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Index des produits > Produits à semiconducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF

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Comparer les pièces Datasheets Image Référence Digi-Key Référence fabricant Fabricant Description Quantité disponible
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PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-2-ND PD85004 FET RF 40V 870MHZ 5 000 - Immédiatement Disponible: 5 000 1,47624 € 2 500 Minimum : 2 500 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 870MHz 17dB 13,6V 2A
-
50mA 4W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-1-ND PD85004 FET RF 40V 870MHZ 7 498 - Immédiatement Disponible: 7 498 3,03000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 870MHz 17dB 13,6V 2A
-
50mA 4W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-6-ND PD85004 FET RF 40V 870MHZ 7 498 - Immédiatement Disponible: 7 498 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 870MHz 17dB 13,6V 2A
-
50mA 4W 40V TO-243AA SOT-89
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-2-ND BLP9G0722-20GZ RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 500 - Immédiatement Disponible: 500 12,43884 € 500 Minimum : 500 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 400MHz ~ 2,7GHz 19dB 28V 1,4µA
-
180mA 43dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-1-ND BLP9G0722-20GZ RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 812 - Immédiatement Disponible: 812 18,55000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 400MHz ~ 2,7GHz 19dB 28V 1,4µA
-
180mA 43dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-6-ND BLP9G0722-20GZ RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 812 - Immédiatement Disponible: 812 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 400MHz ~ 2,7GHz 19dB 28V 1,4µA
-
180mA 43dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
NPTB00004A Datasheet NPTB00004A - M/A-Com Technology Solutions 1465-1410-ND NPTB00004A HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC 177 - Immédiatement Disponible: 177 13,17000 € 1 Minimum : 1 Tube
-
Actif HEMT 0Hz ~ 6GHz 14,8dB 28V 1,4A
-
50mA 4W 100V 8-SOIC (0,154po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
BLP27M810Z Datasheet BLP27M810Z - Ampleon USA Inc. 1603-1032-2-ND BLP27M810Z RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 500 - Immédiatement Disponible: 500 13,83786 € 500 Minimum : 500 Bande et bobine
-
Actif LDMOS (double), Source commune 2,14GHz 17dB 28V
-
-
110mA 2W 65V 16-VDFN plot exposé 16-HVSON (6x4)
BLP27M810Z Datasheet BLP27M810Z - Ampleon USA Inc. 1603-1032-1-ND BLP27M810Z RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 740 - Immédiatement Disponible: 740 18,97000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
-
Actif LDMOS (double), Source commune 2,14GHz 17dB 28V
-
-
110mA 2W 65V 16-VDFN plot exposé 16-HVSON (6x4)
BLP27M810Z Datasheet BLP27M810Z - Ampleon USA Inc. 1603-1032-6-ND BLP27M810Z RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 740 - Immédiatement Disponible: 740 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
-
Actif LDMOS (double), Source commune 2,14GHz 17dB 28V
-
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110mA 2W 65V 16-VDFN plot exposé 16-HVSON (6x4)
CGH60008D-GP4 Datasheet CGH60008D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGH60008D-ND CGH60008D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE 219 - Immédiatement Disponible: 219 18,67300 € 10 Minimum : 10 Plateau GaN Actif HEMT 6GHz 15dB 28V
-
-
100mA 8W 84V MATRICE MATRICE
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006STR-ND CGH40006S RF MOSFET HEMT 28V 6QFN 1 200 - Immédiatement Disponible: 1 200 24,50910 € 200 Minimum : 200 Bande et bobine
Emballage Alternatif
GaN Actif HEMT 0Hz ~ 6GHz 12dB 28V
-
-
100mA 8W 84V 6-VDFN plot exposé 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SCT-ND CGH40006S RF MOSFET HEMT 28V 6QFN 1 290 - Immédiatement Disponible: 1 290 25,06000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
GaN Actif HEMT 0Hz ~ 6GHz 12dB 28V
-
-
100mA 8W 84V 6-VDFN plot exposé 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SDKR-ND CGH40006S RF MOSFET HEMT 28V 6QFN 1 290 - Immédiatement Disponible: 1 290 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
GaN Actif HEMT 0Hz ~ 6GHz 12dB 28V
-
-
100mA 8W 84V 6-VDFN plot exposé 6-QFN-EP (3x3)
BLM7G1822S-40PBGY Datasheet BLM7G1822S-40PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12800-2-ND BLM7G1822S-40PBGY RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 200 - Immédiatement Disponible: 200 29,18890 € 100 Minimum : 100 Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS (double) 1,81GHz ~ 2,17GHz 31,5dB 28V
-
-
40mA 4W 65V SOT-1212-3 16-HSOP
BLM7G1822S-40PBGY Datasheet BLM7G1822S-40PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12800-1-ND BLM7G1822S-40PBGY RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 293 - Immédiatement Disponible: 293 37,80000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS (double) 1,81GHz ~ 2,17GHz 31,5dB 28V
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-
40mA 4W 65V SOT-1212-3 16-HSOP
BLM7G1822S-40PBGY Datasheet BLM7G1822S-40PBGY - Ampleon USA Inc. 568-12800-6-ND BLM7G1822S-40PBGY RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 293 - Immédiatement Disponible: 293 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS (double) 1,81GHz ~ 2,17GHz 31,5dB 28V
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40mA 4W 65V SOT-1212-3 16-HSOP
PD57018-E Datasheet PD57018-E - STMicroelectronics 497-5305-5-ND PD57018-E FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 177 - Immédiatement Disponible: 177 29,48000 € 1 Minimum : 1 Tube
-
Actif LDMOS 945MHz 16,5dB 28V 2,5A
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100mA 18W 65V PowerSO-10 pastille inférieure visible 10-PowerSO
IXZ2210N50L2 Datasheet IXZ2210N50L2 - IXYS-RF IXZ2210N50L2-ND IXZ2210N50L2 RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 520 - Immédiatement Disponible: 520 33,94000 € 1 Minimum : 1 Tube Z-MOS™ Actif 2 canaux N (double) 70MHz 17dB 100V 10A
-
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270W 500V 8-SMD, sortie plate, plot exposé
-
BLF6G21-10G,135 Datasheet BLF6G21-10G,135 - Ampleon USA Inc. BLF6G21-10G,135-ND BLF6G21-10G,135 RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 0 Disponible: 0
Délai d'approvisionnement standard 13 semaines
25,75376 € 500
Non stocké
Minimum : 500
Bande et bobine
Emballage Alternatif
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Actif LDMOS 2,11GHz ~ 2,17GHz 18,5dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF6G21-10G,112 Datasheet BLF6G21-10G,112 - Ampleon USA Inc. 568-5104-ND BLF6G21-10G,112 RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 287 - Immédiatement Disponible: 287 34,66000 € 1 Minimum : 1 Plateau
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 2,11GHz ~ 2,17GHz 18,5dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF640U Datasheet BLF640U - Ampleon USA Inc. 568-12824-ND BLF640U RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 276 - Immédiatement Disponible: 276 35,46000 €
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Plateau
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Pas pour les nouvelles conceptions LDMOS 2,11GHz ~ 2,17GHz 18,5dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
CGH40006P Datasheet CGH40006P - Cree/Wolfspeed CGH40006P-ND CGH40006P RF MOSFET HEMT 28V 440109 293 - Immédiatement Disponible: 293 42,08000 € 1 Minimum : 1 Tube GaN Actif HEMT 0Hz ~ 6GHz 13dB 28V 3,5A
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100mA 8W 84V 440109 440109
CGHV27030S Datasheet CGHV27030S - Cree/Wolfspeed CGHV27030STR-ND CGHV27030S RF MOSFET HEMT 50V 12DFN 0 Disponible: 0
Délai d'approvisionnement standard 8 semaines
43,01080 € 250 Minimum : 250 Bande et bobine
Emballage Alternatif
GaN Actif HEMT 6GHz 20,4dB 50V
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130mA 30W 125V 12-VFDFN plot exposé 12-DFN (4x3)
CGHV27030S Datasheet CGHV27030S - Cree/Wolfspeed CGHV27030SCT-ND CGHV27030S RF MOSFET HEMT 50V 12DFN 211 - Immédiatement Disponible: 211 41,89000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
GaN Actif HEMT 6GHz 20,4dB 50V
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130mA 30W 125V 12-VFDFN plot exposé 12-DFN (4x3)
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