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1 3,97000 3,97 €
10 3,54100 35,41 €
100 2,90420 290,42 €
500 2,35172 1.175,86 €
1 000 1,98338 1.983,38 €

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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF7749L1TRPBFCT-ND
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Quantité disponible 6 785
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Fabricant

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Référence fabricant

IRF7749L1TRPBF

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Description MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFETL8
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Description détaillée

Canal N 60V 33 A (Ta), 200 A (Tc) 3,3 W (Ta), 125 W (Tc) Montage en surface DIRECTFET L8

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Catégories
Fabricant Infineon Technologies
Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 33 A (Ta), 200 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10 V
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,5 mOhms à 120 A, 10 V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 300nC @ 10V
Vgs (max.) ±20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 12320pF @ 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,3 W (Ta), 125 W (Tc)
Température d’utilisation -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur DIRECTFET L8
Boîtier DirectFET™ Isometric L8
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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02:05:45 11/21/2018