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Transistors - FET, MOSFET - Matrices

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IPG20N06S415AATMA1 Datasheet IPG20N06S415AATMA1 - Infineon Technologies IPG20N06S415AATMA1TR-ND IPG20N06S415AATMA1 MOSFET 2N-CH 8TDSON 35 000 - Immédiatement Disponible: 35 000 0,51830 € 5 000
Non stocké
Minimum : 5 000
Bande et bobine
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101, OptiMOS™ Actif 2 canaux N (double) Standard 60V 20A 15,5mOhms à 17A, 10V 4V à 20µA 29nC à 10V 2260pF à 25V 50W -55°C ~ 175°C (TJ) Montage en surface, joints de brasure visibles 8-PowerVDFN PG-TDSON-8-10
IPG20N06S415AATMA1 Datasheet IPG20N06S415AATMA1 - Infineon Technologies IPG20N06S415AATMA1CT-ND IPG20N06S415AATMA1 MOSFET 2N-CH 8TDSON 433 - Immédiatement Disponible: 433 1,20000 €
-
Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101, OptiMOS™ En fin de cycle chez Digi-Key 2 canaux N (double) Standard 60V 20A 15,5mOhms à 17A, 10V 4V à 20µA 29nC à 10V 2260pF à 25V 50W -55°C ~ 175°C (TJ) Montage en surface, joints de brasure visibles 8-PowerVDFN PG-TDSON-8-10
IPG20N06S415AATMA1 Datasheet IPG20N06S415AATMA1 - Infineon Technologies IPG20N06S415AATMA1DKR-ND IPG20N06S415AATMA1 MOSFET 2N-CH 8TDSON 0 Disponible: 0 Digi-Reel®
-
Digi-Reel®
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101, OptiMOS™ En fin de cycle chez Digi-Key 2 canaux N (double) Standard 60V 20A 15,5mOhms à 17A, 10V 4V à 20µA 29nC à 10V 2260pF à 25V 50W -55°C ~ 175°C (TJ) Montage en surface, joints de brasure visibles 8-PowerVDFN PG-TDSON-8-10
IRF7304 Datasheet IRF7304 - Infineon Technologies IRF7304-ND IRF7304 MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC 28 554 - Immédiatement Disponible: 28 554 0,97000 €
-
Tube HEXFET® Obsolète 2 canaux P (double) Porte de niveau logique 20V 4,3A 90mOhms à 2,2A, 4,5V 700mV à 250µA 22nC à 4,5V 610pF à 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) 8-SO
2N7002DWH6327XTSA1 Datasheet 2N7002DWH6327XTSA1 - Infineon Technologies 2N7002DWH6327XTSA1TR-ND 2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 63 000 - Immédiatement Disponible: 63 000 0,05682 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
OptiMOS™ Actif 2 canaux N (double) Porte de niveau logique 60V 300mA 3Ohms à 500mA, 10V 2,5V à 250µA 0,6nC à 10V 20pF à 25V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 PG-SOT363-6
2N7002DWH6327XTSA1 Datasheet 2N7002DWH6327XTSA1 - Infineon Technologies 2N7002DWH6327XTSA1CT-ND 2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 65 498 - Immédiatement Disponible: 65 498 0,30000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
OptiMOS™ Actif 2 canaux N (double) Porte de niveau logique 60V 300mA 3Ohms à 500mA, 10V 2,5V à 250µA 0,6nC à 10V 20pF à 25V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 PG-SOT363-6
2N7002DWH6327XTSA1 Datasheet 2N7002DWH6327XTSA1 - Infineon Technologies 2N7002DWH6327XTSA1DKR-ND 2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 65 498 - Immédiatement Disponible: 65 498 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
OptiMOS™ Actif 2 canaux N (double) Porte de niveau logique 60V 300mA 3Ohms à 500mA, 10V 2,5V à 250µA 0,6nC à 10V 20pF à 25V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 PG-SOT363-6
BSD840NH6327XTSA1 Datasheet BSD840NH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSD840NH6327XTSA1TR-ND BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 57 000 - Immédiatement Disponible: 57 000 0,08915 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
OptiMOS™ Actif 2 canaux N (double) Porte de niveau logique 20V 880mA 400mOhms à 880mA, 2,5V 750mV à 1,6µA 0,26nC à 2,5V 78pF à 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 PG-SOT363-6
BSD840NH6327XTSA1 Datasheet BSD840NH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSD840NH6327XTSA1CT-ND BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 62 904 - Immédiatement Disponible: 62 904 0,39000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
OptiMOS™ Actif 2 canaux N (double) Porte de niveau logique 20V 880mA 400mOhms à 880mA, 2,5V 750mV à 1,6µA 0,26nC à 2,5V 78pF à 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 PG-SOT363-6
BSD840NH6327XTSA1 Datasheet BSD840NH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSD840NH6327XTSA1DKR-ND BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 62 904 - Immédiatement Disponible: 62 904 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
OptiMOS™ Actif 2 canaux N (double) Porte de niveau logique 20V 880mA 400mOhms à 880mA, 2,5V 750mV à 1,6µA 0,26nC à 2,5V 78pF à 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 PG-SOT363-6
BSD235CH6327XTSA1 Datasheet BSD235CH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSD235CH6327XTSA1TR-ND BSD235CH6327XTSA1 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 6 000 - Immédiatement Disponible: 6 000 0,09025 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
OptiMOS™ Actif Canaux N et P Porte de niveau logique 20V 950mA, 530mA 350mOhms à 950mA, 4,5V 1,2V à 1,6µA 0,34nC à 4,5V 47pF à 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 PG-SOT363-6
BSD235CH6327XTSA1 Datasheet BSD235CH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSD235CH6327XTSA1CT-ND BSD235CH6327XTSA1 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 9 507 - Immédiatement Disponible: 9 507 0,42000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
OptiMOS™ Actif Canaux N et P Porte de niveau logique 20V 950mA, 530mA 350mOhms à 950mA, 4,5V 1,2V à 1,6µA 0,34nC à 4,5V 47pF à 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 PG-SOT363-6
BSD235CH6327XTSA1 Datasheet BSD235CH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSD235CH6327XTSA1DKR-ND BSD235CH6327XTSA1 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 9 507 - Immédiatement Disponible: 9 507 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
OptiMOS™ Actif Canaux N et P Porte de niveau logique 20V 950mA, 530mA 350mOhms à 950mA, 4,5V 1,2V à 1,6µA 0,34nC à 4,5V 47pF à 10V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 PG-SOT363-6
BSL316CH6327XTSA1 Datasheet BSL316CH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSL316CH6327XTSA1TR-ND BSL316CH6327XTSA1 MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP 27 000 - Immédiatement Disponible: 27 000 0,13041 € 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101, OptiMOS™ Actif Canal N et P, complémentaire Porte de niveau logique, attaque 4,5V 30V 1,4 A, 1,5 A 160mOhms à 1,4A, 10V 2V à 3,7µA 0,6nC à 5V 282pF à 15V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 mince, TSOT-23-6 PG-TSOP-6-6
BSL316CH6327XTSA1 Datasheet BSL316CH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSL316CH6327XTSA1CT-ND BSL316CH6327XTSA1 MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP 30 436 - Immédiatement Disponible: 30 436 0,35000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101, OptiMOS™ Actif Canal N et P, complémentaire Porte de niveau logique, attaque 4,5V 30V 1,4 A, 1,5 A 160mOhms à 1,4A, 10V 2V à 3,7µA 0,6nC à 5V 282pF à 15V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 mince, TSOT-23-6 PG-TSOP-6-6
BSL316CH6327XTSA1 Datasheet BSL316CH6327XTSA1 - Infineon Technologies BSL316CH6327XTSA1DKR-ND BSL316CH6327XTSA1 MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP 30 436 - Immédiatement Disponible: 30 436 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
Automobile, AEC-Q101, OptiMOS™ Actif Canal N et P, complémentaire Porte de niveau logique, attaque 4,5V 30V 1,4 A, 1,5 A 160mOhms à 1,4A, 10V 2V à 3,7µA 0,6nC à 5V 282pF à 15V 500mW -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 mince, TSOT-23-6 PG-TSOP-6-6
IRF9389TRPBF Datasheet IRF9389TRPBF - Infineon Technologies IRF9389TRPBFTR-ND IRF9389TRPBF MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 104 000 - Immédiatement Disponible: 104 000 0,15474 € 4 000 Minimum : 4 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
HEXFET® Actif Canaux N et P Porte de niveau logique 30V 6,8 A, 4,6 A 27mOhms à 6,8A, 10V 2,3V à 10µA 14nC à 10V 398pF à 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) 8-SO
IRF9389TRPBF Datasheet IRF9389TRPBF - Infineon Technologies IRF9389TRPBFCT-ND IRF9389TRPBF MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 105 352 - Immédiatement Disponible: 105 352 0,43000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
HEXFET® Actif Canaux N et P Porte de niveau logique 30V 6,8 A, 4,6 A 27mOhms à 6,8A, 10V 2,3V à 10µA 14nC à 10V 398pF à 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) 8-SO
IRF9389TRPBF Datasheet IRF9389TRPBF - Infineon Technologies IRF9389TRPBFDKR-ND IRF9389TRPBF MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 105 352 - Immédiatement Disponible: 105 352 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
HEXFET® Actif Canaux N et P Porte de niveau logique 30V 6,8 A, 4,6 A 27mOhms à 6,8A, 10V 2,3V à 10µA 14nC à 10V 398pF à 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) 8-SO
IRLHS6376TRPBF Datasheet IRLHS6376TRPBF - Infineon Technologies IRLHS6376TRPBFTR-ND IRLHS6376TRPBF MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN 4 000 - Immédiatement Disponible: 4 000 0,17824 € 4 000 Minimum : 4 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
HEXFET® Actif 2 canaux N (double) Porte de niveau logique 30V 3,6A 63mOhms à 3,4A, 4,5V 1,1V à 10µA 2,8nC à 4,5V 270pF à 25V 1,5W -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 6-VDFN plot exposé 6-PQFN (2x2)
IRLHS6376TRPBF Datasheet IRLHS6376TRPBF - Infineon Technologies IRLHS6376TRPBFCT-ND IRLHS6376TRPBF MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 2X2 PQFN 7 611 - Immédiatement Disponible: 7 611 0,51000 € 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
HEXFET® Actif 2 canaux N (double) Porte de niveau logique 30V 3,6A 63mOhms à 3,4A, 4,5V 1,1V à 10µA 2,8nC à 4,5V 270pF à 25V 1,5W -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 6-VDFN plot exposé 6-PQFN (2x2)
IRLHS6376TRPBF Datasheet IRLHS6376TRPBF - Infineon Technologies IRLHS6376TRPBFDKR-ND IRLHS6376TRPBF MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 2X2 PQFN 7 611 - Immédiatement Disponible: 7 611 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
HEXFET® Actif 2 canaux N (double) Porte de niveau logique 30V 3,6A 63mOhms à 3,4A, 4,5V 1,1V à 10µA 2,8nC à 4,5V 270pF à 25V 1,5W -55°C ~ 150°C (TJ) Montage en surface 6-VDFN plot exposé 6-PQFN (2x2)
IRF8313TRPBF Datasheet IRF8313TRPBF - Infineon Technologies IRF8313TRPBFTR-ND IRF8313TRPBF MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC 24 000 - Immédiatement Disponible: 24 000 0,23627 €
-
Bande et bobine
Emballage Alternatif
HEXFET® Pas pour les nouvelles conceptions 2 canaux N (double) Porte de niveau logique 30V 9,7A 15,5mOhms à 9,7A, 10V 2,35V à 25µA 9nC à 4,5V 760pF à 15V 2W -55°C ~ 175°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) 8-SO
IRF8313TRPBF Datasheet IRF8313TRPBF - Infineon Technologies IRF8313TRPBFCT-ND IRF8313TRPBF MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC 25 731 - Immédiatement Disponible: 25 731 0,58000 €
-
Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
HEXFET® Pas pour les nouvelles conceptions 2 canaux N (double) Porte de niveau logique 30V 9,7A 15,5mOhms à 9,7A, 10V 2,35V à 25µA 9nC à 4,5V 760pF à 15V 2W -55°C ~ 175°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) 8-SO
IRF8313TRPBF Datasheet IRF8313TRPBF - Infineon Technologies IRF8313TRPBFDKR-ND IRF8313TRPBF MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC 25 731 - Immédiatement Disponible: 25 731 Digi-Reel®
-
Digi-Reel®
Emballage Alternatif
HEXFET® Pas pour les nouvelles conceptions 2 canaux N (double) Porte de niveau logique 30V 9,7A 15,5mOhms à 9,7A, 10V 2,35V à 25µA 9nC à 4,5V 760pF à 15V 2W -55°C ~ 175°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) 8-SO
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