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Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,86000 0,86 €
10 0,75100 7,51 €
100 0,57940 57,94 €
500 0,42914 214,57 €
1 000 0,34332 343,32 €

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Présentation des produits
Référence Digi-Key BSZ086P03NS3GATMA1CT-ND
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Quantité disponible 21 370
Envoi immédiat possible
Fabricant

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Référence fabricant

BSZ086P03NS3GATMA1

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Description MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
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Délai d'approvisionnement standard du fabricant 26 semaines
Description détaillée

Canal P 30V 13,5 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8

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Documents et supports
Fiches techniques BSZ086P03NS3 G
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
Conditionnement PCN Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
PCN, autre Multiple Changes 09/Jul/2014
Modèles de simulation MOSFET OptiMOS™ 30V P-Channel Spice Model
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant Infineon Technologies
Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13,5 A (Ta), 40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Rds passant (max.) à Id, Vgs 8,6mOhms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,1V à 105µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 57,5nC @ 10V
Vgs (max.) ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4785pF @ 15V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8
Boîtier 8-PowerTDFN
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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01:03:15 5/24/2019