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NTTFS5820NLTAG Canal N 60V 11 A (Ta), 37 A (Tc) 2,7W (Ta), 33W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)
Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,64000 0,64 €
10 0,56700 5,67 €
100 0,43530 43,53 €
500 0,34404 172,02 €

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Présentation des produits
Référence Digi-Key NTTFS5820NLTAGOSCT-ND
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Quantité disponible 32 366
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Fabricant

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Référence fabricant

NTTFS5820NLTAG

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Description MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN
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Délai d'approvisionnement standard du fabricant 5 semaines
Description détaillée

Canal N 60V 11 A (Ta), 37 A (Tc) 2,7W (Ta), 33W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)

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Documents et supports
Fiches techniques NTTFS5820NL
Informations RoHS Material Declaration NTTFS5820NLTAG
Assemblage/origine PCN NTMFS/NTTFS 15/Feb/2019
Mult Dev Assem/Test Add 7/May/2019
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Catégories
Fabricant ON Semiconductor
Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11 A (Ta), 37 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Rds passant (max.) à Id, Vgs 11,5mOhms à 8,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 28nC @ 10V
Vgs (max.) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1462pF @ 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,7W (Ta), 33W (Tc)
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-WDFN (3,3x3,3)
Boîtier 8-PowerWDFN
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS 3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
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18:59:13 8/25/2019