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SIA433EDJ-T1-GE3 Canal P 20V 12 A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SC-70-6 simple
Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,73000 0,73 €
10 0,63600 6,36 €
100 0,49070 49,07 €
500 0,36350 181,75 €
1 000 0,29080 290,80 €

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Présentation des produits
Référence Digi-Key SIA433EDJ-T1-GE3CT-ND
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Quantité disponible 53 653
Envoi immédiat possible
Fabricant

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Référence fabricant

SIA433EDJ-T1-GE3

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Description MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
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Description détaillée

Canal P 20V 12 A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SC-70-6 simple

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Documents et supports
Fiches techniques SIA433EDJ
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
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Catégories
Fabricant Vishay Siliconix
Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V
Rds passant (max.) à Id, Vgs 18mOhms à 7,6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 75nC @ 8V
Vgs (max.) ±12V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,5W (Ta), 19W (Tc)
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PowerPAK® SC-70-6 simple
Boîtier PowerPAK® SC-70-6
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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Ressources supplémentaires
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23:59:11 5/23/2019