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AOB2500L Canal N 150V 11,5 A (Ta), 152 A (Tc) 2,1 W (Ta), 375 W (Tc) Montage en surface TO-263 (D²Pak)
Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,47000 3,47 €
10 3,09600 30,96 €
100 2,53860 253,86 €

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Présentation des produits
Référence Digi-Key 785-1659-1-ND
Copier   785-1659-1-ND
Quantité disponible 5 229
Envoi immédiat possible
Fabricant

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Référence fabricant

AOB2500L

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Description MOSFET N-CH 150V 11.5A TO263
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Délai d'approvisionnement standard du fabricant 26 semaines
Description détaillée

Canal N 150V 11,5 A (Ta), 152 A (Tc) 2,1 W (Ta), 375 W (Tc) Montage en surface TO-263 (D²Pak)

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Documents et supports
Fiches techniques AOT/B2500L
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing
Autre(s) document(s) connexe(s) AOS Green Policy
Informations RoHS RoHS Cert
Assemblage/origine PCN Mult Dev Assem/Test Chg 19/Jul/2018
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 150V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11,5 A (Ta), 152 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6 V, 10 V
Rds passant (max.) à Id, Vgs 6,2 mOhms à 20 A, 10 V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 136nC @ 10V
Vgs (max.) ±20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6460pF @ 75V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,1 W (Ta), 375 W (Tc)
Température d’utilisation -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur TO-263 (D²Pak)
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 sorties + languette), TO-263AB
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
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00:17:33 11/20/2018