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Diodes - Redresseurs - Simples

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Comparer les pièces Datasheets Image Référence Digi-Key Référence fabricant Fabricant Description Quantité disponible
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La quantité minimum à commander est de Conditionnement Série Statut de la pièce Type de diode Tension - CC inverse (Vr) (max.) Courant - Moyen redressé (Io) Tension - Directe (Vf) (max.) à If Vitesse Temps de recouvrement inverse (trr) Courant - Fuite inverse à Vr Capacité à Vr, F Type de montage Boîtier Boîtier fournisseur Température de fonctionnement - Jonction
   
BAW62,143 Datasheet BAW62,143 - NXP USA Inc. BAW62,143-ND BAW62,143 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 75V 250MA ALF2 0 Disponible: 0
Actif
-
Bande et boîte
Emballage Alternatif
-
Actif Standard 75V 250mA (CC) 1V @ 100mA Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) 4ns 5µA @ 75V 2pF à 0V, 1MHz Trou traversant DO-204AH, DO-35, Axial ALF2 200°C (maxi)
BAW62,133 Datasheet BAW62,133 - NXP USA Inc. BAW62,133-ND BAW62,133 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 75V 250MA ALF2 0 Disponible: 0
Actif
-
Bande et boîte
Emballage Alternatif
-
Actif Standard 75V 250mA (CC) 1V @ 100mA Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) 4ns 5µA @ 75V 2pF à 0V, 1MHz Trou traversant DO-204AH, DO-35, Axial ALF2 200°C (maxi)
BAW62,113 Datasheet BAW62,113 - NXP USA Inc. 568-11019-2-ND BAW62,113 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 75V 250MA ALF2 0 Disponible: 0
Obsolète
-
Bande et bobine
Emballage Alternatif
-
Obsolète Standard 75V 250mA (CC) 1V @ 100mA Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) 4ns 5µA @ 75V 2pF à 0V, 1MHz Trou traversant DO-204AH, DO-35, Axial ALF2 200°C (maxi)
PRLL5817,135 Datasheet PRLL5817,135 - NXP USA Inc. PRLL5817,135-ND PRLL5817,135 NXP USA Inc. DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF 0 Disponible: 0
Obsolète
-
Bande et bobine
-
Obsolète Schottky 20V 1A 450mV @ 1A Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
-
1mA @ 20V 70pF à 4V, 1MHz Montage en surface SOD-87 MELF 125°C (maxi)
PRLL5817,115 Datasheet PRLL5817,115 - NXP USA Inc. 568-1179-2-ND PRLL5817,115 NXP USA Inc. DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF 0 Disponible: 0
Obsolète
-
Bande et bobine
-
Obsolète Schottky 20V 1A 450mV @ 1A Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
-
1mA @ 20V 70pF à 4V, 1MHz Montage en surface SOD-87 MELF 125°C (maxi)
PRLL5817,115 Datasheet PRLL5817,115 - NXP USA Inc. 568-1179-1-ND PRLL5817,115 NXP USA Inc. DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF 0 Disponible: 0
Obsolète
-
Bande coupée (CT)
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Obsolète Schottky 20V 1A 450mV @ 1A Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
-
1mA @ 20V 70pF à 4V, 1MHz Montage en surface SOD-87 MELF 125°C (maxi)
PRLL5817,115 Datasheet PRLL5817,115 - NXP USA Inc. 568-1179-6-ND PRLL5817,115 NXP USA Inc. DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF 0 Disponible: 0 Digi-Reel®
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Digi-Reel®
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Obsolète Schottky 20V 1A 450mV @ 1A Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
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1mA @ 20V 70pF à 4V, 1MHz Montage en surface SOD-87 MELF 125°C (maxi)
BAS16T,115 Datasheet BAS16T,115 - NXP USA Inc. 568-5997-2-ND BAS16T,115 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 100V 155MA SC75 0 Disponible: 0
Obsolète
-
Bande et bobine
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Obsolète Standard 100V 155mA (CC) 1,25V @ 150mA Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse 4ns 500nA @ 80V 1,5pF à 0V, 1MHz Montage en surface SC-75, SOT-416 SC-75 150°C (maxi)
BAS16T,115 Datasheet BAS16T,115 - NXP USA Inc. 568-5997-1-ND BAS16T,115 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 100V 155MA SC75 0 Disponible: 0
Obsolète
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Bande coupée (CT)
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Obsolète Standard 100V 155mA (CC) 1,25V @ 150mA Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse 4ns 500nA @ 80V 1,5pF à 0V, 1MHz Montage en surface SC-75, SOT-416 SC-75 150°C (maxi)
BAS16T,115 Datasheet BAS16T,115 - NXP USA Inc. 568-5997-6-ND BAS16T,115 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 100V 155MA SC75 0 Disponible: 0 Digi-Reel®
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Digi-Reel®
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Obsolète Standard 100V 155mA (CC) 1,25V @ 150mA Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse 4ns 500nA @ 80V 1,5pF à 0V, 1MHz Montage en surface SC-75, SOT-416 SC-75 150°C (maxi)
1N4448,143 Datasheet 1N4448,143 - NXP USA Inc. 568-11584-3-ND 1N4448,143 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 0 Disponible: 0
Obsolète
-
Bande et boîte
-
Obsolète Standard 100V 200mA (CC) 1V @ 100mA Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse 4ns 25nA @ 20V 4pF à 0V, 1MHz Trou traversant DO-204AH, DO-35, Axial ALF2 200°C (maxi)
1N4448,113 Datasheet 1N4448,113 - NXP USA Inc. 568-1361-2-ND 1N4448,113 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 0 Disponible: 0
Obsolète
-
Bande et bobine
-
Obsolète Standard 100V 200mA (CC) 1V @ 100mA Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse 4ns 25nA @ 20V 4pF à 0V, 1MHz Trou traversant DO-204AH, DO-35, Axial ALF2 200°C (maxi)
1N4448,113 Datasheet 1N4448,113 - NXP USA Inc. 568-1361-1-ND 1N4448,113 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 0 Disponible: 0
Obsolète
-
Bande coupée (CT)
-
Obsolète Standard 100V 200mA (CC) 1V @ 100mA Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse 4ns 25nA @ 20V 4pF à 0V, 1MHz Trou traversant DO-204AH, DO-35, Axial ALF2 200°C (maxi)
BAS216,135 Datasheet BAS216,135 - NXP USA Inc. BAS216,135-ND BAS216,135 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD2 0 Disponible: 0
Obsolète
-
Bande et bobine
-
Obsolète Standard 75V 250mA (CC) 1,25V @ 150mA Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) 4ns 1µA @ 75V 1,5pF à 0V, 1MHz Montage en surface SOD-110 SOD-110 150°C (maxi)
BAS216,115 Datasheet BAS216,115 - NXP USA Inc. 568-1599-1-ND BAS216,115 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD2 0 Disponible: 0
Obsolète
-
Bande coupée (CT)
-
Obsolète Standard 75V 250mA (CC) 1,25V @ 150mA Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) 4ns 1µA @ 75V 1,5pF à 0V, 1MHz Montage en surface SOD-110 SOD-110 150°C (maxi)
BAS216,115 Datasheet BAS216,115 - NXP USA Inc. 568-1599-6-ND BAS216,115 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD2 0 Disponible: 0 Digi-Reel®
-
Digi-Reel®
-
Obsolète Standard 75V 250mA (CC) 1,25V @ 150mA Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) 4ns 1µA @ 75V 1,5pF à 0V, 1MHz Montage en surface SOD-110 SOD-110 150°C (maxi)
BY359-1500,127 Datasheet BY359-1500,127 - NXP USA Inc. BY359-1500,127-ND BY359-1500,127 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO220AC 0 Disponible: 0
Obsolète
-
Tube
-
Obsolète Standard 1500V 10A (CC) 1,8V @ 20A Récupération standard >500ns, > 200mA (Io) 600ns 100µA @ 1300V
-
Trou traversant TO-220-2 TO-220AC 150°C (maxi)
BY329-1500S,127 Datasheet BY329-1500S,127 - NXP USA Inc. BY329-1500S,127-ND BY329-1500S,127 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 1.5KV 6A TO220AC 0 Disponible: 0
Obsolète
-
Tube
-
Obsolète Standard 1500V 6A (CC) 1,6V @ 6,5A Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) 160ns 250µA @ 1300V
-
Trou traversant TO-220-2 TO-220AC 150°C (maxi)
1PS193,115 Datasheet 1PS193,115 - NXP USA Inc. 1PS193,115-ND 1PS193,115 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3 0 Disponible: 0
Obsolète
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Bande et bobine
-
Obsolète Standard 80V 215mA (CC) 1,2V @ 100mA Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) 4ns 500nA @ 80V 1,5pF à 0V, 1MHz Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SMT3; MPAK 150°C (maxi)
1PS193,135 Datasheet 1PS193,135 - NXP USA Inc. 1PS193,135-ND 1PS193,135 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3 0 Disponible: 0
Obsolète
-
Bande et bobine
-
Obsolète Standard 80V 215mA (CC) 1,2V @ 100mA Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) 4ns 500nA @ 80V 1,5pF à 0V, 1MHz Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SMT3; MPAK 150°C (maxi)
BY329X-1200,127 Datasheet BY329X-1200,127 - NXP USA Inc. BY329X-1200,127-ND BY329X-1200,127 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220F 0 Disponible: 0
Obsolète
-
Tube
-
Obsolète Standard 1200V 8A 1,85V @ 20A Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) 145ns 1mA @ 1000V
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Trou traversant Boîtier comple TO-220-2 TO-220FP 150°C (maxi)
1PS59SB20,115 Datasheet 1PS59SB20,115 - NXP USA Inc. 1PS59SB20,115-ND 1PS59SB20,115 NXP USA Inc. DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SMT3 0 Disponible: 0
Obsolète
-
Bande et bobine
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Obsolète Schottky 40V 500mA (CC) 550mV @ 500mA Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
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100µA @ 35V 90pF à 0V, 1MHz Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SMT3; MPAK 125°C (maxi)
1N4148,143 Datasheet 1N4148,143 - NXP USA Inc. 568-7919-3-ND 1N4148,143 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 0 Disponible: 0
Obsolète
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Bande et boîte
-
Obsolète Standard 100V 200mA (CC) 1V @ 10mA Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse 4ns 25nA @ 20V 4pF à 0V, 1MHz Trou traversant DO-204AH, DO-35, Axial ALF2 200°C (maxi)
1N4148,133 Datasheet 1N4148,133 - NXP USA Inc. 568-7918-3-ND 1N4148,133 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 0 Disponible: 0
Obsolète
-
Bande et boîte
-
Obsolète Standard 100V 200mA (CC) 1V @ 10mA Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse 4ns 25nA @ 20V 4pF à 0V, 1MHz Trou traversant DO-204AH, DO-35, Axial ALF2
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1N4148,113 Datasheet 1N4148,113 - NXP USA Inc. 568-1360-2-ND 1N4148,113 NXP USA Inc. DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 0 Disponible: 0
En fin de cycle chez Digi-Key
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Bande et bobine
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En fin de cycle chez Digi-Key Standard 100V 200mA (CC) 1V @ 10mA Signal faible =< 200mA (Io), toute vitesse 4ns 25nA @ 20V 4pF à 0V, 1MHz Trou traversant DO-204AH, DO-35, Axial ALF2 200°C (maxi)
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02:01:44 10/17/2021