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BSC340N08NS3GATMA1 Canal N 80V 7 A (Ta), 23 A (Tc) 2,5W (Ta), 32W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-5
Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,73000 0,73 €
10 0,64100 6,41 €
100 0,49430 49,43 €
500 0,36612 183,06 €
1 000 0,29290 292,90 €

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Présentation des produits
Référence Digi-Key BSC340N08NS3GATMA1CT-ND
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Fabricant

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Référence fabricant

BSC340N08NS3GATMA1

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Description MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8
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Description détaillée

Canal N 80V 7 A (Ta), 23 A (Tc) 2,5W (Ta), 32W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-5

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Documents et supports
Fiches techniques BSC340N08NS3 G
Autre(s) document(s) connexe(s) Part Number Guide
Produit représenté Data Processing Systems
Assemblage/origine PCN Assembly Site Add 20/Jun/2016
Assembly Site Update 26/Jul/2016
Conditionnement PCN Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
PCN, autre Multiple Changes 09/Jul/2014
Modèles de simulation MOSFET OptiMOS™ 80V N-Channel Spice Model
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant Infineon Technologies
Série OptiMOS™
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7 A (Ta), 23 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V
Rds passant (max.) à Id, Vgs 34mOhms à 12A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 12µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 9,1nC @ 10V
Vgs (max.) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 756pF @ 40V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5W (Ta), 32W (Tc)
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-5
Boîtier 8-PowerTDFN
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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02:49:37 5/24/2019