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SI3473CDV-T1-GE3 Canal P 12V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) Montage en surface 6-TSOP
Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,73000 0,73 €
10 0,63600 6,36 €
100 0,49070 49,07 €
500 0,36350 181,75 €
1 000 0,29080 290,80 €

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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI3473CDV-T1-GE3CT-ND
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Quantité disponible 11 896
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Fabricant

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Référence fabricant

SI3473CDV-T1-GE3

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Description MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
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Description détaillée

Canal P 12V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) Montage en surface 6-TSOP

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Documents et supports
Fiches techniques SI3473CDV
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant Vishay Siliconix
Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V
Rds passant (max.) à Id, Vgs 22mOhms à 8,1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 65nC @ 8V
Vgs (max.) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2010pF @ 6V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 4,2W (Tc)
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 6-TSOP
Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI3473CDV-T1-GE3CT
Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI3473CDV-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 9 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,25586 €
  • Digi-Reel® ? : SI3473CDV-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 11 896 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®

09:31:52 5/19/2019