FET, MOSFET simples

Résultats : 42 083
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCoherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCEVVO
Série
-*2N7002K4485650AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AP4NA2R2HCAutomotive, AEC-Q101
Conditionnement
Bande coupée (CT)Bande et bobineBande et boîteBarrette de connexionBoîteDigi-Reel®En vracPlateauSacTube
Statut du produit
ActifDate de dernière disponibilitéEn fin de cycle chez Digi-KeyObsolètePas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
-Canal NCanal P
Technologies
-GaNFET (FET au nitrure de gallium cascode)GaNFET (nitrure de gallium)MOSFET (oxyde métallique)SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)SiCFET (carbure de silicium)SiCFET (cascode SiCJFET)
Tension drain-source (Vdss)
-30 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
150µA (Ta)520µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
0V0V, 10V0V, 18V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
0,29mohms à 50A, 10V0,3mohms à 200A, 10V0,35mohms à 50A, 10V0,36mohms à 100A, 10V0,39mohms à 100A, 10V0,4 mohms à 50A, 10V0,4mohms à 150A, 10V0,4mohms à 30A, 10V0,42mohms à 50A, 10V0,44mohms à 88A, 10V0,45mohms à 30A, 10V0,45mohms à 30A, 7V
Vgs(th) (max.) à Id
300mV @ 250µA400mV à 1mA (min)400mV à 250µA400mV à 250µA (min)450mV à 100µA (min)450mV à 1mA (min)450mV à 250µA (min)450mV à 2mA (min)500mV à 250µA (min)570mV à 1mA (typ.)600mV à 1,2mA (min)600mV à 1mA (min)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (max.)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7 pF @ 10 V
Fonction FET
-Détection de courantDiode de détection de températureDiode Schottky (isolée)Diode Schottky (substrat)Mode de déplétion
Dissipation de puissance (max.)
400µW400µW (Ta)500µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 100°C-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-AutomobileMilitaire
Qualification
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Type de montage
-Montage en surfaceMontage en surface, joints de brasure visiblesMontage sur châssisTrou traversant
Boîtier fournisseur
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Boîtier
2-DFN Piazzola esposta3-DFN plot exposé3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, broches plates3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, broches plates3-SMD, non standard3-SMD, sans plomb
Options de stockage
Options environnementales
Supports
PRODUIT MARKETPLACE
42 083Résultats
Affichage de
sur 42 083
Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
106 040
En stock
1 : 0,09000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02155 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
83 756
En stock
1 : 0,09000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02142 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
354 302
En stock
1 : 0,10000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02551 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohms à 50mA, 5V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
197 311
En stock
20 031 000
Usine
1 : 0,11000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02891 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 217 847
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02628 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2ohms à 100mA, 2,5V
1V à 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
407 320
En stock
55 926 000
Usine
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02963 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2ohms à 500mA, 10V
2,5V à 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
119 617
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02963 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,3V à 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
617 846
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02539 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
180mA (Ta)
10V
7,5ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
413 141
En stock
53 874 000
Usine
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03264 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
130mA (Ta)
5V
10ohms à 100mA, 5V
2V à 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
389 592
En stock
1 068 000
Usine
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03193 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8ohms à 250mA, 10V
1,5V à 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
342 443
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03165 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5ohms à 240mA, 10V
2,5V à 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
296 007
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03364 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,4V à 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
49 420
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,02703 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
CST3
SC-101, SOT-883
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
24 656
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,02836 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2,8ohms à 200mA, 10V
2,1V à 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 3,1 W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-883
SC-101, SOT-883
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
815 557
En stock
1 : 0,13000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03422 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6ohms à 300mA, 10V
1,5V à 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
504 902
En stock
1 : 0,13000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03453 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2ohms à 200mA, 4,5V
800mV à 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
UMT3F
SC-85
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
428 377
En stock
1 : 0,13000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03518 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7,5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
190 573
En stock
1 : 0,13000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03406 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
3ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
103 560
En stock
1 : 0,13000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03490 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
170mA (Ta)
10V
6ohms à 170mA, 10V
2V à 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
13 899
En stock
1 : 0,13000 €
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,03160 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
100mA (Ta)
2,5V, 4V
3,6ohms à 10mA, 4V
1,5V à 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
VESM
SOT-723
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
854 390
En stock
1 : 0,14000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03784 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
320mA (Ta)
10V
1,6ohms à 300mA, 10V
1,5V à 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
777 038
En stock
1 : 0,14000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03027 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
2ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
767 396
En stock
1 : 0,14000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03640 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
350mA (Ta)
10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,1V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
553 890
En stock
1 : 0,14000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03863 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
512 131
En stock
1 : 0,14000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03783 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
300mA (Tc)
10V
5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW (Ta)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Affichage de
sur 42 083

FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.