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Transistors - FET, MOSFET - Matrices

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TT8M1TR Datasheet TT8M1TR - Rohm Semiconductor TT8M1TR-ND TT8M1TR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8 45 000 - Immédiatement Disponible: 45 000 €0,12901
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Bande et bobine
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions Canaux N et P Porte de niveau logique, attaque 1,5V 20V 2,5A 72mOhms à 2,5A, 4,5V 1V à 1mA 3,6nC à 4,5V 260pF à 10V 1W 150°C (TJ) Montage en surface 8-SMD, conducteur plat 8-TSST
TT8M1TR Datasheet TT8M1TR - Rohm Semiconductor TT8M1CT-ND TT8M1TR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8 46 495 - Immédiatement Disponible: 46 495 €0,45000
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Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions Canaux N et P Porte de niveau logique, attaque 1,5V 20V 2,5A 72mOhms à 2,5A, 4,5V 1V à 1mA 3,6nC à 4,5V 260pF à 10V 1W 150°C (TJ) Montage en surface 8-SMD, conducteur plat 8-TSST
TT8M1TR Datasheet TT8M1TR - Rohm Semiconductor TT8M1DKR-ND TT8M1TR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8 46 495 - Immédiatement Disponible: 46 495 Digi-Reel®
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Digi-Reel®
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions Canaux N et P Porte de niveau logique, attaque 1,5V 20V 2,5A 72mOhms à 2,5A, 4,5V 1V à 1mA 3,6nC à 4,5V 260pF à 10V 1W 150°C (TJ) Montage en surface 8-SMD, conducteur plat 8-TSST
EM6K1T2R Datasheet EM6K1T2R - Rohm Semiconductor EM6K1T2RTR-ND EM6K1T2R Rohm Semiconductor MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6 16 000 - Immédiatement Disponible: 16 000 €0,13153
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Bande et bobine
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions 2 canaux N (double) Porte de niveau logique 30V 100mA 8Ohms à 10mA, 4V 1,5V à 100µA
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13pF à 5V 150mW 150°C (TJ) Montage en surface SOT-563, SOT-666 EMT6
EM6K1T2R Datasheet EM6K1T2R - Rohm Semiconductor EM6K1T2RCT-ND EM6K1T2R Rohm Semiconductor MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6 25 954 - Immédiatement Disponible: 25 954 €0,49000
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Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions 2 canaux N (double) Porte de niveau logique 30V 100mA 8Ohms à 10mA, 4V 1,5V à 100µA
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13pF à 5V 150mW 150°C (TJ) Montage en surface SOT-563, SOT-666 EMT6
EM6K1T2R Datasheet EM6K1T2R - Rohm Semiconductor EM6K1T2RDKR-ND EM6K1T2R Rohm Semiconductor MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6 25 954 - Immédiatement Disponible: 25 954 Digi-Reel®
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Digi-Reel®
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions 2 canaux N (double) Porte de niveau logique 30V 100mA 8Ohms à 10mA, 4V 1,5V à 100µA
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13pF à 5V 150mW 150°C (TJ) Montage en surface SOT-563, SOT-666 EMT6
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QS6M3TR - Rohm Semiconductor QS6M3TR-ND QS6M3TR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 3 000 - Immédiatement Disponible: 3 000 €0,17292
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Bande et bobine
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions Canaux N et P Porte de niveau logique 30V, 20V 1,5A 230mOhms à 1,5A, 4,5V 1,5V à 1mA 1,6nC à 4,5V 80pF à 10V 1,25W 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 mince, TSOT-23-6 TSMT6 (SC-95)
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QS6M3TR - Rohm Semiconductor QS6M3CT-ND QS6M3TR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 4 852 - Immédiatement Disponible: 4 852 €0,49000
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Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions Canaux N et P Porte de niveau logique 30V, 20V 1,5A 230mOhms à 1,5A, 4,5V 1,5V à 1mA 1,6nC à 4,5V 80pF à 10V 1,25W 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 mince, TSOT-23-6 TSMT6 (SC-95)
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QS6M3TR - Rohm Semiconductor QS6M3DKR-ND QS6M3TR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 4 852 - Immédiatement Disponible: 4 852 Digi-Reel®
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Digi-Reel®
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions Canaux N et P Porte de niveau logique 30V, 20V 1,5A 230mOhms à 1,5A, 4,5V 1,5V à 1mA 1,6nC à 4,5V 80pF à 10V 1,25W 150°C (TJ) Montage en surface SOT-23-6 mince, TSOT-23-6 TSMT6 (SC-95)
BSM120D12P2C005 Datasheet BSM120D12P2C005 - Rohm Semiconductor BSM120D12P2C005-ND BSM120D12P2C005 Rohm Semiconductor MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE 28 - Immédiatement Disponible: 28 €331,96000 1 Minimum : 1 En vrac
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Actif 2 canaux N (demi-pont) Carbure de silicium (SiC) 1200V (1,2kV) 120 A (Tc)
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2,7V à 22mA
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14000pF à 10V 780W -40°C ~ 150°C (TJ)
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Module Module
VT6M1T2CR Datasheet VT6M1T2CR - Rohm Semiconductor VT6M1T2CRTR-ND VT6M1T2CR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 32 000 - Immédiatement Disponible: 32 000 €0,05320
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Bande et bobine
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions Canaux N et P Porte de niveau logique, attaque 1,2V 20V 100mA 3,5Ohms à 100mA, 4,5V 1V à 100µA
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7,1pF à 10V 120mW 150°C (TJ) Montage en surface 6-SMD, sorties plates VMT6
VT6M1T2CR Datasheet VT6M1T2CR - Rohm Semiconductor VT6M1T2CRCT-ND VT6M1T2CR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 37 000 - Immédiatement Disponible: 37 000 €0,32000
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Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions Canaux N et P Porte de niveau logique, attaque 1,2V 20V 100mA 3,5Ohms à 100mA, 4,5V 1V à 100µA
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7,1pF à 10V 120mW 150°C (TJ) Montage en surface 6-SMD, sorties plates VMT6
VT6M1T2CR Datasheet VT6M1T2CR - Rohm Semiconductor VT6M1T2CRDKR-ND VT6M1T2CR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 37 000 - Immédiatement Disponible: 37 000 Digi-Reel®
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Digi-Reel®
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions Canaux N et P Porte de niveau logique, attaque 1,2V 20V 100mA 3,5Ohms à 100mA, 4,5V 1V à 100µA
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7,1pF à 10V 120mW 150°C (TJ) Montage en surface 6-SMD, sorties plates VMT6
TT8J11TCR Datasheet TT8J11TCR - Rohm Semiconductor TT8J11TCRTR-ND TT8J11TCR Rohm Semiconductor MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8 9 000 - Immédiatement Disponible: 9 000 €0,13745
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Bande et bobine
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions 2 canaux P (double) Porte de niveau logique, attaque 1,5V 12V 3,5A 43mOhms à 3,5A, 4,5V 1V à 1mA 22nC à 4,5V 2600pF à 6V 650mW 150°C (TJ) Montage en surface 8-SMD, conducteur plat 8-TSST
TT8J11TCR Datasheet TT8J11TCR - Rohm Semiconductor TT8J11TCRCT-ND TT8J11TCR Rohm Semiconductor MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8 11 064 - Immédiatement Disponible: 11 064 €0,39000
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Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions 2 canaux P (double) Porte de niveau logique, attaque 1,5V 12V 3,5A 43mOhms à 3,5A, 4,5V 1V à 1mA 22nC à 4,5V 2600pF à 6V 650mW 150°C (TJ) Montage en surface 8-SMD, conducteur plat 8-TSST
TT8J11TCR Datasheet TT8J11TCR - Rohm Semiconductor TT8J11TCRDKR-ND TT8J11TCR Rohm Semiconductor MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8 11 064 - Immédiatement Disponible: 11 064 Digi-Reel®
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Digi-Reel®
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions 2 canaux P (double) Porte de niveau logique, attaque 1,5V 12V 3,5A 43mOhms à 3,5A, 4,5V 1V à 1mA 22nC à 4,5V 2600pF à 6V 650mW 150°C (TJ) Montage en surface 8-SMD, conducteur plat 8-TSST
US6M11TR Datasheet US6M11TR - Rohm Semiconductor US6M11TR-ND US6M11TR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6 3 000 - Immédiatement Disponible: 3 000 €0,18621 3 000 Minimum : 3 000 Bande et bobine
Emballage Alternatif
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Actif Canaux N et P Porte de niveau logique 20V, 12V 1,5 A, 1,3 A 180mOhms à 1,5A, 4,5V 1V à 1mA 1,8nC à 4,5V 110pF à 10V 1W 150°C (TJ) Montage en surface 6-SMD, sorties plates TUMT6
US6M11TR Datasheet US6M11TR - Rohm Semiconductor US6M11CT-ND US6M11TR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6 25 - Immédiatement Disponible: 25 €0,53000 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
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Actif Canaux N et P Porte de niveau logique 20V, 12V 1,5 A, 1,3 A 180mOhms à 1,5A, 4,5V 1V à 1mA 1,8nC à 4,5V 110pF à 10V 1W 150°C (TJ) Montage en surface 6-SMD, sorties plates TUMT6
US6M11TR Datasheet US6M11TR - Rohm Semiconductor US6M11DKR-ND US6M11TR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6 25 - Immédiatement Disponible: 25 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
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Actif Canaux N et P Porte de niveau logique 20V, 12V 1,5 A, 1,3 A 180mOhms à 1,5A, 4,5V 1V à 1mA 1,8nC à 4,5V 110pF à 10V 1W 150°C (TJ) Montage en surface 6-SMD, sorties plates TUMT6
TT8J2TR Datasheet TT8J2TR - Rohm Semiconductor TT8J2TR-ND TT8J2TR Rohm Semiconductor MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 12 000 - Immédiatement Disponible: 12 000 €0,29725
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Bande et bobine
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions 2 canaux P (double) Porte de niveau logique 30V 2,5A 84mOhms à 2,5A, 10V 2,5V à 1mA 4,8nC à 5V 460pF à 10V 1,25W 150°C (TJ) Montage en surface 8-SMD, conducteur plat 8-TSST
TT8J2TR Datasheet TT8J2TR - Rohm Semiconductor TT8J2CT-ND TT8J2TR Rohm Semiconductor MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 13 529 - Immédiatement Disponible: 13 529 €0,77000
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Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions 2 canaux P (double) Porte de niveau logique 30V 2,5A 84mOhms à 2,5A, 10V 2,5V à 1mA 4,8nC à 5V 460pF à 10V 1,25W 150°C (TJ) Montage en surface 8-SMD, conducteur plat 8-TSST
TT8J2TR Datasheet TT8J2TR - Rohm Semiconductor TT8J2DKR-ND TT8J2TR Rohm Semiconductor MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 13 529 - Immédiatement Disponible: 13 529 Digi-Reel®
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Digi-Reel®
Emballage Alternatif
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Pas pour les nouvelles conceptions 2 canaux P (double) Porte de niveau logique 30V 2,5A 84mOhms à 2,5A, 10V 2,5V à 1mA 4,8nC à 5V 460pF à 10V 1,25W 150°C (TJ) Montage en surface 8-SMD, conducteur plat 8-TSST
SH8MA4TB1 Datasheet SH8MA4TB1 - Rohm Semiconductor SH8MA4TB1TR-ND SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A 2 500 - Immédiatement Disponible: 2 500 €0,40714 2 500 Minimum : 2 500 Bande et bobine
Emballage Alternatif
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Actif Canaux N et P Standard 30V 9A (Ta), 8,5A (Ta) 21,4mOhms à 9A, 10V, 29,6mOhms à 8,5A, 10V 2,5V à 1mA 15,5nC, 19,6nC à 10V 640pF, 890pF à 15V 2W (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) 8-SOP
SH8MA4TB1 Datasheet SH8MA4TB1 - Rohm Semiconductor SH8MA4TB1CT-ND SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A 5 000 - Immédiatement Disponible: 5 000 €0,96000 1 Minimum : 1 Bande coupée (CT)
Emballage Alternatif
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Actif Canaux N et P Standard 30V 9A (Ta), 8,5A (Ta) 21,4mOhms à 9A, 10V, 29,6mOhms à 8,5A, 10V 2,5V à 1mA 15,5nC, 19,6nC à 10V 640pF, 890pF à 15V 2W (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) 8-SOP
SH8MA4TB1 Datasheet SH8MA4TB1 - Rohm Semiconductor SH8MA4TB1DKR-ND SH8MA4TB1 Rohm Semiconductor SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A 5 000 - Immédiatement Disponible: 5 000 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
Emballage Alternatif
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Actif Canaux N et P Standard 30V 9A (Ta), 8,5A (Ta) 21,4mOhms à 9A, 10V, 29,6mOhms à 8,5A, 10V 2,5V à 1mA 15,5nC, 19,6nC à 10V 640pF, 890pF à 15V 2W (Ta) 150°C (TJ) Montage en surface 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) 8-SOP
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