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BSZ110N06NS3GATMA1 Canal N 60V 20 A (Tc) 2,1W (Ta), 50W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8
Prix et approvisionnement
19 400 En Stock
Envoi immédiat possible
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,66000 0,66 €
10 0,58200 5,82 €
25 0,54640 13,66 €
100 0,39660 39,66 €
250 0,38248 95,62 €
500 0,33138 165,69 €
1 000 0,28201 282,01 €
2 500 0,26438 660,96 €

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Conditionnement alternatif
  • Bande et bobine  : BSZ110N06NS3GATMA1TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 5 000
  • Quantité disponible: 15 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,23795 €
  • Digi-Reel®  : BSZ110N06NS3GATMA1DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 19 400 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®

BSZ110N06NS3GATMA1

Fiche technique
Référence Digi-Key BSZ110N06NS3GATMA1CT-ND
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Fabricant

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Référence fabricant BSZ110N06NS3GATMA1
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Description MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
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Délai d'approvisionnement standard du fabricant 26 semaines
Description détaillée

Canal N 60V 20 A (Tc) 2,1W (Ta), 50W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8

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Documents et supports
Fiches techniques BSZ110N06NS3 G
BSZ110N06NS3G
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018
Conditionnement PCN Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
PCN, autre Multiple Changes 09/Jul/2014
Fiche technique HTML BSZ110N06NS3G
BSZ110N06NS3 G
Modèles de simulation MOSFET OptiMOS™ 60V N-Channel Spice Model
Modèles EDA / CAD Télécharger depuis Ultra Librarian
Attributs des produits
Type Description Sélectionner tout
Catégories
Fabricant Infineon Technologies
Série OptiMOS™
Conditionnement Bande coupée (CT) 
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Rds passant (max.) à Id, Vgs 11mOhms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 23µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33nC @ 10V
Vgs (max.) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2700pF @ 30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,1W (Ta), 50W (Tc)
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8
Boîtier 8-PowerVDFN
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut RoHS Conforme à RoHS 3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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Ressources supplémentaires
Colis standard 1
Autres Noms BSZ110N06NS3GATMA1CT
BSZ110N06NS3GINCT
BSZ110N06NS3GINCT-ND