Index des produits > Produits à semiconducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF

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Conditionnement Série Statut de la pièce Type de transistor Fréquence Gain Tension - test Courant nominal (A) Facteur de bruit Courant - Test Alimentation - sortie Tension - Nominale Boîtier Boîtier fournisseur
   
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSTR-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 51 000 - Immédiatement
1 506 000 - Stock usine ?
Disponible: 51 000
0,12669 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N JFET
-
12 dB 10V 60mA
-
10mA
-
25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSCT-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 52 634 - Immédiatement
1 506 000 - Stock usine ?
Disponible: 52 634
0,46000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N JFET
-
12 dB 10V 60mA
-
10mA
-
25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSDKR-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 52 634 - Immédiatement
1 506 000 - Stock usine ?
Disponible: 52 634
Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N JFET
-
12 dB 10V 60mA
-
10mA
-
25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1TR-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 10 000 - Immédiatement Disponible: 10 000 0,36655 € 10 000 Minimum : 10 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif pHEMT FET 12GHz 13,7 dB 2V 15mA 0,5dB 10mA 125mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1CT-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 10 000 - Immédiatement Disponible: 10 000 1,03000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif pHEMT FET 12GHz 13,7 dB 2V 15mA 0,5dB 10mA 125mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1DKR-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 10 000 - Immédiatement Disponible: 10 000 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif pHEMT FET 12GHz 13,7 dB 2V 15mA 0,5dB 10mA 125mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-2-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 500 - Immédiatement Disponible: 500 12,23512 € 500 Minimum : 500 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 400MHz ~ 2,7GHz 19 dB 28V 1,4µA
-
180mA 43dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-1-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 730 - Immédiatement Disponible: 730 18,25000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 400MHz ~ 2,7GHz 19 dB 28V 1,4µA
-
180mA 43dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-6-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 730 - Immédiatement Disponible: 730 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 400MHz ~ 2,7GHz 19 dB 28V 1,4µA
-
180mA 43dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
CGH60008D-GP4 Datasheet CGH60008D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGH60008D-ND RF MOSFET HEMT 28V DIE 209 - Immédiatement Disponible: 209 17,44200 € 10 Minimum : 10 Plateau? GaN Actif HEMT 6GHz 15 dB 28V
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-
100mA 8W 84V MATRICE MATRICE
PD85025TR-E Datasheet PD85025TR-E - STMicroelectronics 497-12514-2-ND TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 600 - Immédiatement Disponible: 600 18,32683 € 600 Minimum : 600 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 870MHz 17,3 dB 13,6V 7A
-
300mA 10W 40V PowerSO-10RF pastille inférieure visible (2 sorties formées) PowerSO-10RF (fil de connexion formée)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-2-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 300 - Immédiatement Disponible: 300 19,16883 € 60 Minimum : 60 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS (double), Source commune 860MHz 22 dB 50V
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-
60mA 10W 104V 12-VDFN plot exposé 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-1-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 367 - Immédiatement Disponible: 367 22,42000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS (double), Source commune 860MHz 22 dB 50V
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-
60mA 10W 104V 12-VDFN plot exposé 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-6-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 367 - Immédiatement Disponible: 367 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS (double), Source commune 860MHz 22 dB 50V
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-
60mA 10W 104V 12-VDFN plot exposé 12-HVSON (6x5)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006STR-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 800 - Immédiatement Disponible: 800 24,10775 € 200 Minimum : 200 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
GaN Actif HEMT 0 Hz ~ 6GHz 12 dB 28V
-
-
100mA 8W 84V 6-VDFN plot exposé 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SCT-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 956 - Immédiatement Disponible: 956 24,55000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
GaN Actif HEMT 0 Hz ~ 6GHz 12 dB 28V
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100mA 8W 84V 6-VDFN plot exposé 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SDKR-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 956 - Immédiatement Disponible: 956 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
GaN Actif HEMT 0 Hz ~ 6GHz 12 dB 28V
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100mA 8W 84V 6-VDFN plot exposé 6-QFN-EP (3x3)
PD57018-E Datasheet PD57018-E - STMicroelectronics 497-5305-5-ND FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 229 - Immédiatement Disponible: 229 28,99000 € 1 Minimum : 1 Tube?
-
Actif LDMOS 945MHz 16,5 dB 28V 2,5A
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100mA 18W 65V PowerSO-10 pastille inférieure visible 10-PowerSO
BLF6G21-10G,135 Datasheet BLF6G21-10G,135 - Ampleon USA Inc. BLF6G21-10G,135-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 0 Disponible: 0
Délai d'approvisionnement standard 13 semaines
25,33198 € 500
Non stocké
?
Minimum : 500
Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 2,11GHz ~ 2,17GHz 18,5dB 28V
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-
100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF6G21-10G,112 Datasheet BLF6G21-10G,112 - Ampleon USA Inc. 568-5104-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 375 - Immédiatement Disponible: 375 34,10000 € 1 Minimum : 1 Plateau?
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 2,11GHz ~ 2,17GHz 18,5dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
IXZ2210N50L2 Datasheet IXZ2210N50L2 - IXYS-RF IXZ2210N50L2-ND RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 620 - Immédiatement Disponible: 620 34,50000 € 1 Minimum : 1 Tube? Z-MOS™ Actif 2 canaux N (double) 70MHz 17dB 100V 10A
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270W 500V 8-SMD, sortie plate, plot exposé
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BLF640U Datasheet BLF640U - Ampleon USA Inc. 568-12824-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 311 - Immédiatement Disponible: 311 34,88000 €
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Plateau?
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Pas pour les nouvelles conceptions LDMOS 2,11GHz ~ 2,17GHz 18,5dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
CGHV1F006S Datasheet CGHV1F006S - Cree/Wolfspeed CGHV1F006STR-ND RF MOSFET HEMT 40V 12DFN 250 - Immédiatement Disponible: 250 35,68864 € 250 Minimum : 250 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
GaN Actif HEMT 6GHz 16dB 40V 950mA
-
60mA 8W 100V 12-VFDFN plot exposé 12-DFN (4x3)
CGHV1F006S Datasheet CGHV1F006S - Cree/Wolfspeed CGHV1F006SCT-ND RF MOSFET HEMT 40V 12DFN 279 - Immédiatement Disponible: 279 39,98000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
GaN Actif HEMT 6GHz 16dB 40V 950mA
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60mA 8W 100V 12-VFDFN plot exposé 12-DFN (4x3)
CGHV1F006S Datasheet CGHV1F006S - Cree/Wolfspeed CGHV1F006SDKR-ND RF MOSFET HEMT 40V 12DFN 279 - Immédiatement Disponible: 279 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
GaN Actif HEMT 6GHz 16dB 40V 950mA
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60mA 8W 100V 12-VFDFN plot exposé 12-DFN (4x3)
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