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IRFS4127TRLPBF Canal N 200V 72 A (Tc) 375 W (Tc) Montage en surface D2PAK
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Référence Digi-Key IRFS4127TRLPBFCT-ND
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Référence fabricant

IRFS4127TRLPBF

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Description MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
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Description détaillée

Canal N 200V 72 A (Tc) 375 W (Tc) Montage en surface D2PAK

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Catégories
Fabricant Infineon Technologies
Série HEXFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 72 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10 V
Rds passant (max.) à Id, Vgs 22 mOhms à 44 A, 10 V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 150nC @ 10V
Vgs (max.) ±20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5380pF @ 50V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375 W (Tc)
Température d’utilisation -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur D2PAK
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 sorties + languette), TO-263AB
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms IRFS4127TRLPBFCT
Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,19000 4,19 €
10 3,74200 37,42 €
100 3,06850 306,85 €

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
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23:06:31 9/23/2018