Index des produits > Produits à semiconducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF

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Conditionnement Série Statut de la pièce Type de transistor Fréquence Gain Tension - test Courant nominal Facteur de bruit Courant - Test Alimentation - sortie Tension - Nominale Boîtier Boîtier fournisseur
   
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSTR-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 15 000 - Immédiatement Disponible: 15 000 0,12274 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N JFET
-
12 dB 10V 60 mA
-
10mA
-
25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSCT-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 17 000 - Immédiatement Disponible: 17 000 0,44000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N JFET
-
12 dB 10V 60 mA
-
10mA
-
25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSDKR-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 17 000 - Immédiatement Disponible: 17 000 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif Canal N JFET
-
12 dB 10V 60 mA
-
10mA
-
25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1TR-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 10 000 - Immédiatement Disponible: 10 000 0,35512 € 10 000 Minimum : 10 000 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif pHEMT FET 12GHz 13,7 dB 2V 15 mA 0,5 dB 10mA 125 mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1CT-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 16 048 - Immédiatement Disponible: 16 048 1,00000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif pHEMT FET 12GHz 13,7 dB 2V 15 mA 0,5 dB 10mA 125 mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1DKR-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 16 048 - Immédiatement Disponible: 16 048 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif pHEMT FET 12GHz 13,7 dB 2V 15 mA 0,5 dB 10mA 125 mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-2-ND FET RF 40V 870MHZ 5 000 - Immédiatement Disponible: 5 000 1,40680 € 2 500 Minimum : 2 500 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 870MHz 17 dB 13,6V 2 A
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50mA 4 W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-1-ND FET RF 40V 870MHZ 5 167 - Immédiatement Disponible: 5 167 2,89000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 870MHz 17 dB 13,6V 2 A
-
50mA 4 W 40V TO-243AA SOT-89
PD85004 Datasheet PD85004 - STMicroelectronics 497-8291-6-ND FET RF 40V 870MHZ 5 167 - Immédiatement Disponible: 5 167 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 870MHz 17 dB 13,6V 2 A
-
50mA 4 W 40V TO-243AA SOT-89
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-2-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 500 - Immédiatement Disponible: 500 11,85368 € 500 Minimum : 500 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 400MHz ~ 2,7GHz 19 dB 28V 1,4µA
-
180mA 43 dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-1-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 532 - Immédiatement Disponible: 532 17,68000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
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Actif LDMOS 400MHz ~ 2,7GHz 19 dB 28V 1,4µA
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180mA 43 dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-6-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 532 - Immédiatement Disponible: 532 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
-
Actif LDMOS 400MHz ~ 2,7GHz 19 dB 28V 1,4µA
-
180mA 43 dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
PD55008-E Datasheet PD55008-E - STMicroelectronics 497-5299-5-ND FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 139 - Immédiatement Disponible: 139 13,62000 € 1 Minimum : 1 Tube?
-
Actif LDMOS 500MHz 17 dB 12,5V 4 A
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150mA 8 W 40V PowerSO-10 pastille inférieure visible 10-PowerSO
275-102N06A-00 Datasheet 275-102N06A-00 - IXYS-RF 275-102N06A-00-ND
RF MOSFET N-CHANNEL DE275 493 - Immédiatement Disponible: 493 15,87000 € 1 Minimum : 1 Tube? DE Actif Canal N
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8 A
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590 W 1000V 6-SMD, sortie plate, plot exposé DE275
NPTB00004A Datasheet NPTB00004A - M/A-Com Technology Solutions 1465-1410-ND HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC 218 - Immédiatement Disponible: 218 16,79000 € 1 Minimum : 1 Tube?
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Actif HEMT 0 Hz ~ 6GHz 14,8 dB 28V 1,4 A
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50mA 4 W 100V 8-SOIC (0,154 po, 3,90mm de largeur) 8-SOIC
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-2-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 840 - Immédiatement Disponible: 840 18,57117 € 60 Minimum : 60 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
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Actif LDMOS (double), Source commune 860MHz 22 dB 50V
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60mA 10 W 104V 12-VDFN plot exposé 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-1-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 866 - Immédiatement Disponible: 866 21,72000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
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Actif LDMOS (double), Source commune 860MHz 22 dB 50V
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60mA 10 W 104V 12-VDFN plot exposé 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-6-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 866 - Immédiatement Disponible: 866 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
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Actif LDMOS (double), Source commune 860MHz 22 dB 50V
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60mA 10 W 104V 12-VDFN plot exposé 12-HVSON (6x5)
CGH60008D-GP4 Datasheet CGH60008D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGH60008D-ND RF MOSFET HEMT 28V DIE 219 - Immédiatement Disponible: 219 20,48200 € 10 Minimum : 10 Plateau? GaN Actif HEMT 6GHz 15 dB 28V
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100mA 8 W 84V MATRICE MATRICE
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006STR-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 2 600 - Immédiatement Disponible: 2 600 25,58525 € 200 Minimum : 200 Bande et bobine?
Emballage Alternatif
GaN Actif HEMT 0 Hz ~ 6GHz 12 dB 28V
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100mA 8 W 84V 6-VDFN plot exposé 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SCT-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 2 822 - Immédiatement Disponible: 2 822 28,65000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)?
Emballage Alternatif
GaN Actif HEMT 0 Hz ~ 6GHz 12 dB 28V
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100mA 8 W 84V 6-VDFN plot exposé 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SDKR-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 2 822 - Immédiatement Disponible: 2 822 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
Emballage Alternatif
GaN Actif HEMT 0 Hz ~ 6GHz 12 dB 28V
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100mA 8 W 84V 6-VDFN plot exposé 6-QFN-EP (3x3)
PD57018-E Datasheet PD57018-E - STMicroelectronics 497-5305-5-ND FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 301 - Immédiatement Disponible: 301 28,09000 € 1 Minimum : 1 Tube?
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Actif LDMOS 945MHz 16,5 dB 28V 2,5 A
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100mA 18 W 65V PowerSO-10 pastille inférieure visible 10-PowerSO
BLF6G21-10G,135 Datasheet BLF6G21-10G,135 - Ampleon USA Inc. BLF6G21-10G,135-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 0 Disponible: 0
Délai d'approvisionnement standard 13 semaines
24,54222 € 500
Non stocké
?
Minimum : 500
Bande et bobine?
Emballage Alternatif
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Actif LDMOS 2,11GHz ~ 2,17GHz 18,5 dB 28V
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100mA 700 mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF6G21-10G,112 Datasheet BLF6G21-10G,112 - Ampleon USA Inc. 568-5104-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 548 - Immédiatement Disponible: 548 33,03000 € 1 Minimum : 1 Plateau?
Emballage Alternatif
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Actif LDMOS 2,11GHz ~ 2,17GHz 18,5 dB 28V
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100mA 700 mW 65V SOT-538A 2-CSMD
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