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SQ3427AEEV-T1_GE3 Canal P 60V 5,3 A (Tc) 5W (Tc) Montage en surface 6-TSOP
Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,65000 0,65 €
10 0,56900 5,69 €
100 0,43600 43,60 €
500 0,34464 172,32 €
1 000 0,27571 275,71 €

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Présentation des produits
Référence Digi-Key SQ3427AEEV-T1_GE3CT-ND
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Quantité disponible 28 677
Envoi immédiat possible
Fabricant

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Référence fabricant

SQ3427AEEV-T1_GE3

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Description MOSFET P-CH 60V 6TSOP
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Description détaillée

Canal P 60V 5,3 A (Tc) 5W (Tc) Montage en surface 6-TSOP

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Documents et supports
Fiches techniques SQ3427AEEV
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant Vishay Siliconix
Série Automobile, AEC-Q101, TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Rds passant (max.) à Id, Vgs 95mOhms à 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22nC @ 10V
Vgs (max.) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1000pF @ 30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 5W (Tc)
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 6-TSOP
Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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Ressources supplémentaires
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Autres Noms SQ3427AEEV-T1_GE3CT
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21:34:35 7/17/2019