 20-QFN plot exposé 20-PQFN (8x8)
-
BLM9D2327-26BZ - Ampleon USA Inc. 1603-1196-1-ND BLM9D2327-26BZ BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP 1 011 - Immédiatement Disponible: 1 011 33,26000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
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Actif LDMOS 2,3GHz ~ 2,7GHz 27dB 28V 1,4µA
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76mA 44,9dBm 28V 20-QFN plot exposé 20-PQFN (8x8)
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BLM9D2327-26BZ - Ampleon USA Inc. 1603-1196-6-ND BLM9D2327-26BZ BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP 1 011 - Immédiatement Disponible: 1 011 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
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Actif LDMOS 2,3GHz ~ 2,7GHz 27dB 28V 1,4µA
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76mA 44,9dBm 28V 20-QFN plot exposé 20-PQFN (8x8)
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