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Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,64000 0,64 €
10 0,56600 5,66 €
100 0,43400 43,40 €
500 0,34310 171,55 €
1 000 0,27448 274,48 €

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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRLL110PBFCT-ND
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Quantité disponible 28 454
Envoi immédiat possible
Fabricant

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Référence fabricant

IRLL110TRPBF

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Description MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Copier   MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Description détaillée

Canal N 100V 1,5 A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Montage en surface SOT-223

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Documents et supports
Fiches techniques IRLL110
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Conception/spécification PCN Wire/Mold Compound Update 31/Aug/2015
Page de catalogue 1443 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant Vishay Siliconix
Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4V, 5V
Rds passant (max.) à Id, Vgs 540mOhms à 900mA, 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6,1nC @ 5V
Vgs (max.) ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 250pF @ 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 3,1W (Tc)
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SOT-223
Boîtier TO-261-4, TO-261AA
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS 3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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19:31:52 8/24/2019