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SIS427EDN-T1-GE3 Canal P 30V 50 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8
Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,64000 0,64 €
10 0,56200 5,62 €
100 0,43090 43,09 €
500 0,34068 170,34 €
1 000 0,27254 272,54 €

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Présentation des produits
Référence Digi-Key SIS427EDN-T1-GE3CT-ND
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Quantité disponible 8 869
Envoi immédiat possible
Fabricant

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Référence fabricant

SIS427EDN-T1-GE3

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Description MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
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Description détaillée

Canal P 30V 50 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8

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Documents et supports
Fiches techniques SIS427EDN
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
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Catégories
Fabricant Vishay Siliconix
Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Rds passant (max.) à Id, Vgs 10,6mOhms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 66nC @ 10V
Vgs (max.) ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1930pF @ 15V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8
Boîtier PowerPAK® 1212-8
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
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22:00:07 7/17/2019