EUR | USD
Favoris

EPC2015C Canal N 40V 53 A (Ta) Montage en surface MATRICE
Prix et approvisionnement
5 405 En Stock
Envoi immédiat possible
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,90000 3,90 €
10 3,50600 35,06 €
25 3,31480 82,87 €
100 2,65160 265,16 €
250 2,50424 626,06 €
500 2,35694 1.178,47 €
1 000 2,01813 2.018,13 €

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Conditionnement alternatif
  • Bande et bobine  : 917-1083-2-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 5 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 1,98866 €
  • Digi-Reel®  : 917-1083-6-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 5 405 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
Référence Digi-Key 917-1083-1-ND
Copier  
Fabricant

Copier  
Référence fabricant EPC2015C
Copier  
Description GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE
Copier  
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Description détaillée

Canal N 40V 53 A (Ta) Montage en surface MATRICE

Copier  
Documents et supports
Module(s) de formation sur le produit eGaN® FET Reliability
Fiches techniques EPC2015C
Modèles EDA / CAO EPC2015C by SnapEDA
Fiche technique HTML EPC2015C Datasheet
Bibliothèque de conceptions de référence EPC9018: 35A, 0 ~ 30V, H-Bridge
Fichier vidéo Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
Assemblage/origine PCN Mult Dev Assembly Chg 1/Jun/2020
Modèles EDA / CAD Télécharger depuis Ultra Librarian
Attributs des produits
Type Description Sélectionner tout
Catégories
Fabricant EPC
Série eGaN®
Conditionnement Bande coupée (CT) 
Statut de la pièce Actif
Type de FET Canal N
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 53 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V
Rds On (max.) à Id, Vgs 4mOhms à 33A, 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 9mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,7nC @ 5V
Vgs (max.) +6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1180pF @ 20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max.) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur MATRICE
Boîtier MATRICE
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut RoHS Conforme à RoHS 3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
À utiliser avec

EPC9001C

BOARD DEV EPC2015C 40V EGAN

EPC

79,87000 € Détails
Produits correspondants Afficher plus

LM5113TME/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

4,01000 € Détails

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

3,08000 € Détails

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

3,55000 € Détails

LM5113SD/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

Texas Instruments

3,61000 € Détails

LM5113SDX/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

Texas Instruments

3,61000 € Détails

LM5113SDE/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

Texas Instruments

4,03000 € Détails
Les composants suivants peuvent vous intéresser

EPC2030

GANFET NCH 40V 31A DIE

EPC

5,81000 € Détails

EPC2102

GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG

EPC

6,46000 € Détails

EPC2023

GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE

EPC

6,12000 € Détails

EPC2014C

GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE

EPC

1,30000 € Détails

EPC2045

GANFET TRANS 100V BUMPED DIE

EPC

1,68000 € Détails

DMN5L06K-7

MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3

Diodes Incorporated

0,38000 € Détails
Ressources supplémentaires
Colis standard 1
Autres Noms 917-1083-1