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DMN3200U-7 Canal N 30V 2,2 A (Ta) 650mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,39000 0,39 €
10 0,31800 3,18 €
100 0,21630 21,63 €
500 0,16222 81,11 €
1 000 0,12167 121,67 €

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Présentation des produits
Référence Digi-Key DMN3200U-7DICT-ND
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Quantité disponible 9 791
Envoi immédiat possible
Fabricant

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Référence fabricant

DMN3200U-7

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Description MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
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Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Description détaillée

Canal N 30V 2,2 A (Ta) 650mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3

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Documents et supports
Fiches techniques DMN3200U
Informations RoHS Diodes RoHS 3 Cert
Conception/spécification PCN Green Encapsulate 15/May/2008
Bond Wire 3/May/2011
PCN, autre Multiple Device Changes 29/Apr/2013
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant Diodes Incorporated
Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 4,5V
Rds passant (max.) à Id, Vgs 90mOhms à 2,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Vgs (max.) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 290pF @ 10V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 650mW (Ta)
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SOT-23-3
Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut sans plomb Sans plomb
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms DMN3200U-7DICT
Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
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  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 9 791 - Immédiatement
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23:58:08 7/20/2019