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CY7C199CN-15PXC Mémoire CI SRAM - asynchrone 256Kb (32K x 8) Parallèle 15ns 28-PDIP
Prix et approvisionnement
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CY7C199CN-15PXC

Fiche technique
Référence Digi-Key 428-2158-5-ND
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Fabricant

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Référence fabricant CY7C199CN-15PXC
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Description IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP
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Description détaillée

Mémoire CI SRAM - asynchrone 256Kb (32K x 8) Parallèle 15ns 28-PDIP

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Documents et supports
Fiches techniques CY7C199CN
Fichier vidéo Cypress’ IoT Memory: Power Snooze SRAM
Produit représenté Cypress Memory Products
Obsolescence PCN/ EOL Multiple Devices 16/Mar/2015
Assemblage/origine PCN Copper Wire Bonds/Transfer 14/Jun/2013
Conditionnement PCN Ship Label/Document Standardization 24/Jan/2018
Date Code/Shelf Life Chgs 18/Jul/2019
Page de catalogue 1370 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits
Type Description Sélectionner tout
Catégories
Fabricant Cypress Semiconductor Corp
Série -
Conditionnement Tube 
Statut de la pièce Obsolète
Type de mémoire Volatile
Format mémoire SRAM
Technologie SRAM - asynchrone
Taille de la mémoire 256Kb (32K x 8)
Interface mémoire Parallèle
Temps de cycle d'écriture - Mot, page 15ns
Temps d'accès 15ns
Alimentation en tension 4,5V ~ 5,5V
Température d’utilisation 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Trou traversant
Boîtier 28-DIP (0,300po, 7,62mm)
Boîtier fournisseur 28-PDIP
Numéro de référence de base CY7C199
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS 3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Ressources supplémentaires
Colis standard 600
Autres Noms 428-2158-5
CY7C199CN-15PXC-ND
CY7C199CN15PXC