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133 920 En Stock
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Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,74000 0,74 €
10 0,65300 6,53 €
25 0,61400 15,35 €
100 0,44550 44,55 €
250 0,42964 107,41 €
500 0,37222 186,11 €
1 000 0,31678 316,78 €

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Conditionnement alternatif
  • Bande et bobine  : 296-27210-2-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 132 500 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,29698 €
  • Digi-Reel®  : 296-27210-6-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 133 920 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
  • Bande et bobine  : 296-44075-2-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 250
  • Quantité disponible: 9 000 - Immédiatement
    10 000 - Stock usine 
  • Prix unitaire: 0,42676 €
  • Bande coupée (CT)  : 296-44075-1-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 9 058 - Immédiatement
    10 001 - Stock usine 
  • Prix unitaire: 0,68000 €
  • Digi-Reel®  : 296-44075-6-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 9 058 - Immédiatement
    10 001 - Stock usine 
  • Prix unitaire: Digi-Reel®

CSD17308Q3

Fiche technique
Référence Digi-Key 296-27210-1-ND
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Fabricant

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Référence fabricant CSD17308Q3
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Description MOSFET N-CH 30V 47A 8SON
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Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Description détaillée

Canal N 30V 14 A (Ta), 44 A (Tc) 2,7W (Ta) Montage en surface 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)

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Documents et supports
Fiches techniques CSD17308Q3
Power Management Guide
Module(s) de formation sur le produit NexFET MOSFET Technology
Fichier vidéo NexFET Power Block
PowerStack™ Packaging Technology Overview
Produit représenté Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer
Power Management
Conception/spécification PCN Qualification Revision A 01/Jul/2014
Assemblage/origine PCN Assembly/Test Site Revision C 09/Feb/2015
Page produits du fabricant CSD17308Q3 Specifications
Modèles EDA / CAO CSD17308Q3 by SnapEDA
Modèles EDA / CAD Télécharger depuis Ultra Librarian
Attributs des produits
Type Description Sélectionner tout
Catégories
Fabricant Texas Instruments
Série NexFET™
Conditionnement Bande coupée (CT) 
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14 A (Ta), 44 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 3V, 8V
Rds passant (max.) à Id, Vgs 10,3mOhms à 10A, 8V
Vgs(th) (max.) à Id 1,8V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5,1nC @ 4,5V
Vgs (max.) +10V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 700pF @ 15V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,7W (Ta)
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Boîtier 8-PowerTDFN
Numéro de référence de base CSD173
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut RoHS Conforme à RoHS 3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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Ressources supplémentaires
Colis standard 1
Autres Noms 296-27210-1