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FDD5614P Canal P 60V 15 A (Ta) 3,8W (Ta), 42W (Tc) Montage en surface TO-252
Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,64000 0,64 €
10 0,56600 5,66 €
100 0,43380 43,38 €
500 0,34294 171,47 €
1 000 0,27437 274,37 €

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Présentation des produits
Référence Digi-Key FDD5614PCT-ND
Copier   FDD5614PCT-ND
Quantité disponible 37 194
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Fabricant

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Référence fabricant

FDD5614P

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Description MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
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Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Description détaillée

Canal P 60V 15 A (Ta) 3,8W (Ta), 42W (Tc) Montage en surface TO-252

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Documents et supports
Fiches techniques FDD5614P
Informations RoHS Material Declaration FDD5614P
Conception/spécification PCN Description Chg 01/Apr/2016
Logo 17/Aug/2017
Assemblage/origine PCN Korea Fab Site Add 3/Jan/2017
Conditionnement PCN Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Page de catalogue 1522 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant ON Semiconductor
Série PowerTrench®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 15 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Rds passant (max.) à Id, Vgs 100mOhms à 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24nC @ 10V
Vgs (max.) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 759pF @ 30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,8W (Ta), 42W (Tc)
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur TO-252
Boîtier TO-252-3, DPak (2 sorties + languette), SC-63
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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Colis standard ? 1
Autres Noms FDD5614PCT
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13:23:14 7/16/2019