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IRFS3006TRLPBF Canal N 60V 195 A (Tc) 375 W (Tc) Montage en surface D2PAK
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1 3,73000 3,73 €
10 3,33100 33,31 €
100 2,73130 273,13 €

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Référence Digi-Key IRFS3006TRLPBFCT-ND
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Fabricant

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Référence fabricant

IRFS3006TRLPBF

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Description MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
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Description détaillée

Canal N 60V 195 A (Tc) 375 W (Tc) Montage en surface D2PAK

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Catégories
Fabricant Infineon Technologies
Série HEXFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 195 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10 V
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2,5 mOhms à 170 A, 10 V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 300nC @ 10V
Vgs (max.) ±20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8970pF @ 50V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 375 W (Tc)
Température d’utilisation -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur D2PAK
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 sorties + languette), TO-263AB
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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08:19:36 12/10/2018